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芯片可靠性测试要求及标准解析

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-7-16 09:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 mutougeda 于 2021-7-16 09:57 编辑
    ' m6 |% C, A( _, |' K5 V) T7 \
    : e/ J1 Y2 u# C2 [, o: Q芯片可靠性测试要求都有哪些?华碧实验室通过本文,将为大家简要解析芯片可靠性测试的要求及标准。4 _2 i- U" n9 V; C- y# p0 j
    4 m" m, q3 J) `2 e8 o7 z; C
    大多数半导体器件的寿命在正常使用下可超过很多年。但我们不能等到若干年后再研究器件;我们必须增加施加的应力。施加的应力可增强或加快潜在的故障机制,帮助找出根本原因,并帮助 TI 采取措施防止故障模式。
    3 Q0 P2 L! c8 s
    ; s- j7 B- `  T6 H* O* L& [$ P& Y在半导体器件中,常见的一些加速因子为温度、湿度、电压和电流。在大多数情况下,加速测试不改变故障的物理特性,但会改变观察时间。加速条件和正常使用条件之间的变化称为“降额”。" `+ w* |6 f" u$ e/ P; C( \

    ) q/ E3 T* z$ x. U- p  {3 K7 M ' s  _" j% e! [) V0 G! L9 ^2 p) e
    1 n6 C4 K$ w0 h7 C* `
    高加速测试是基于 JEDEC 的资质认证测试的关键部分。以下测试反映了基于 JEDEC 规范 JEP47 的高加速条件。如果产品通过这些测试,则表示器件能用于大多数使用情况。
    . i( I' z( r- I0 ^$ W! n, ?6 Y; H# z
    ( u* m9 `0 Z# i$ r0 k

    9 S( q/ ^) L! T* O* \' r温度循环3 F/ S; Q5 k/ C  {" w4 }5 R8 r

    , S( d, Q4 m( t: N6 _6 o% t! Q根据 JED22-A104 标准,温度循环 (TC) 让部件经受极端高温和低温之间的转换。进行该测试时,将部件反复暴露于这些条件下经过预定的循环次数。, d# J9 Z# k& ]* V  k
    ' q* k2 g: x3 R; V" r6 [
    高温工作寿命(HTOL)9 U" z( F0 N0 q
    - H# {4 p  s; Q% g; B& r% l
    HTOL 用于确定高温工作条件下的器件可靠性。该测试通常根据 JESD22-A108 标准长时间进行。. |! T! C$ N% V, Y$ Q( }( @

    ( k$ C. L) l! {4 |, k" j8 T温湿度偏压高加速应力测试(BHAST)4 C- L- ~7 u* o: u

      O6 F. e! L6 G( l# s( k% p/ K6 R根据 JESD22-A110 标准,THB 和 BHAST 让器件经受高温高湿条件,同时处于偏压之下,其目标是让器件加速腐蚀。THB 和 BHAST 用途相同,但 BHAST 条件和测试过程让可靠性团队的测试速度比 THB 快得多。
    / }6 r( H, p, f, X6 r5 p5 J$ C" P# c) ^8 Q
    热压器/无偏压HAST
    & a$ N( C( l( J9 t3 B' ?2 R5 R% E# [" X( ?, [7 V7 k' }6 w. h
    热压器和无偏压 HAST 用于确定高温高湿条件下的器件可靠性。与 THB 和 BHAST 一样,它用于加速腐蚀。不过,与这些测试不同,不会对部件施加偏压。
    , s. i' L& Y+ P2 R& u
    ( x5 Q0 @; a8 Q' Z高温贮存
    . \: R( U/ ]% m$ q# {- M( O5 N7 r2 \: v2 o1 H& u& r
    HTS(也称为“烘烤”或 HTSL)用于确定器件在高温下的长期可靠性。与 HTOL 不同,器件在测试期间不处于运行条件下。
    / V! W! v. [) E5 w5 R+ O! h% t+ T! v9 ^2 S% q& a1 B4 n( q
    静电放电(ESD)$ l& G  L/ V: n) ?

    . ?% r7 w2 |( E0 Y9 A# w2 w静电荷是静置时的非平衡电荷。通常情况下,它是由绝缘体表面相互摩擦或分离产生;一个表面获得电子,而另一个表面失去电子。其结果是称为静电荷的不平衡的电气状况。* B" O% {+ P9 g2 J6 d- h
    8 a' [/ q2 R# h) x
    当静电荷从一个表面移到另一个表面时,它便成为静电放电 (ESD),并以微型闪电的形式在两个表面之间移动。
    3 W$ Y+ t4 g" s8 I( R! ]6 k5 {7 R* c1 y; n( [1 Z$ W* ]
    当静电荷移动时,就形成了电流,因此可以损害或破坏栅极氧化层、金属层和结。
    0 b% v4 E! ?# J+ i; r$ ?& G. \0 Y- g+ a. ~" P1 y, b
    JEDEC 通过两种方式测试 ESD:
    6 Z5 B' K3 @& v( T) k1 O- ?% Y7 K2 n' `3 ]& S, P/ a5 f9 N
    1.人体放电模型 (HBM)1 b9 @: Q) j' w' T3 R. r2 v3 c" }. l* t
    ' q$ p/ L, p# [
    一种组件级应力,用于模拟人体通过器件将累积的静电荷释放到地面的行为。
      v# A& L6 ^4 A9 f  O
    : l4 O8 f) ?$ H3 ~3 U3 I
    , ]  y- }1 }' v& v' ?- p: S# h( L4 j* @8 \3 j4 N! u
    2.带电器件模型 (CDM)2 C4 t; D" {  e% V# t! z

    4 a/ o4 R* I5 N! m5 V一种组件级应力,根据 JEDEC JESD22-C101 规范,模拟生产设备和过程中的充电和放电事件。! G" r1 @+ z8 w4 x; {- c) V$ G2 w( L- ^
    7 h& G& C, \6 D5 _! V" J' E8 j/ ^5 K

    1 O) n# |! l8 I5 ~7 \* R' X5 e) ~* ?$ ?9 T) A4 Y! ?7 `& X
    # H! Q9 o' p  f( s
    ! s- S( `- {3 E$ i1 D8 i# R% C

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    发表于 2021-7-16 13:30 | 只看该作者
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    [LV.9]以坛为家II

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    发表于 2021-7-16 14:18 | 只看该作者
    dddddddddddddd& r, D4 Q4 O* [1 p9 B# y8 E6 y9 z8 D
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