电动工具应用32位MCU系列MM32SPIN160C

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; k" {) w' z' p1 d" K. E% x, C1 I采用高性能为内核为M0的32位微控制器，5V输出的LDO稳压器、三组具备有自举二极管的N通道半桥栅极驱动器。mcu的工作频率最高可达72兆赫兹，内置SRAM高速存储器，丰富的增强型I/O端口和外设连接到外部总线。MM32SPIN160C产品包含1个12位的ADC、1个比较器、1个16位通用定时器、1个32位通用定时器、3个16位基本定时器、1个16位高级定时器。还包含标准的通信接口：1个I2C接口、1个SPI接口和1个UART接口。MM32SPIN160C产品提供QFN32封装形式，该产品适合于三相永磁无刷电机和电动工具等多种应用场合。
MM32SPIN160C特征
•内核与系统
, W+ f) K" V$ `9 b  j: I* f–32位ARM®Cortex®-M0处理器内核
–最高工作频率可达72MHz
4 x! Q2 s% h7 [4 [! g–单指令周期32位硬件乘法器,
3 V6 q' c2 i$ b  g! Z–硬件除法器(32Bit)
–单指令周期32位硬件乘法器
•存储器; [8 t1 B8 @( I6 K* P
: |6 y; Z+ m4 I1 {* z& \–高达32K字节的闪存程序存储器
–高达4K字节的SRAM!
–2.0V~5.5V供电
–上电/断电复位（POR/PDR）、可编程电压监测器
# ^+ t6 x6 D6 q+ V–外部2~24MHz高速晶体振荡器8
–内嵌经出厂调校的48/72MHz高速振荡器
–内嵌40KHz低速振荡器
8 A! d5 s$ }3 d' u" Y7 {•低功耗
' |  m" B' g& S: D7 j- {5 h7 p–睡眠、停机和待机模式
. u% H3 Q7 F" @) M• 5V LDO 稳压器
- F7 p- @- f9 Y" b– 输入电压最高13.5V
( E  S# l2 T* F1 `& x' R• 三组N 型半桥式栅极驱动器(GATE-DRIVER)
– 三相栅极驱动器
* J0 K2 i$ }. c% P– 支持电压UVLO 保护
– 1A/1A SINK/SOURCE 三相栅极驱动电流
• 96 位的芯片唯一ID（UID）
, v4 O$ ~; a4 H6 S0 |9 d7 |• 采用QFN32 封装

* i5 O: m: A  d# JMM32SPIN160C引脚
1 d0 _% s# O1 x  h, n

内置的SRAM
( G8 q! I5 D3 N. s) M" L内置最大可到4K字节的静态SRAM。
它可以以字节(8位)、半字(16位)或字(32位)进行访问。SRAM起始地址为0x20000000。
•数据总线上最大可到2K字节的SRAM。可以被CPU或者DMA用最快的系统时钟且不
. q; i& `3 @/ ~/ a- w6 V插入任何等待进行访问
1 f5 u; h* P) S  l  _8 \7 K$ G% n
闪存主要特性
" R5 ]. S$ @  q/ {+ N& l' \•高达32K字节闪存存储器
3 q  _1 l- _; q闪存接口的特性为：
•带预取缓冲器的数据接口(2×64位)
% I! z  {' `5 s4 x1 d. M9 I•选择字节加载器
•闪存编程/擦除操作
•访问/写保护
•低功耗模式
9 I8 {8 z  H! H" H8 k" I
FLASH读操作
* {% _; r: R, _/ G嵌入式flash模块可以像普遍存储空间一样直接寻址访问。任何对Flash模块内容的读操作都须经过专门的判断过程。
取指令和取数据都是通过AHB总线读取访问，能够按照Flash访问控制寄存器(FLASH_ACR)中得选项所指定的方式执行：
+ i$ ^5 `) e3 F2 o! |•取指：预取值缓冲区使能后可提高CPU运行速度
+ G6 m/ ]! Y9 c1 x5 N8 A' ~. q$ C•潜伏期：等待位的个数，保证正确的读取。

mellifluous

3 k0 n, J+ r& S! R' S  l
嵌入式flash模块可以像普遍存储空间一样直接寻址访问。任何对Flash模块内容的读操作都须经过专门的判断过程