DC/Dc芯片MOS管损坏

421800626 · 发表于 2021-8-8 10:54

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使用LTM4616芯片，板子批产，多次出现LTM4616下端MOS管损坏，对电路原理设计和pcb设计进行复核，未发现设计不符合项；只有一处提到外部线缆长时，要使用100u电容，是没有的；下端mos管损坏有哪些可能原因呢？

tuzhiquan · 发表于 2021-9-1 18:49

下管损坏有可能是由于上管还没有关掉时，下管就动作了？

zhoupo · 发表于 2021-8-8 17:09

只是IC内部功能图应该看不出什么吧

Heaven_1 · 发表于 2021-8-8 17:30

这块是不是电流太大，

421800626 · 发表于 2021-8-8 18:04

Heaven_1 发表于 2021-08-08 17:30:59
- M( n+ `0 p- C这块是不是电流太大，

电流大为什么会烧下管，解释不通

lock_lilu · 发表于 2021-8-9 09:21

耗电量过大或缺少 ESD

cheery60 · 发表于 2021-8-9 09:46

为什么呢？找到原因了么？

421800626 · 发表于 2021-8-10 07:39

没有找到，跟sw振荡有关吧，

成帆 · 发表于 2021-8-18 22:52

原理图没问题，看下PCB是不是电感放的太远

zlpkcnm · 发表于 2021-8-19 17:55

应该有设计与使用不符合；不然怎么会烧呢；只是没找到原因

茹熙 · 发表于 2021-8-19 21:29

之前有过TI的DCDC空气放电导致SW与GND短路的现象，改板接地回路改善。这个与芯片ESD防护有关。

421800626 · 发表于 2021-8-19 21:51

要是esd问题，成批产品可能都存在隐患

tuzhiquan · 发表于 2021-9-1 18:51

这里异步的是用一个二极管，二极管压降大，就用ＭＯＳ管来代了，但是开关会有时序，时序一乱就不好说了

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