STM32F1的flash数据存储问题

刘工在线

在有些教程中STM32的flash可以作为EEPORM，但flash有几个存储区域，一般是采用主存储块进行存储吗
- N1 z# v4 o5 ?2 Y如果是采用主存储块作为EEPORM，是否所有主存储快空间都可以作为EEPROM
4 \" Y  o4 X8 q在一些资料中，描述主存储器存储着一些代码和数据常量，如果作为EEPROM不会出现将原本擦除的情况吗。。。。。
先感谢各位大佬
6 f) ~$ v0 L6 s1 u$ A! Y9 d; ^

行者～ABC

从后往前用，除非你的程序很大，否则不会冲突的。

#define FLASHSTART_ADDR         0x08000000                                //128K ���һҳ 1KBÿҳ �ɴ�512��16λ��  ������С��512K��Ʒ
+ P+ F$ }. W& O#define FLASH_BLOCK_USE                1                                                                        //ʹ�õ���1��block
7 g7 q) g% H: i6 h1 m#define STM32_FLASH_SIZE        512                                                                //128K Flash

#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024
#else
1 r, {9 k. P" J2 z6 G5 @#define STM_SECTOR_SIZE        2048
! @2 `+ f% v4 S$ n7 Q3 v#endif      

& I2 U& U$ ^- V9 ?! u9 a- G#define USER_ADDR (FLASHSTART_ADDR+STM32_FLASH_SIZE*1024-FLASH_BLOCK_USE*STM_SECTOR_SIZE)
9 n* B- K0 R8 l" a5 e7 `4 w
. E+ p+ d% j8 K  I+ a+ RUSER_ADDR 就是倒数可用的地址

Heaven_1

你可以用单独的EEPORM，类似24C02

刘工在线

Heaven_1 发表于 2021-5-13 16:51
你可以用单独的EEPORM，类似24C02

( M0 `) `6 v) R, X0 V( M非常感谢，这个主意不错