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器件一旦坏了,千万不要敬而远之,而应该如获至宝。
8 y' V) W9 }: i4 v/ N, p开车的人都知道,哪里最能练出驾驶水平?高速公路不行,只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。
. k$ ^. a7 A. m: M0 s. \+ ~- I3 I% H% r( d 0 ]+ K1 Y# o* c/ a) I, U! x
失效分析基本概念6 q1 f/ |1 x4 C! a9 }5 `4 }
定义:对失效电子元器件进行诊断过程。
1 j) I; Q. j* M0 p5 m1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。
3 L4 _# E" C. C1 \2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。7 f" r( W. b. ~. `- D
3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。
1 k$ Q2 y8 v' e+ j5 F4、失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。
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/ |, i8 O8 Z) f失效分析的一般程序
2 e( F! Q: a$ q- H, ?" Q9 i1、收集现场场数据
) V7 I. i5 T: S2、电测并确定失效模式
# J# N) e) [% h4 a1 o6 Z3、非破坏检查
! t( [9 q- Z% E9 y4、打开封装8 V, ?$ k' X) H9 W* f' X& h1 Y" w5 u& j
5、镜验
. k4 o3 J; m% M. u: h3 n6、通电并进行失效定位: k( \5 }/ S, R" Y3 X" C( W
7、对失效部位进行物理、化学分析,确定失效机理。
# b2 ?8 J" @ _- r$ y8、综合分析,确定失效原因,提出纠正措施。! ~2 _$ ?4 k% V# b; a
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1、收集现场数据:
, `; M: u! _7 |& Q9 m9 ?# A' D8 K& v: v4 l. P+ F
2、电测并确定失效模式
- ]! u& {* b# T/ L9 r+ J; P% H电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。
( ?7 ^: J) h+ t9 V' h! t连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。0 Q2 w1 T8 T! l; F+ E9 [/ V
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电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。6 X) B7 x4 I1 v3 k6 ~
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确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路。# ?/ K/ T: b" S/ S- g
5 o; c- J9 b( F0 M6 l* k v
三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。( @; Q) q5 n# w4 M& L
3、非破坏检查# }. v+ P3 `& n5 z; g
X-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。
9 r" Y% I9 S( F6 l# m4 m o8 Q/ U! B# G# A0 C- R$ t
适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout5 U+ W8 N- r3 u. p
优势:工期短,直观易分析) |/ g% l# W0 C" F
劣势:获得信息有限
' J1 B6 K5 p8 b) g* e B局限性:6 {4 y1 P) e4 e, b: v
1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;5 |4 i0 z! T4 }8 v4 j: J. J9 k
2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。* Z2 S3 p/ |/ G, I
7 a( Y6 c. f7 a案例分析:
/ k6 a0 Y/ G: a5 u# a- MX-Ray 探伤----气泡、邦定线2 ~" ~8 @( L! F# U2 h8 e( j
X-Ray 真伪鉴别----空包弹(图中可见,未有晶粒)% N% i# I9 M7 H. o9 d* v3 V9 V
“徒有其表”/ B, l, }, ?! Z t6 l6 x; p
下面这个才是货真价实的. w; H {; D% _9 r% _2 V
X-Ray用于产地分析(下图中同品牌同型号的芯片)
% q5 i0 ]6 H6 ?+ z b( YX-Ray 用于失效分析(PCB探伤、分析)
. f7 F( H$ y0 _& c(下面这个密密麻麻的圆点就是BGA的锡珠。下图我们可以看出,这个芯片实际上是BGA二次封装的)
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4、打开封装; z' Y. V# X* c$ c
开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类,微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。0 L/ L& F& J0 Y. }- v! R* T
5 b/ g& X- Y/ ~% k; D; W5、显微形貌像技术
' Y) ^8 t# b5 B! ]1 E光学显微镜分析技术1 F y6 ~/ ^3 F- h4 L8 N2 `, {3 x
扫描电子显微镜的二次电子像技术( K: N1 J7 C- N+ H5 D9 W
电压效应的失效定位技术
( h o4 T) p6 t: C" ~6、半导体主要失效机理分析! q- k2 C' _* b, A) \7 L# [0 \
电应力(EOD)损伤1 s& k' Q$ F5 V1 U
静电放电(ESD)损伤
0 q2 D" i6 J2 M5 T& @封装失效1 s0 I( D1 T( ~" B( G
引线键合失效: ? \: s6 [/ D3 t
芯片粘接不良
9 Z1 u' o9 j. Q) C+ ?+ X8 i金属半导体接触退化% t- t+ E4 w+ W% U
钠离子沾污失效- r6 b' p8 J6 y# B4 p, F) X# F1 s
氧化层针孔失效 |
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