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CST粒子工作室可以实现电磁场、PTS、PIC之间的耦合;粒子面损耗与热求解器耦合。. y/ |% J( S0 w6 v# K% i
- q" ^1 o! \" k5 d6 q* O
电磁场耦合# _' B; c/ s" R: |2 T2 ?
# c ?4 C g3 l4 W6 RCST粒子工作室是专门用来模拟带电粒子通过电磁场的轨迹的。计算轨迹采用以下三种技术中的一种(或多种):
6 M3 w5 f* c" t# g+ h" d; U: H* h& ]9 e% I6 e, o7 _ h3 a& ^
1.经典电磁场计算$ ?" u& B( @$ H# ]7 L* l
! t$ V2 M$ W) m, ^! \9 c
CST粒子工作室可以用EM的低频和高频求解器作为输入。$ t+ K' m- Z6 Q6 H
' a; k- a1 b5 A: _4 }
-Electrostatics Solver静电场低频求解器:一般电子枪中计算加速场、阴极射线管中束流导向单元的偏转静电场。4 \ y- `% D2 C ?$ g% _( f: l
7 \6 `0 Q3 Z2 V$ X' ~+ v9 r-Magnetostatics Solver静磁场低频求解器:耦合磁体用,螺线管、多极磁体等。) @6 X1 q# D R
* o' X; K+ T" m+ n( L7 W; o( s: V-Eigenmode Solver本征模高频求解器:计算腔内谐振场。2 k6 j; s+ w; d! d: T1 h5 r+ X
8 X# B; D6 ]+ v5 U0 b
-Time Domain Solver时域高频求解器:用3D场监视器追踪粒子。典型的应用是次级电子倍增分析。- w7 ~% s+ R% r
) p' @7 l+ B( U7 f: i6 Y* l0 ~2. 解析定义磁场. j; q& h: {2 [2 S$ m/ _* l- S
& a" c7 X9 A# y! |5 l
直接定义静电解析H和B场分布。有如下几种方式:) |, u& I* F! k
/ T5 v9 M6 }7 y/ O! p-直接定义整个求解域内H的恒定值
9 H' [; g4 q0 s
0 Z |% H5 F, d/ c" x ?$ \-直接定义整个求解域内B的恒定值7 x. O7 J4 @0 G# Q5 a* k2 L _( t
" O: M! ^: r2 q" w* C( {6 V
-旋转对称磁场,其特征是沿全局或局部坐标系的Z轴定义的一维切向磁化矢量。' a* H, I# Q8 `9 c/ A; i- t
: z* Y; J5 G4 b' e6 n8 a$ L沿着Z轴的B值直接定义:
( H4 P, T/ q# b! L/ T, B2 n, @1 g
1 c5 u$ m+ a6 _6 }7 ?特定一个Z轴位置的B平面云图,这样就很直观了:
6 Q4 W A0 k7 ?% O Y4 d: P+ X. k3 z. e+ G
3. 导入- ASCll或从其他project中! x5 U! R+ a; |4 u, Q; N
2 G( U+ d: I6 i2 T( ?& k从ASCIl文件或从另一个CST project中导入。导入的多个场可以叠加。在Simulation- Sources and loads- Source field -Import External field中导入:
1 n# f/ V- l/ q) J: N+ i+ {9 I8 d
% g3 n4 U( V: N% F. g5 }可以导入本征模,E, H或B,网格可以不同。
" O& W1 B" @+ c
, R& ^- r3 |% P. Q. ?Particle InteRFaces粒子接口
" B6 p; E6 S9 ]' C9 |8 R0 R0 N0 A2 N
粒子接口用于耦合PTS、PIC仿真project。有两种类型的接口可用:Export Interface和Import Interface。& f7 ` }- [6 z' R9 X
2 ?$ D) L, I' F6 J+ c* j, f假设有一个电子枪project,它必须通过使用粒子接口连接到后续的PIC或PTS项目,大致步骤如下:
6 m8 m, E4 _ N$ R L9 h5 V5 g" {8 c% h
1.打开电子枪project
& E7 u. L+ F: [' \3 ?7 q
+ d! b) l) U. W: x2 E8 x" O; ^2.定义一个Exprot Interface5 ]3 }$ \" u5 r: F
5 U( e& i2 \6 J( b5 Q. g+ P. ?1 l
3.运行电子枪project的计算,生成.pio粒子数据文件, U9 P! |5 c9 R, n M4 w
4 o* t* L, ^- h+ i/ |6 w% Q: v4.打开后续的PIC project
8 W8 a5 W9 s0 G) P+ [1 P% E) i
; i5 W5 T. _9 e! K* F. h5.定义Import Interface
* B8 Q0 R9 F# _1 k* B
z# y) @5 {( D2 r/ q6.运算后续的PIC project L/ l9 g0 E% {: i5 E$ M
) N+ j$ p1 z( ] k( ` c6 K
导出粒子束面损耗
5 u _. {' c7 ~( I. n; F6 T r3 c' A) O( h( U# z' w
粒子与物质面接触产生损耗。例如,对于医疗应用来说,这是一个非常关心的内容。设置这个也很简单,在求解器设置中打勾:
" k. U$ E! ^- l. I) s/ e( U9 j8 v( t) B- G$ Q
由于热耦合用到的是平均功率,因此必须定义时间周期。( E& s u3 `- k+ p' W& ]# C% f
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