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一、雪崩破坏
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- o. ~' Y& }$ l2 A- A8 l 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
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在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 & `4 R7 A9 O& w- z2 p
典型电路：
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二、器件发热损坏 7 W" H+ h) E; I* k* L8 d5 f5 L( X
由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。 2 [2 h& [0 @( g- k F8 w0 q
直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热 由漏电流IDSS引起的损耗（和其他损耗相比极小）
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瞬态功率原因：外加单触发脉冲 ! h, w e+ A8 T1 M0 E4 t W w
负载短路 5 |9 K; o: v- w# o ?( J; E5 \3 n0 g
2 i& u8 C1 E/ W, X+ i 器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流，造成瞬时局部发热而导致破坏。另外，由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。 4 ]3 D I& v, r4 x
4 x8 N* u, N7 C) R2 d) t
三、内置二极管破坏
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在DS端间构成的寄生二极管运行时，由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。
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) X l7 p. ]! l$ q( I) M+ W四、由寄生振荡导致的破坏 & W* l. u/ q$ | F$ q' W
此破坏方式在并联时尤其容易发生。 在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压，由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破坏。 2 K2 u0 H, Y8 t
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主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端（包括安装和和测定设备的带电）而导致的栅极破坏。 & ]' ?# b, g6 M
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发表于 2021-7-16 13:33
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