阻抗计算时的H和H1的值是多少啊?怎么来的?

wxlcoco1984

请教高手,在用CITS25计算阻抗的时候,表层线有一个H值,内层走线有一个H和H1值,请问这两个值分别填多少啊?这些值是怎么得来的呢,谢谢

flyingc381

叠层设置……

wxlcoco1984

叠层设置是这样的TOP/GND02/INNER03/POWER04/GND05/INNER06/POWER07/BOTTOM,顺便问一下上面的叠层设置如果改为TOP/GND02/INNER03/POWER04/POWER05/INNER06/GND07/BOTTOM哪种比较好呢

wxlcoco1984

我自己计算的结果如下,不知道对不对,计算单端阻抗的时候我选H为4MIL,差分计算的时候我选H1=4MIL,H=14MIL,就是走线层绝缘材料的厚度和层压厚度,但是这两个值不知道应该参考哪里来的
8 x8 N* h0 q2 S" m8 ^) [USB：
IMPEDANCE：90 OHM
. F$ k  y% S7 M$ Y8 i2 W9 T7 oL1/L8：6/5.5 MIL   89.06               L3/L6：5.5/8 MIL   90.73
8 o; \- N7 `6 Y1 O+ b: T" B: f, bHDMI：
IMPEDANCE：95 OHM
# [! r0 ~6 t) {9 y8 AL1/L8：5.1/5.5 MIL   94.32               L3/L6：5.1/9 MIL  95.23
1 g1 U- l3 a9 Y2 Q: E; G- s/ aLVDS：
IMPEDANCE：100 OHM
& k: ~* M- A. W, V* S) X& UL1/L8：5.1/7 MIL    99.95         L3/L6：5.1/10 MIL     96.31
! h" M$ i' z% p' U& E
DDR：
  c* ?" |9 N, A$ \1 }' HCLK：
1 k1 n( ]2 d& j! `IMPEDANCE：65 OHM
L1/L8：10.5/5  MIL    67.57         L3/L6：8.5/5 MIL     68.53
/ B' D2 h2 p6 Z3 G$ @4 h6 M; ~
DATA STROBE：
$ [* u# V9 O) T( f! f5 Q# T2 L3 MIMPEDANCE：85 OHM
L1/L8：6.5/5  MIL  84.41         L3/L6：5.5/5.5 MIL     85.62
! E8 U7 M+ D! t& j' p
DATA CONTROL COMMAND：
- t7 L3 j6 F" a* S4 m7 r0 aIMPEDANCE：37 OHM
L1/L8：11.5 MIL  40.68       L3/L6：7.9 MIL     40.15
8 T' P3 R2 U, O4 `  H5 X8 O/ t" C# K# h

wxlcoco1984

最后一个值都是实际计算出来的结果,与要求值比较接近,但是有一个问题,最后一个要求37OHM的阻抗,表层要走11.5MIL的线宽,这样在DDR的颗粒是比较宽的线,如果空间有限,很难做到的啊

wxlcoco1984

所以怀疑计算结果不对

wxlcoco1984

当计算的时候,是不是所有的计算中的H和H1都是固定了的,还是不同层可以填不同的值呢

wxlcoco1984

没人回答,自己顶