半导体IGBT功率器件测试

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半导体IGBT功率器件测试
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近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体、扬州杨杰等）；模块类（嘉兴斯达、南京银茂、中车永电、西安卫光、湖北台基、宁波达新等）；设计类（青岛佳恩、无锡紫光、上海陆芯、浙江天毅、深圳芯能、成都森未等）；代工类（上海华虹、芜湖启迪、深圳方正微、中芯集成电路等）；测试类（台湾冠魁、绍兴宏邦、西安易恩、杭州可靠性仪器厂、陕西三海、西安庆云等）；

随着半导体功率器件国产化趋势的显现以及下游应用领域需求增长的拉升,我国半导体功率器件行业蕴含着巨大的发展契机，尤其在新能源（汽车、光伏、工控）、新材料、生物、高端装备制造、智能电网、轨道交通、风力发电、新一代的信息技术等产业的发展，都离不开半导体功率器件的支撑。以晶闸管、MOS、IGBT、第三代半导体器件为核心的半导体功率器件更是发展迅速。

在半导体功率器件行业的突飞猛进的同时，对应的测试行业也得到了飞速的发展。从半导体功率器件的设计，研发，生产，后期使用，产品维修都需要进行相应的电参数测试，小编不由心中疑惑，半导体器件到底为什么需要测试尼？具体都要测试哪些参数尼

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器件都要进行哪方面的测试？
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3 B# D9 R5 E1 X# J8 s2 L5 cØ 静态参数测试：最基本的测试项目，可简单的评估器件的性能好坏。各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据、同时在变频器，焊机，轨道交通中的功率器件检测，发挥了至关重要的作用。
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( _  S5 I1 \" }2 ~& B, Z9 h6 y1 p推荐对应设备:EN-2005系列，EN-3020

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Ø 动态参数测试：动态参数的优良决定着器件的开关性能，通常我们希望的功率半导体器件的开关速度尽可能得高、开关过程段、损耗小。但是在实际应用中，影响开关特性的参数有很多，如续流二极管的反向恢复参数，栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容、栅极电荷的存在，所以正对于此类参数的测试，变得尤为重要。开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性。直接影响变换器的性能。因此准确的测量功率半导体器件的开关性能具有极其重要的意义。

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Ø 极限能力测试：如浪涌电流测试，雪崩能量测试。

浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。
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雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量。
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