TA的每日心情 | 难过 2021-7-6 15:55 |
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磁珠选型时主要关注的参数有:封装:根据实际电路需求确定磁珠的封装形式及尺寸大小。4 f: U! e/ z0 p, N3 I: Z5 y8 y
额定电流:允许通过的最大电流,必须大于实际电路负载最大电流,且应预留一定的余量。
' F+ V8 S8 M' P1 y0 f7 Z: `( x+ j直流阻抗DCR:通直流电时(直流可理解为超超低频),表现出的阻抗值,DCR一般都越小越好,对信号的衰减就越小。) L' U: q- @# l* d5 P+ E
阻抗Z:一般说的阻抗是磁珠在100MHz时表现出的阻抗值,阻抗越大对噪声抑制效果越明显,高频磁珠可能基准频率更高,Z@100MHz(Ω)。
4 B, ]- V- b5 K8 g" y1 T% k& a8 O2 k+ r0 Q( Z" t1 z9 V
/ k6 W: U$ O) y1 V I6 i) m: G1 A2 i) L
磁珠主要用来EMI噪声抑制(吸收尖峰脉冲等) `2 P7 R8 x- `9 n) o3 I7 E/ d
低频时磁珠可以理解为电感,可以与电容构成LC滤波电路- e% K& A" m- n* f0 I' p* F" j s
高频时辞职可以理解为电阻,可以与电容构成RC滤波电路! |( A( W7 U+ |# y
此猪有一个非常重要的特性曲线,频率阻抗曲线,且一般标称@100MHz表现出的阻抗并不是其最大阻抗
+ M/ x- K9 W! K' k+ m一般应用首先需对输入信号的噪声有一个基本的预估,确定一个大概的噪声中心频率点,然后再选取此频点处阻抗最大的磁珠。4 q: u' q- x& @. i' e
7 p4 T& P4 d5 @/ C$ h5 K0 S9 k3 ^* K比如一个系统,输入3.3V,噪声大概300mV左右,输出要求电压跌落不低于3.1V,噪声不超过50mV,负载阻抗50Ω,电流最大300mA,如何选用一个磁珠进行噪声抑制?; ~$ y2 p6 h$ L1 u" Q2 @
额定电流:根据负载电流,磁珠额定电流应大于300mA,并预留余量。1 S3 a! ]& W; x- s! B
DCR:(3.3V-3.1V)/300mA=0.67欧姆,也就说选用的磁珠直流阻抗最大为670mΩ1 P% C4 v! {* ^; F
, M# Z. z/ \3 D3 W, a
+ v9 ?6 P- K/ ~0 y& u阻抗Z:Z/R=U/V,Z=U/V*R=[(300mV-50mV)/50mV]*50Ω=250Ω,即选用磁珠阻抗最小应为250Ω: S7 L) n0 \) G7 |1 ^+ q
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