1Mbit国产异步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I

英尚微电子

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  W0 d. X+ {- _' y2 K( C& _8 J9 J随着微电子技术的迅猛发展，SRAM存储器逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，SRAM由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。

9 e3 J2 ]+ C0 D4 i7 ?. }随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会消失。SRAM的数据存储方式是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路，它的代码的读出是非破坏性的，并不需要相应的刷新电路，因此它的存取速度比DRAM要快。但是SRAM需要用更多的晶体管来存储一位的信息（采用六管单元或四管两电阻单元储存一位数据），因而其位密度比其它类型的低，造价也高。静态存储器多用于二级高速缓存。
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/ L' j: b* T/ w2 l2 s介绍一款伟凌创芯（EMI）1Mbit国产异步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I，该产品采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持工业温度范围-40℃~85℃。EMI501HB08PM-55I采用32SOP芯片级封装，电源电压为4.5V~5.5V，以实现系统的用户灵活性设计。还支持低数据保留电压，用于以低数据保留电流进行电池备份操作。
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, k3 F$ ?: }' l  E' V; M/ c特征
. Y5 S& S2 i' e& b: Y●工艺技术：90nm Full CMOS
9 e* I- M1 ?$ |1 K7 A●组织：128KX8bit
●电源电压：4.5V~5.5V
●三态输出，TTL兼容
' e) O. V& _7 ^4 ]) B●标准32SOP
6 g, T: S1 s2 O' u4 R: u) L; K●工业操作温度

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是的，随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会消失。SRAM的数据存储方式是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路，它的代码的读出是非破坏性的，并不需要相应的刷新电路，因此它的存取速度比DRAM要快。