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PCB板材的基础知识

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发表于 2021-9-14 09:51 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、覆铜板又称PCB基材。
2 Y; `2 j, j2 G+ E0 w% k# w" k4 G% j) |+ D/ R# D- M: i
(1)将增强材料(玻璃纤维布,简称玻纤布)浸以树脂(pp片),一面或两面覆以铜箔,经热压而成的一种板状材料,称为覆铜箔层压板(Copper Clad Laminates,CCL)。. w7 z4 P! v" @" B

: r- F% A! j: J" Y4 a. s5 z) A(2)它是做PCB的基本材料,我们常叫它板材。! t5 K- P6 c' P- n$ F5 b6 U
1 N+ r& N. {: P- _
(3)当它用于多层板生产时,也叫芯板(CORE)。5 }1 J) V2 w' }6 @5 H

+ s2 [& x8 U1 t- b0 |2、铜箔/ K4 z8 U" c% O1 B" k
& g- S' I6 `, J% @% p: o' H
(1)铜箔厚度是以oz(盎司)为单位的,oz本身是质量单位,通常铜箔厚度用质量当成“厚度”表示值,铜箔的厚度通常用“oz”,1oz铜厚的定义:将一盎司铜均匀平铺到一平方英尺面积上,此时铜箔的厚度就称为1oz铜厚,其厚度正好是1.37mil(约1.4mil)。# m, A5 X- [5 K6 V

% u$ v1 \+ a) g; j1 J, x" t(2)铜箔的标准厚度有12μm(1/3oz)、18μm(Hoz)、35μm(1oz)和70μm(2oz)。& R: ]9 Z2 }* G! S& x

+ [& N6 }, }9 i- v2 g* H  E$ V$ C3、半固化片(prepreg或pp)的工艺原理
" w( l7 X; W8 |' J5 x, U- S# c. d- k6 g) ?
pp是经过处理的玻纤布浸渍上树脂胶液,再经过热处理(预烘)使树脂进入B阶段而制成的薄片材料。而压板的工艺原理是利用半固化片从B-stage向C-stage的转换过程,将各线路层黏结成一体。半固化片在这一过程中转换过程的状态变化如下图所示。
& g4 E2 V6 f5 L' A0 w, c! B, _+ j& S- q: e& O" C8 U
A阶段:在室温下能够完全流动的液态树脂,这是玻纤布浸胶时的状态,液态的环氧树脂又称为凡立水(Varnish)。& @: W% E) ^! R* ?! q
  x/ Z; O# T2 k! q) H3 m" k2 @
B阶段:环氧树脂部分交联处于半固化状态,在加热条件下,又能恢复到液体状态(部分聚合反应,成为固体胶片,是半固化片pp)。
6 j9 k7 e& k+ D5 }$ ~7 D) A4 O
" v& _( s5 s4 @6 tC阶段:树脂全部交联为C阶段,在加热、加压下会软化,但不能再成为液态,这是多层板压制后半固化片转成的最终状态(在压板过程中,半固化片经过高温熔化为液体,然后发生高分子聚合反应。% C3 e  K( M4 v7 D. j3 c( s
( v# j1 V! P4 A$ t3 b# f
                                                      
3 l! o( n. \- T  F7 U! @' j, Z  A5 j5 N: }6 v7 W9 g" N
, h: m* X" }9 o
                                                                        图1 状态变化
$ Q/ b8 L" u1 W4 {: E
/ e- m+ [  N* ^基材常见的性能指标
, A2 r1 j" L" F  w* e: T' R(1)DK:材料的介电常数,只有降低DK才能获得高的信号传播速度。
  |1 g8 I' S, y9 O1 Z; z* B* j$ ~- a# Y
(2)Df:材料的介质损耗角,越低信号传播损失越少。. U/ R1 ~) b5 T

( O; O" z2 L# k' _' v6 e注意,DK主要与信号网络的阻抗有关,还与平板间电容有关,Df主要与信号网络的损耗有关。影响DK的因素有:3 G5 M# F8 S3 y! m: G( I
: z2 X! @) N0 I# p- {2 o* n. I
树脂(环氧树脂的DK在3~4之间);: N) [& j7 o+ `& x6 @- m0 X7 Q# R/ i

+ o3 |( ]% {* J# E- ]  Z3 `; p- [, |玻璃纤维布(DK在6~7之间);" a4 G; D5 C- `$ U# Q
  {4 ?# _' ^  w
树脂含量(RC值)。
9 W' W( ?% R4 f- E
2 c9 `. J. @. i" F(3)Tg:class transition temperature,也就是玻璃态转化温度(对过孔的影响最大),玻璃态转化温度是聚合物的特性,是指树脂从硬(玻璃态)到软(橡胶态)的形态变化的温度。
1 N, G/ e& T( f2 C& ]' Z8 I/ R1 Z) D" H% \6 O
目前FR-4板的Tg值一般为130~140,而在印制板制成中,有几个工序的问题会超过此范围,对制品的加工效果及最终状态会产生一定的影响。因此,提高Tg是提升FR-4耐热性的一个主要方法。Tg分类如下。& t, a  r* a, V& i# X# h

0 J% ^2 l  m0 O. f+ ^3 P普通Tg板材:130~140℃。: A% ?% U$ H6 ~3 f0 h% c  w

  O( ]8 K( P$ _中Tg板材:140~150℃。7 ~) K% ?5 P1 ~  I
0 |1 f$ o1 [: {9 k
高Tg板材:大于170℃(8层以上的PCB板必须用高Tg板材)。( ?7 h7 W" G/ j2 J4 p" \/ E6 o. y+ B

! ^3 d8 S! r; n/ {4 O(4)CAF:Conductive Anodic Filament的缩写,称为耐离子迁移。
9 k4 K( M6 ~4 ?0 S: r/ c1 X& u9 K) x! L- L: B, u" z! Z
为什么会提出耐离子迁移性?$ a+ {) ~0 k3 R' a

7 J1 X% ^: J% H) @( \$ g+ U) Y2 I随着电子工业的飞速发展,电子产品轻、薄、短、小型化,PCB的孔间距和线间距就会变得越来越小,线路也越来越细密,这样PCB的耐离子迁移性能就变得越来越重要。1 m% x- G# p5 f: ^# R

# T4 K- u5 M6 O) R随着电子产品的多功能化与轻、薄、小型化,使得线路板与孔越来越密、绝缘距离更加短,这对绝缘基材的绝缘性能要求更高。特别是在潮湿的环境下,由于基材的吸潮性,玻璃与树脂界面结合为最薄弱点,基材中可水解的游离离子缓慢聚集,这些离子在电场的作用下在电极间移动而次年改成导电通道,如果电极间距离越小,形成通道时间越短,基材绝缘破坏越快。
$ k9 A% l+ B1 T/ P  t  P' F6 S& z" `; c9 e
pp压合厚度的计算说明
- c" S1 d3 b, F: l(1)厚度=单张pp理论厚度-填胶损失
5 Q* R! d  W2 Q! X3 x- h
( O5 y  m0 z* c4 A(2)填胶损失=(1-A面内层铜箔残铜率)×内层铜箔厚度+(1-B面内层铜箔残铜率)×内层铜箔厚度
) z+ z" f# J, I+ T- e
0 Y/ ~& s2 G. u$ s6 J7 G(3)内层残铜率=内层走线面积/整板面积% t: v1 F0 N! n1 K7 J
' B0 _4 W2 |& q, O/ V
如图2所示两个内层的残铜率见表8-1。其中,sq/in是面积单位,平方英尺7 U3 g: M) ~( f9 d) P1 E7 E5 m
4 ?* b% J! M! N2 t& n, V
                                                        
, X- S. [" J  a$ d+ U

, y  J- O  I$ b- d$ Q+ |; q
2 s( z/ B$ j: u, o: d2 c; _$ G                                                                                  图2 两个内层
) d' m$ x- ?: j9 V: }7 q6 Z, p% r
- Z. s% q* a9 y5 Y3 x5 q                                                                               表1 两个内层的残铜率1 P) k. D( Z0 _$ ]  L( r
6 E- v. |  F5 X3 L" G* K8 j, m

$ I/ J. t1 z3 s! `

8 I% V! D: |/ r# |
) u( w2 S7 W- C" d' `) P+ U6、多层板压合后理论厚度计算说明
6 K$ X6 [3 ]' R% O3 s
/ s/ [$ L; V" L" |! A! ~层叠结构如图3所示,说明如下。
$ n  i; `- H2 o3 J9 }; l) X# }3 r
) D$ e6 V0 H! W& X& j0 l+ F6 b: X                                                      1 |/ S4 z- m+ Y
& B& D0 L( Z% _* |

/ ~5 ]+ v1 V  U6 U                                                                                  图3 层叠结构
# m  L7 s7 {3 W$ o9 P; s# u( G1 U' Z+ R6 a5 N; r% t# X- z& v
(1)半盎司铜厚=0.7mil。
' H3 h8 P5 P5 }8 k' w# B" n  x
  J$ s8 Z5 k& w* t(2)pp压合厚度=100%残铜压合厚度-内层铜箔(1-残铜率)。- p" N( z& Z1 Z! ?1 N

! f& K0 s, [4 X8 U, F3)内层CORE要确认内层芯板厚度是含铜厚还是不含铜厚,若不含铜厚则要算上内层铜箔的厚度。
! t: O. `6 u/ `0 t, g  R- u
: j- r1 ?( Z5 X" R(4)pp压合厚度=100%残铜压合厚度-内层铜箔(1-残铜率)。
: T" K' x$ J& e( y4 w1 M% X
* f& ?$ m3 |2 J(5)半盎司铜厚=0.7mil。
: S' D5 \+ @( A, n' W
# K6 W; J% [. h9 ]& Q, f- y) T图8-3所示压合结构为39.4mil(含铜厚),外层铜厚为半盎司,pp为用7628 RC50%,厂商提供该种pp100%残铜压合厚度为4.5mil。
7 y1 g1 F% q' d
* O' Z4 h2 ]! o& A* L1 Q; x从已知条件可以得出以下结论。
5 y3 O3 Y& p+ \' d  P3 i, l, a) w$ ^" [* m$ v
(1)外层铜厚为半盎司:即Hoz=0.7mil,外层有两层即1.4mil。
- _9 S7 K$ o. s, S
6 B; q+ u8 c1 T0 w(2)所用芯板为39.4mil(含铜厚):即芯板厚度为39.4mil(因为内层铜厚已包含在39.4mil中,故内层铜箔厚度不用再计算)。
4 h; H& ?4 |: B/ P
, }( {) P3 M, N. c3 d. q# n/ R(3)假设一内层铜面积为80%,即内层残铜率为80%,另一层铜面积为70%。% x- v4 Z, m, R0 }9 i8 e
5 H- F3 X) I- _6 g6 J. a
(4)内层为1盎司铜厚,即1.38mil。
5 a5 \* B' Z# R% }- u% x/ ]+ U3 _0 G  i6 E9 ]( M4 }/ r& [9 L
pp压合厚度=4.5-1.38×(1-80%)=4.5-1.38×0.2=4.5-0.276=4.224
' t; K, K0 m& _# N. {% c& K! \# h# h5 y0 [9 {: G! l" Z2 q
pp压合厚度=4.5-1.38×(1-70%)=4.5-1.38×0.3=4.5-0.414=4.086; u1 D3 c+ N1 @9 M! q) C
6 y. g7 Z, M% s& U1 ^

5 f$ D5 m* l2 z) y1 w) q
  K" g+ ^' E3 O% P! M压合后的厚度=0.7+4.224+39.4+4.086+0.7=49.11mil=1.25mm
6 Y. m' a, R! ~( P
0 C8 m& X5 e' |, K假设39.4mil是不含铜厚的芯板,则要将两层内层的铜厚加入压合厚度中,则2 T" p6 |' f# t' a
3 t) H- F5 R( x  z9 k) E4 |8 W9 y
压合后的厚度=0.7+4.224+1.38+39.4+1.38+4.086=51.87mil=1.32m
* S. O7 h6 W7 o+ B9 G5 O/ l: u0 x& T
如下8层板加工实例:
; t; e8 @+ j7 S  W
1 X4 u7 ^. u8 I% l6 F% q/ y2 h7 e 8 q; A7 A, o1 g% G- f) h- n

4 ]9 Q  M* Y7 `5 j0 d( x. y/ X" p" h9 l+ j8 k: b9 l4 ^5 j7 N

3 H( G  `2 f% j  N4 I9 o; Z

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2#
发表于 2021-9-14 10:47 | 只看该作者
PCB的耐离子迁移性能变得越来越重要
5 Q3 R: q( e- C7 i8 ]- L* c# E

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3#
发表于 2021-9-14 11:21 | 只看该作者
pp是经过处理的玻纤布浸渍上树脂胶液,再经过热处理(预烘)使树脂进入B阶段而制成的薄片材料

该用户从未签到

4#
发表于 2021-9-14 13:03 | 只看该作者
压板的工艺原理是利用半固化片从B-stage向C-stage的转换过程,将各线路层黏结成一体

该用户从未签到

5#
发表于 2021-9-15 19:58 | 只看该作者
学习了,很有用的
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    2022-4-13 15:58
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    [LV.2]偶尔看看I

    6#
    发表于 2021-12-20 09:54 | 只看该作者
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