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芯片可靠性测试要求及标准解析

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-7-16 09:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 mutougeda 于 2021-7-16 09:57 编辑
    0 W* F, c! B) _; c3 ~4 D) N0 [  r. c, P% D  _4 X
    芯片可靠性测试要求都有哪些?华碧实验室通过本文,将为大家简要解析芯片可靠性测试的要求及标准。* p) `% A! _9 Z6 |! M
    * X( l. J  O3 C3 P0 A2 l
    大多数半导体器件的寿命在正常使用下可超过很多年。但我们不能等到若干年后再研究器件;我们必须增加施加的应力。施加的应力可增强或加快潜在的故障机制,帮助找出根本原因,并帮助 TI 采取措施防止故障模式。6 B5 C" N3 ], z+ l7 m+ ]

    / c& y+ U: x' h在半导体器件中,常见的一些加速因子为温度、湿度、电压和电流。在大多数情况下,加速测试不改变故障的物理特性,但会改变观察时间。加速条件和正常使用条件之间的变化称为“降额”。* C0 a5 x3 `: ^6 f2 O' r
    : \6 w2 l% O) p3 y) y& d) o' ~6 I- C2 e6 R
      z& a8 Y7 w4 U% I
    , O4 V) c# e) o& P6 A, c( s+ O
    高加速测试是基于 JEDEC 的资质认证测试的关键部分。以下测试反映了基于 JEDEC 规范 JEP47 的高加速条件。如果产品通过这些测试,则表示器件能用于大多数使用情况。
    8 h3 i" q& a, ]9 r8 V! x
    7 E. u8 T2 n# v. r8 J + `5 N9 v6 H' j0 G( e7 B. [

    : E9 u; V$ ]2 D温度循环
    , r7 P# K; ^; c" @+ \1 D1 g' C+ F8 X
    & u' C9 c" u( w7 u, @, }) b根据 JED22-A104 标准,温度循环 (TC) 让部件经受极端高温和低温之间的转换。进行该测试时,将部件反复暴露于这些条件下经过预定的循环次数。; H  L. U" J6 C! V4 q1 Y
    . L) B9 o" I: N: i8 M2 w
    高温工作寿命(HTOL)# H$ W8 k" ]4 \8 l( J; c7 m# [) a

    ( `" t% \6 H; t) P  n0 {3 E( _. hHTOL 用于确定高温工作条件下的器件可靠性。该测试通常根据 JESD22-A108 标准长时间进行。
    : G, u" [4 W* }9 a$ c
    3 ]& T% j3 S: y1 \温湿度偏压高加速应力测试(BHAST)
    % v% ]2 k( L( I6 B  s+ x
    . {4 i. l. e0 S3 a" t7 x根据 JESD22-A110 标准,THB 和 BHAST 让器件经受高温高湿条件,同时处于偏压之下,其目标是让器件加速腐蚀。THB 和 BHAST 用途相同,但 BHAST 条件和测试过程让可靠性团队的测试速度比 THB 快得多。
    ) \$ H& f  Y" u, E8 B5 h* f- H8 U7 L( l# r
    热压器/无偏压HAST! H; V2 ]+ M: N) ]; r$ f* `
    5 W2 S5 m. T8 R6 z; G- n
    热压器和无偏压 HAST 用于确定高温高湿条件下的器件可靠性。与 THB 和 BHAST 一样,它用于加速腐蚀。不过,与这些测试不同,不会对部件施加偏压。- T1 z& R: z. P. Y. ?

    & l* Y7 r8 r; K( G) ~1 x5 M5 b* Z% I高温贮存. x. {) F' e& E7 |6 t+ c' J

    ) t% }) p9 F: C, Z9 y5 nHTS(也称为“烘烤”或 HTSL)用于确定器件在高温下的长期可靠性。与 HTOL 不同,器件在测试期间不处于运行条件下。
      u, C) }6 |, {3 T; U
    5 w% Y. K7 w, u  a- K静电放电(ESD)0 y: u0 b% r- n6 i6 s; y% ?* c' q* H* D

    + v' n' K# \) ^; H% s( q静电荷是静置时的非平衡电荷。通常情况下,它是由绝缘体表面相互摩擦或分离产生;一个表面获得电子,而另一个表面失去电子。其结果是称为静电荷的不平衡的电气状况。: ]4 A" N7 Y% c. c

    + J- Z" E2 M7 \. H5 {: {5 ~当静电荷从一个表面移到另一个表面时,它便成为静电放电 (ESD),并以微型闪电的形式在两个表面之间移动。
    ( c/ U: X/ _& ?8 L3 y; n! V) W
    3 ?8 P3 \; c: k7 [当静电荷移动时,就形成了电流,因此可以损害或破坏栅极氧化层、金属层和结。  |. d* J- l8 x' q% D

    # M1 X$ O4 D+ E" \. |; QJEDEC 通过两种方式测试 ESD:
    , q& L* s6 c+ ?& v- N* S& M! A+ B) z! D' @" Q- {
    1.人体放电模型 (HBM)
    9 }% u# G& t6 z2 [
    " @3 a5 l5 S/ M5 V  N) w) B4 M, [, Y一种组件级应力,用于模拟人体通过器件将累积的静电荷释放到地面的行为。) E8 q* P5 ^2 U. U4 Q. Z
    * e# w) ^7 O7 v3 L5 C4 n5 X
    : X5 P& \$ q  u; U+ ]
    & L! I+ o1 S' R1 Z
    2.带电器件模型 (CDM)
    ( {# ]8 \" I5 q$ v9 Y) Z% }7 L. @$ i' `
    / u* X" h0 Y" Z5 c: v3 }0 {一种组件级应力,根据 JEDEC JESD22-C101 规范,模拟生产设备和过程中的充电和放电事件。
    - f' b3 u" `# i$ u0 v, p" \
    7 w( b3 G& Q. K' [9 z
    4 Z. O8 ]; v1 I) T& v" x* W6 {
    / R: S  K- @+ X9 n  d
    $ T7 Q" j# H5 |! c3 l! q
    6 @1 |2 m" ~, @$ E2 D' m* a; E) i

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    发表于 2021-7-16 13:30 | 只看该作者
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    [LV.10]以坛为家III

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    发表于 2021-7-16 14:18 | 只看该作者
    dddddddddddddd& M5 D8 Y. l: Q0 ^* C* M/ w/ O
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