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1、简介
3 h, N8 J' V2 {4 |随着电子产品的高密度化及电子制造的无铅化,PCB及PCBA产品的技术水平、质量要求也面临严峻的挑战,PCB的设计与生产加工及组装过程中需要更严格的工艺与原材料的控制。目前由于尚处于技术和工艺的转型期,客户对PCB制程及组装的认识尚有较大差异,于是类似漏电、开路(线路、孔)、焊接不良、爆板分层之类的失效常常发生,常引起供应商与用户间的质量责任纠纷,为此导致了严重的经济损失。通过对PCB及PCBA的失效现象进行失效分析,通过一系列分析验证,找出失效原因,挖掘失效机理,对提高产品质量,改进生产工艺,仲裁失效事故有重要意义。4 B- `. I0 U. x' e( p. o& l
- J+ p9 |: R3 J6 Q7 G0 }8 X( M4 j% S5 M. T/ o4 t( f2 X, i( S( i5 W) [
2、服务对象& {" k; b% [0 W* P
印制板及其组件(PCB&PCBA)是电子产品的核心部件, PCB&PCBA可靠性直接决定了电子产品的可靠性。为了保证和提高电子产品的质量和可靠性,对失效进行全面的理化分析,确认失效的内在机理,从而有针对性地提出改善措施。 6 l' ?# E3 b& K+ o3 o
8 v1 `- c$ K0 ?" g% n/ l) W% `, n
' n7 m$ O% n% {! I+ w" T1 Q
3、失效分析意义+ B# L* T k; U! S
1. 帮助生产商了解产品质量状况,对工艺现状分析及评价,优化改进产品研发方案及生产工艺;
* B9 P2 ]) j; z" X y# Z2. 查明电子组装中失效根本原因,提供有效的电子组装现场工艺改进方案,降低生产成本;" N5 ]2 Z6 z" T
3. 提高产品合格率及使用可靠性,降低维护成本,提升企业品牌竞争力;
9 i! F0 H! a. U$ g4. 明确引起产品失效的责任方,为司法仲裁提供依据。# }3 e% v+ m4 L# U( J5 \7 |; u
) ?0 d( t1 \1 p, O* [, G
& g5 z' r* {. V2 C8 h分析过的PCB/PCBA种类:
$ J7 Y6 j# E( T刚性印制板、挠性印制板、刚挠结合板、金属基板
0 [/ u" d, w; B; a# A2 E6 y0 ~% j" G通讯类PCBA、照明类PCBA; V. ]3 C4 j( ~4 q. G0 m# v2 ^0 t
; q/ d9 D! u7 C0 c" i7 j# o3 F0 y
4、主要针对失效模式(但不限于)
: x( V! j% P9 R x" W, E& ~" }爆板/分层/起泡/表面污染8 a' J; Z8 Z) b; v- H! {* e8 G/ x
开路、短路
. |/ _+ z' ^% s7 M; R3 A8 Q焊接不良:焊盘上锡不良、引脚上锡不良7 U9 r) r8 i1 x4 }3 ?
腐蚀迁移:电化学迁移、CAF
' n: U) i7 w" y; Q6 _. |
+ W# \3 A7 |% h; I
3 H) l) j* N' n5、常用失效分析技术手段
0 k/ f) p; S4 A6 i* ]7 V- V0 }成分分析:
! V* t; u- N& K) h显微红外分析(Micro-FTIR)
* f9 ~) }" O& W! v8 k6 Q& p; k扫描电子显微镜及能谱分析(SEM/EDS)
; {3 \" Y" Q6 v俄歇电子能谱(AES)& C5 p) [1 X3 {0 s
飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)
* |+ n# ^. w6 M7 l热分析技术:8 X! k+ _' r/ k6 }% ]% s$ y/ \; _
差示扫描量热法(DSC)
! _$ P# f/ P1 W. [/ F7 X热机械分析(TMA)
$ N) n' H* C+ ]7 f8 t, ~0 f% f热重分析(TGA)# @& I9 [' x% G; X
动态热机械分析(DMA)
) ^5 j1 Y. G6 V+ Z导热系数(稳态热流法、激光闪射法), u C5 u% \9 m( z( v6 C
离子清洁度测试:
$ Z7 W. E3 x9 ? WNaCl当量法
: U4 x" n( j9 k7 o+ \1 T1 b阴阳离子浓度测试
$ H; h5 o: e* V0 g) X应力应变测量与分析:
& S& n! i& d2 y7 ?3 o热变形测试(激光法)4 p; Q; z, D. u3 G' s
应力应变片(物理粘贴法)
7 A& M1 J4 m6 J- D+ o$ e" r破坏性检测:! v& N7 m2 S P( @# R; ?5 K4 j
金相分析
9 Z% y" K! y" ?1 h& W! ], M染色及渗透检测7 T2 ?, j9 ~' s1 m. ]
聚焦离子束分析(FIB)
& B; ~6 n b* Y8 F8 A% K1 Q离子研磨(CP)
! ^, l2 b/ o) K无损分析技术:
* C. D1 `* U7 N5 s1 G) J- P; ZX射线无损分析
, _0 U0 d% ]& R4 k电性能测试与分析6 F y8 z* X* f2 a
扫描声学显微镜(C-SAM)+ D# ~9 t( p0 N3 q: F
热点侦测与定位 D" Q2 ^+ Y, O$ e) I7 K7 F8 H9 C# n
失效复现/验证* k" J/ o1 V+ H, n; N
' { n7 |9 |/ ^% R0 z2 p6 ^/ t
" F+ |# t7 L$ B+ i+ c5 Y |
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