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L6385D013TR/ACPM-7081-TR1 原装现货

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    星际金华优势提供 L6385D013TR/ACPM-7081-TR1 原装现货 欢迎咨询!) J3 R2 P& p+ A
    3 \: _7 O( `0 d, Z, H" U7 I
    L6385D013TR:
    ' N6 ?* G2 I' n4 P) j5 q0 B特征:2 j1 [# i5 [1 a- ]' E) w3 ^, ~& @
    高达 600 V 的高压轨
    % v+ f, L) K8 m  W9 ^4 l7 k% UdV/dt 抗扰度 +- 50 V/nsec 全温-性能范围
    ( g8 }+ b, \$ ]0 K) ?1 z0 Z驱动电流能力:400 mA 源,650 mA SINK! a0 ~7 f9 g; g
    开关时间 50/30 ns 上升/下降带 1nF 负载
    ! A6 X) _7 Q# {; S) rCMOS/TTL施密特 扳机输入有滞后和下拉8 y2 b" z% H; N* F$ ?
    低电压锁定和上驱动部分! C8 n) ^% |- L6 [4 K
    内部自举二极管& o, `; w  T' K# l8 R
    输出与输入同相/ b2 ~5 c! K% K( q; z) j
    0 A$ W( v. N8 n- \( b
    描述:! A; _/ `/ q( _: U
    L6385 是一种高压设备,制造商采用 BCD“离线”技术。它有一个驱动程序结构,能够驱动inde-挂件参考 N 通道功率 MOS 或IGBT。上部(浮动)部分启用工作电压轨高达 600V。逻辑在-puts 是 CMOS/T
    8 P6 @% }# ~" b! Z
    0 v  d3 v  o/ U规格:
    0 A' G: S! c# }8 q驱动配置:半桥  Z) p4 f2 o' }* y
    通道类型:独立式& v! E0 n/ d7 E% g/ u
    驱动器数:2
    * R2 H4 O& S; T! ~( z7 b9 F2 H栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
    8 r& }( p& g0 D  I( x1 j5 {电压 - 供电:17V(最大)  a1 D9 n' z9 V$ _
    逻辑电压 - VIL,VIH:1.5V,3.6V4 G! o! t' U2 O3 P
    电流 - 峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA9 C- Q6 O$ P9 q5 G3 ]/ h7 c( l
    输入类型:反相
    ' \! U# x+ r/ R) v5 ~高压侧电压 - 最大值(自举):600 V( y1 @8 C5 ^6 Y' q2 n/ b# b
    上升/下降时间(典型值):50ns,30ns
    $ n* j2 Q2 w/ i5 E; p7 Y/ x; N工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
    , E3 h$ j1 h. R& I9 k: I安装类型:表面贴装型/ z& Q" X5 k# p0 h$ ]
    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
    / H. E7 p3 g' g6 \: x/ f+ G- k& d, e供应商器件封装:8-SOIC
    + O1 U; ~+ K6 k' Q1 w: M& C: G% B0 V3 Q% G" T" v. R, c# |
    ACPM-7081-TR1:
    5 Z) g4 a" ]. Y( J0 m/ j描述:. U( [& U8 ]* c
    ACPM-9430 是一款完全匹配的 10 针表面贴装电源为 LTE Band30 开发的放大器模块。2 毫米 ×2.5 毫米外形封装是独立的,它包含 50 欧姆输入和输出匹配网络。- f7 p$ |- C0 y4 {  o! ^  W
    ACPM-9430 采用 CoolPAM 电路技术,支持两种功耗模式——低功耗和高功耗。CoolPAM 是一个增强 PAE 的级旁路技术(功率增加效率)在低功率范围内。功率放大器采用先进的 InGaP 制造HBT(异质结双极晶体管) MMIC(微波单片集成电路)技术,提供最先进的可靠性、温度稳定性和坚固性。
    4 T9 y/ O/ @6 _2 P
    % J( U% o1 x+ ^6 B0 {% w5 Z: J3 M1 x! n特征:/ K) W0 I  G& K/ |
    薄型封装(典型值为 0.82 mm)
    2 d3 u0 y! r2 X3 q! E小尺寸(2 毫米 × 2.5 毫米)! E# h9 t' }! H, ^* A3 G
    在包络跟踪模式下具有出色的线性度$ Y! Q. X* Y! r0 k# ]
    峰值功率包络功率下的高效率& f4 X+ a+ x) E) a5 z
    与 MIPI RFFE 兼容0 w8 C4 \$ C  M
    二模电源. S# s, Q, y0 P+ Y0 w6 v" ^( P8 T" b4 ?
    用于高功率模式和低功率模式的静态电流控制电源模式" V& c; T: |+ ^% O/ p$ r
    十针表面贴装封装$ B9 @; f) ?8 k
    内部 50 欧姆匹配网络用于射频输入和输出5 L0 K. E% _7 S+ c
    独立的驱动和输出 VCC 电源
    3 b0 l# I2 h+ e8 e! m2 |低旁路电容
    ( p3 s( T: N0 G4 `: m. l绿色 – 无铅且符合 RoHS 标准- p& X; ^$ ^% k8 Z- d# h- Z
    # P7 u/ G& w& o; u9 z* [. {( o3 E% f
    应用:. \5 u" l% ]  K( l* c
    LTE 频段 3/ F0 I7 f3 S4 ^( ^6 K

    & \8 K) j- Z# S2 M6 R
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