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先进封装及SiP技术助力人工智能芯片

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    2019-11-21 15:51
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-6-24 09:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    InFO(Integrated Fan Out)2 N! V- C. q" ?$ ~# F
    6 r  Y2 K+ n4 q) `8 B7 [
    首先,我们来了解一下InFO(Integrated Fan-Out),集成扇出型封装,说到InFO,我们先要了解一下FOWLP。. ^2 h- m; K  m  F* o; l

    & d- u' n: j8 Z" G2 }0 S晶圆级封装WLP(Wafer Level Package)主要分为Fan-In和Fan-Out两种。传统的WLP封装多采用Fan-In型态,应用于低接脚(Pin)数的 IC。当芯片面积缩小的同时,芯片面积内可容纳的引脚数减少,因此变化衍生出Fan-Out WLP 封装形态,实现在芯片面积范围外充分利用RDL做连接,以此获取更多的引脚数。
    2 P. J& Z) C8 ~( |% z9 @/ }  \" R$ t" {$ e/ Y, H: A) ^+ }
    FOWLP(Fan-Out Wafer Level Package)中文全称为扇出型晶圆级封装,和Fan-In对应,采取在 Die Pad上直接向外拉线出来的方式,成本相对便宜;另外,封装尺寸比较小,比较薄都是其优势。但在大尺寸封装中(例如超过 30mm *30mm),蠕变疲劳和焊接缝的问题比较明显。FOWLP可以让多种不同裸芯片,做成像WLP制程一样埋进去,等于减一层封装,如果放置多层裸芯片,等于省了多层封装,有助于降低封装成本。下图为FOWLP工艺流程简图。
    % V7 B7 r2 a/ V: q: G; a
    $ L# v+ M6 O% I1 B/ w/ ^6 [$ J; X9 {, g5 ]# O
    FOWLP由于无需使用载板材料,因此可节省近30%封装成本,且封装厚度也更加轻薄,有助于提升产品竞争力。- f" Q4 j) {6 \7 V  [  J* r% O3 e5 f

    / U  ^" W( e2 e" [! P, T: `0 qInFO(Integrated Fan-Out)是台积电首先开发出来的先进封装技术,是在FOWLP工艺上的集成,可以理解为多个芯片Fan-Out工艺的集成,而FOWLP则偏重于Fan-Out封装工艺本身。
    ; ~7 {( v) t5 U& v3 h
    3 _! m+ t/ u. |InFO给予了多个芯片集成封装的空间,可用于射频和无线芯片的封装,应用处理器和基带芯片封装,图形处理器和网络等应用的芯片封装。, m) X$ h# V. o* o

    8 U2 O' ~/ ~  L: V; q" F早年,苹果 iPhone 处理器一直是三星来生产。 但台积电却从 苹果A11 开始,接连独拿两代 iPhone 处理器订单,关键之一,就在于台积电全新封装技术 InFO,能让芯片与芯片之间直接链接,减少厚度,腾出宝贵的空间给电池或其它零件使用。, c% w: R  `- Y- \1 D  ]* I$ C' m

    . v3 J" I# T/ V/ V5 F苹果从 iPhone 7 就开始InFO封装,现在继续在用,iPhone 8、iPhone X, 包括以后其它品牌的手机也会开始普遍使用这个技术。  E, M" ]: @- P# L8 X9 _  B; M

    0 X7 Y7 l2 s1 \4 x; ~% ?$ J& \苹果和台积电的加入改变了Fan-Out技术的应用状况,将使市场开始逐渐接受并普遍应用Fan-Out封装(InFO)技术。8 ]; O: `1 C. `+ @; @' h3 ]
    / B. P; Z: q/ ~8 l7 k
    ( U$ p6 w0 S: A4 y0 ~3 K6 T4 m

    8 w) ^. V7 `3 I) L3 z5 v9 A CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate); j; u" p, g: @* j
    / a7 M2 S  Q4 n3 ]* T
    CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)和InFO(Integrated Fan-Out)均是台积电推出的 2.5D封装技术,都可称为晶圆级封装。CoWoS是把芯片封装到硅转接板上,并使用硅转接板上的高密度走线进行互联,然后再安装在基板上。
    2 Z! j/ l7 {3 P$ @0 w
    0 G; E8 j8 B7 WCoWoS封装有硅转接板Silicon Interposer,而InFO则没有。CoWoS针对高端市场,连线数量和封装尺寸都比较大。InFO针对性价比市场,封装尺寸较小,连线数量也比较少。
    5 |; z3 o, R) f( h  q" U
    : V* o7 P. I9 W下图为InFO和CoWoS技术的比较。/ |5 u% L9 j9 `( p+ E

    : J% K% \5 x4 w6 w: [+ x0 G9 M
    # S- l+ E- P/ [6 z/ Q7 M/ A
    $ Y: I2 q5 \* I; l; d* x8 d HBM(High-Bandwidth Memory)  f; @8 q! i& J5 E
      @! l! B8 r: I- z
    HBM(High-Bandwidth Memory )高带宽内存,主要针对显卡市场。HBM使用3DIC技术(主要是TSV技术)把多块内存芯片堆叠在一起,并使用2.5D技术把堆叠内存芯片和GPU在载板上实现互联。
    " Y. K. V3 d0 [; @; j( K+ j
    . S) H4 R1 c- V% X' X1 Q3 IAMD,NVIDIA和海力士主推的HBM标准,AMD首先在其旗舰显卡首先使用HBM标准,显存带宽可达512 GBps,Nvidia也紧追其后,使用HBM标准实现1TBps的显存带宽。
    ( Q# y/ c/ L% |8 _# ]( ^/ b9 [$ @- v9 _+ f5 z& O( w
    $ L$ f+ ?- T) ]& j/ c* b; t# a
    7 }& m8 Q& l2 H5 b" D4 e3 H
    HMC(Hybrid Memory Cube)
    ) _/ ]9 S) c8 U* M. D
    1 g# d7 `% I! m, A& f2 `/ S7 tHMC(Hybrid Memory Cube)标准由美光主推,目标市场是高端服务器市场,尤其是针对多处理器架构。HMC使用堆叠的DRAM芯片实现更大的内存带宽。另外HMC通过3DIC异质集成技术把内存控制器(memory controller)集成到DRAM堆叠封装里。7 \! G' |0 y* \6 x8 A
    6 a7 B* S% Y" v
    以往内存控制器都做在处理器里,所以在高端服务器里,当需要使用大量内存模块时,内存控制器的设计非常复杂。现在把内存控制器集成到内存模块内,则内存控制器的设计就大大地简化了。此外,HMC使用高速串行接口(SerDes)来实现高速接口,适合处理器和内存距离较远的情况。/ V2 O: Q6 ]  P/ @

    9 \) h" F! E* v+ p/ x& V
    - v$ C! Y; |( c8 @" D8 N1 ]0 n# X' h& B" W% k
    Wide-IO / z8 I6 l& z! p  U

    + |5 a1 h; `5 o3 d5 Y' |2 TWide-IO技术由三星主推,目前已经到了第二代,可以实现最多512bit的内存接口位宽,内存接口操作频率最高可达1GHz,总的内存带宽可达68GBps,是最先进的DDR4接口带宽(34GBps)的两倍。
      _  n7 `' k& r7 J" A
    ' O4 m/ u4 p) t' o0 HWide-IO在内存接口操作频率并不高,其主要目标市场是要求低功耗的移动设备。
    / d+ `, B& g) [# j; F- Y
    3 \) k* w7 Y" N6 u- I
    4 [: j8 S) J+ f+ Y# z6 k% r1 J' I, |% D4 `
    SiP(System in Package)
    3 f5 N3 S% g/ N1 n2 z1 p5 \* [4 X4 \: q$ t
    SiP(System In a Package)系统级封装,是将多种功能的芯片,包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内,从而实现一个基本完整的功能。
    8 b# f4 U& d& y' S8 z
    ! O3 _$ w5 Y# L) K% x* rSiP将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件,以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起,实现一定功能的单个标准封装,从而形成一个系统或者子系统。) e. X, w9 v5 X- O

    1 T8 Y2 k( q. Q' r先进封装技术有两大发展方向,一种是晶圆级芯片封装(WLP),在更小的封装面积下容纳更多的引脚数;一种是系统级芯片封装(SiP),该封装整合多种功能芯片于一体,可压缩模块体积,提升芯片系统整体功能性、性能和灵活性。
    + m6 n" f' P6 N( q* c
    , \) X5 F' {- d- h7 G广义来讲,SiP属于先进封装。但通常来说,先进封装更强调工艺实现,InFO,CoWoS,HBM,HMC,Wide-IO都属于先进封装技术,而SiP则更强调系统实现,只要是在一个封装中封装了多颗芯片并实现了系统的功能,则可称之为SiP。所以,SiP的含义更为广泛一些。
      f+ l0 Z9 P; h9 |# @& W3 B1 {# \$ b+ ?6 B
    2 ?3 W, f6 S6 w4 |6 r2 G+ F

    ! }, K& t  `; f: ~ AI(Artificial Intelligence)& b8 d$ w% |4 A  R3 v

    % c  I. V5 P+ R. `% [, g0 ]6 R人工智能(Artificial Intelligence),英文缩写为AI。是研究、开发用于模拟、延伸和扩展人的智能的理论、方法、技术及应用的一门科学技术。其研究领域包括机器人、语言识别、图像识别、语言处理和专家系统等。
    + l: B: V% r1 g& f( j) j+ K3 R1 `! R" c6 z
    人工智能从诞生以来,理论和技术日益成熟,应用领域也不断扩大,可以设想,未来人工智能带来的科技产品,将会是人类智慧的“容器”。人工智能是对人的意识、思维的信息过程的模拟。人工智能虽然不是人的智能,但能像人那样进行“思考”。未来,人工智能也可能超过人的智能。' `0 G, h/ E% U* p5 F) E
    1 V$ ]; F+ n& W# T* J5 }
    ! h/ R1 d; M# u
    目前,包括手机在内的很多电子产品都搭载了人工智能芯片,为用户带来了丰富的AI体验。现在无论是旗舰机还是中高端手机产品,人工智能都成为了产品的重要卖点。) D5 s- \" R0 w! ?7 S5 Q
    . y! x/ G( C% _
    在人工智能芯片中,运算能力和信息传输速率成为关键技术,高性能计算(HPC)将成为AI(人工智能)芯片工艺技术发展的关键平台,而包括CoWoS等在内的先进封装和SiP技术将成为AI芯片的关键封装技术。. r6 w% Z, Z" i$ b5 G. a2 @, p4 K* a

    % V/ V6 |; E: k" L0 g9 _通常,AI架构包括上游云计算,中游边缘计算和下游设备。通过升级IC微缩技术,改变前端的晶体管结构,并在后端加入先进封装技术,可以提升AI芯片的性能。* j' }2 J0 T* g( {6 G9 V$ o  [9 G

    0 ~: ^; w; {4 K3 j' W4 M1 x此外,物联网也在人工智能的发展中起着重要的作用。由于AI芯片要求的高性能,物联网芯片要求低功耗,小型化、低成本,SiP具备的小型化、低功耗、高性能、低成本等特点,必将成为适用于AI芯片和物联网芯片应用的主要封装技术。/ ]: ]) ^& T( n0 H

    6 f! W5 j3 ?7 H4 l9 v
    5 S& O6 ^4 Q% Y7 [! @( U总的来说,AI技术将会在软件、芯片、先进封装及SiP技术的合力助推下,迎接人工智能时代的到来,让我们拭目以待。

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2021-6-24 09:54 | 只看该作者
    厉害了,顶一下

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2021-6-24 10:41 | 只看该作者
    晶圆级封装WLP(Wafer Level Package)主要分为Fan-In和Fan-Out两种。传统的WLP封装多采用Fan-In型态,应用于低接脚(Pin)数的 IC。当芯片面积缩小的同时,芯片面积内可容纳的引脚数减少,因此变化衍生出Fan-Out WLP 封装形态,实现在芯片面积范围外充分利用RDL做连接,以此获取更多的引脚数。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2021-6-24 13:43 | 只看该作者
    苹果和台积电的加入改变了Fan-Out技术的应用状况,将使市场开始逐渐接受并普遍应用Fan-Out封装(InFO)技术。
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