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本帖最后由 Heaven_1 于 2021-8-30 14:02 编辑
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我们都知道H桥功率驱动电路是可用于步进电机、直流电机及交流电机等的驱动。就是通过PWM信号控制MOS管的开与关；改变PWM的占空比，进而改变流过电机的有效电流，从而控制电机的转速。因此驱动电路在选择能够替换FQPF4N65C型号MOS管产品应用时，应该考虑综合场效应管参数。% k t& I' g1 I4 C* s. s5 S
0 n/ q# ]+ N- |/ x) @在国产化的发展进程中，我们更推荐使用优质的飞虹国产型号：FHP4N65型号参数来替代FQPF4N65C型号。
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& k Z4 L" k2 D& v% @& k不得不说，一款优质的MOS管是可以在整体设计中给予电子工程师最大限度的支持，通过合理的转换效率提升驱动电路电机的效率。而飞虹的这一款FHP4N65型号场效应管就能完美的匹配这一款FQPF4N65C场效应管参数的型号。) ^0 x2 j$ i& Q: m' Q
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飞虹这款FHP4N65为N沟道增强型高压功率MOS场效应管，广泛应用于高压H桥PMW马达驱动、35W AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器；在使用方面是匹配型号FQPF4N65C的国外场效应管。
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它具有650V、4A ,RDS(on) = 2.8Ω(max) @vgs = 10 V 低电荷、低反向传输电容开关速度快的特点。
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FHP4N65的主要封装形式是TO-220F，脚位排列位GDS。这款产品参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：3-5；ID（A）：4A；BVdss（V）：650V。* v: c$ o$ n7 ^
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发表于 2021-8-28 12:13
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