芯片封装名称说明

hunterccc

1、BGA(ball grid array)
4 u# ?5 D; {8 W3 v　　球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在 也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
　　2、BQFP(quad flat package with bumper)
6 k9 C/ h7 b. n; g  H　　带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
, v1 s& M! A& D' o, R3 O　　3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)
　　表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
6 P" B8 x( p. t2 L+ r$ q　　4、C－(ceramic)
　　表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
　　5、Cerdip
　　用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
　　6、Cerquad
" p) K# F- |  r: w$ L$ s3 [　　表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。
% P1 `/ t0 H$ w5 N* N% g# c　　7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
$ o7 `0 U: }: M1 E, Y, P: D% T　　　带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
　　8、COB(chip on board)
　　板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与 基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。
+ t/ u! L8 q1 Y8 L. \　　9、DFP(dual flat package)
　　双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
" `, o% I; ]! }1 ^6 c　　10、DIC(dual in-line ceramic package)
　　陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
　　11、DIL(dual in-line)
　　DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
) O: c* e: Q" {) ]% Y9 `/ s* R　　12、DIP(dual in-line package)
　　双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分， 只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。
　　13、DSO(dual small out-lint)
& Z9 t$ o/ W. z% C- s　　　双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
　　14、DICP(dual tape carrier package)
　　双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为 定制品。 另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。
　　15、DIP(dual tape carrier package)
　　同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
　　16、FP(flat package)
" O! }) u& z8 A8 i　　　扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。
　　17、flip-chip
　　　倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸 点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
8 e  o; J# r( P, [! A" ^! x　　18、FQFP(fine pitch quad flat package)
5 Y2 a& J5 c6 X5 \8 l3 Z- @/ B1 q　　小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。
　　19、CPAC(globe top pad array carrier)
　　美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
　　20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
( F4 ]0 I4 k* ]　　带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208 左右。
% t* K  z3 l6 R2 ~' X8 q' `  q6 N　　21、H-(with heat sink)
7 Q% M7 W  o& f　　　表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。
　　22、pin grid array(suRFace mount type)
　　表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得 不 怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
. z3 r! o% _) j# V* C7 X7 v　　23、JLCC(J-leaded chip carrier)
　　J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
　　24、LCC(Leadless chip carrier)
　　　无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN－C(见QFN)。
　　25、LGA(land grid array)
! ]! G, l1 p6 I1 Y! f8 v/ A) E　　触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻 抗 小，对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。
　　26、LOC(lead on chip)
　　芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片 的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
0 t3 T. E9 x/ @  r- ?" c8 c　　27、LQFP(low profile quad flat package)
; a0 `  g. B  j6 y% Z6 p# l9 k　　薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
　　28、L－QUAD
+ O9 m8 Y' I! o7 r& X! z" p　　　陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。
　　29、MCM(multi-chip module)
　　多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。 MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低 。 MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。
　　MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
　　30、MFP(mini flat package)
　　　小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
　　31、MQFP(metric quad flat package)
2 T! x3 f; l, o: e: ?　　按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm 的标准QFP(见QFP)。
- c1 E2 t7 y# \5 I　　32、MQUAD(metal quad)
) j% P' R6 {+ Y& ^: I　　美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5W～2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。
　　33、MSP(mini square package)
　　QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
　　34、OPMAC(over molded pad array carrier)
　　模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
4 e: J/ `, |" M  W　　35、P－(plastic)
　　表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。
. d; X; z- s: u' A　　36、PAC(pad array carrier)
　　　凸点陈列载体，BGA 的别称(见BGA)。
* _* F8 x$ h$ ~; t3 u3 O　　37、PCLP(printed circuit board leadless package)
- g/ y/ |1 i" k. S& U　　印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引
- S+ w7 R; u# ^& U7 W2 a0 t　　脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。
　　38、PFPF(plastic flat package)
　　　塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
　　39、PGA(pin grid array)
" g: L9 I2 g0 b  _7 t1 _  f, H　　陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都 采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256 引脚的塑料PG A。 另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装 型PGA)。
　　40、piggy back
　　　驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如，将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是 定制 品，市场上不怎么流通。
2 L, ?3 |0 R/ Q9 h2 ~0 a3 T' [' @　　41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
; e: S* }$ r4 X  n* A- H　　带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 ， 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，现在已经 普及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm，引脚数从18 到84。 J 形引脚不易变形，比QFP 容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。 PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前，两者的区别仅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但现在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已经无法分辨。为此，日本电子机械工业会于1988 年决定，把从四侧引出 J 形引脚的封装称为QFJ，把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。
7 a! a4 L6 m" A5 N. y% G　　42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
　　　有时候是塑料QFJ 的别称，有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分
　　LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装，用P－LCC 表示无引线封装，以示区别。
　　43、QFH(quad flat high package)
4 U8 m6 ~1 D/ ]0 c* V5 s2 U- N　　　四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种，为了防止封装本体断裂，QFP 本体制作得较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。
) Y+ W7 `6 c, X& [& ]( O6 u+ e　　44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
　　　四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I 字 。也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从18 于68。
. F( E$ ~, @! ]' M; h3 S0 B　　45、QFJ(quad flat J-leaded package)
　　　四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈J 字形 。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。
+ [0 K# e, E) L* b4 m3 }　　材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC)，用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。
　　陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及 带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。
* f$ c. `% K* X& a" E: y　　46、QFN(quad flat non-leaded package)
　　四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电 极触点 难于作到QFP 的引脚那样多，一般从14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。
　　塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外， 还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
　　47、QFP(quad flat package)
; l. `/ h: X' p( I- F　　　四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有 陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时， 多数情 况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器，门陈列等数字 逻辑LSI 电路，而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。 日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别，而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。
. y( K" N# j) g　　另外，有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP，至使名称稍有一些混乱 。 QFP 的缺点是，当引脚中心距小于0.65mm 时，引脚容易弯曲。为了防止引脚变形，现已 出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP)；带树脂 保护环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP)；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。 在逻辑LSI 方面，不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqa d)。
　　48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
. b! t: B" v+ Z　　　小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
- W% E* x9 y2 x　　49、QIC(quad in-line ceramic package)
　　　陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。
4 k% o3 Z1 `8 C: h　　50、QIP(quad in-line plastic package)
: D/ E3 M+ z) n: b　　塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
　　51、QTCP(quad tape carrier package)
　　四侧引脚带载封装。TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
　　52、QTP(quad tape carrier package)
) T6 e+ P( U: s3 O. a: V0 E　　　四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。
　　53、QUIL(quad in-line)
$ B9 Y! e$ ?. M　　QUIP 的别称(见QUIP)。
$ _, g& h$ u. c( a% F　　54、QUIP(quad in-line package)
　　四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板 。是 比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。
　　55、SDIP (shrink dual in-line package)
# Z5 S/ C$ c1 |1 X  n/ l7 {　　　收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP 相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)，
　　因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。
( F( [# c. h. x0 b% v　　56、SH－DIP(shrink dual in-line package)
　　　同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。
　　57、SIL(single in-line)
　　　SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
　　58、SIMM(single in-line memory module)
( G3 f/ Y( P3 v9 h5 U; i( E8 l　　单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30～40％的DRAM 都装配在SIMM 里。
　　59、SIP(single in-line package)
8 G, R9 T# m$ J　　　单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2 至23，多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。
9 p& g$ z* ?& @  f8 [  p7 T5 O: y- m　　60、SK－DIP(skinny dual in-line package)
　　　DIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP(见 DIP)。
* L! L$ v8 q0 S- m. |7 |7 Z+ I% b  [　　61、SL－DIP(slim dual in-line package)
2 l, C* X, i+ C4 k$ c/ {  L7 `& w　　DIP 的一种。指宽度为10.16mm，引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。
　　62、SMD(surface mount devices)
; D& k% E  _3 ]1 W* V　　表面贴装器件。偶尔，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。
7 `  U0 s* s- {　　63、SO(small out-line)
　　　SOP 的别称（引脚间距1.27mm）（SSOP引脚间距小于1.27mm）。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。
: _9 c) D8 {2 g6 o　　64、SOI(small out-line I-leaded package)
　　I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。
　　65、SOIC(small out-line integrated circuit)
" U2 `+ r, ~8 _/ X2 H　　SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。
( A* H# P4 |: J4 k  D　　66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)
! U& o& N/ L/ k/ x4 J9 B　　J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形，故此 得名。 通常为塑料制品，多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路，但绝大部分是DRAM。用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm，引脚数从20 至40(见SIMM )。
$ J6 @3 f8 V/ J; l) C' Y  K　　67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)
　　　按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。
　　68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)
　　　无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别，有意增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。
　　69、SOF(small Out-Line package)
　　小外形封装。表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。
　　SOP 除了用于存储器LSI 外，也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过10～40 的领域，SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从8 ～44。
; n3 D, g2 L- L1 H' J" O  O　　另外，引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP；装配高度不到1.27mm 的SOP 也称为 TSOP(见SSOP、TSOP)。还有一种带有散热片的SOP。
. M2 y1 ?+ K" h. w  v' N　　70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))
' a1 _4 z1 I) \/ |, O6 N" S　　　宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。
" `5 t/ v7 r8 W　　71、COB(Chip On Board)
1 o9 E: c7 I, H3 g! ^% n4 @　　　通过bonding 将IC裸片固定于印刷线路板上。也就是是将芯片直接粘在PCB上用引线键合达到芯片与PCB的电气联结然后用黑胶包封。COB的关键技术在于Wire Bonding（俗称打线）及Molding（封胶成型），是指对裸露的机体电路晶片(IC Chip)，进行封装，形成电子元件的制程，其中IC藉由焊线(Wire Bonding)、覆晶接合(Flip Chip)、或卷带接合(Tape Automatic Bonding；简称（TAB)等技术，将其I/O经封装体的线路延伸出来。
" x1 \1 @5 B# ~- R　　72、COG(Chip on Glass)
      国际上正日趋实用的COG(Chip on Glass)封装技术。对液晶显示(LCD)技术发展大有影响的封装技术。

2 p3 _' d  [+ C7 `
; f" R) Q; o9 Z2 H# {6 L

nuiga

板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一

ssdgh

MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高

muzitongxue

flip-chip是倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸 点与印刷基板上的电极区进行压焊连接

faker12

很全面  感谢分享