​低功耗SRAM存储器EMI501NL16LM-55I完美替换IS63WV1288DBLL-10JLI

英尚微电子

ISSI IS63WV1288DBLL-10JLI是一种非常高速且低功耗的128X8位CMOS静态SRAM。该产品使用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可产生更高性能和更低功耗的设备。当CE为高电平（取消选择）时，器件采用待机模式，在这种模式下，利用CMOS输入电平，功耗可降至25 μW（典型值）。IS63WV1288DBLL由单个Vdd电源供电。下面介绍一款可用于替换此款型号的国产EMI SRAM EMI501NL16LM-55I。
) Y7 }: T7 m- l# n
EMI501NL16LM-55I是由EMI制造的先进的完整CMOS工艺技术所制造出来的。支持低数据用于电池备用操作的保持电压低数据保持电流。该型号同时也支持工业温度范围和芯片级封装，可为用户提供系统灵活性设计。EMI代理支持提供样品支持及技术解决方案。
6 }, V1 v; ~' O1 k
特征
●工艺技术：全CMOS
" y! `6 E% z3 N. p% Q4 X  ?●位宽：64Kx 16位
" U7 v, g9 w0 }: \( t, Z" ?●电源电压：2.7V〜3.6V
, R0 b% c# c( A' u- B7 [●低数据保持电压：1.5V（最小值）
* z+ H/ D. k) H. X●三态输出和TTL兼容
( c% H! w' }4 i4 V) n●标准封装44TSOP2,48BGA
●工业操作温度

关于EMI
* a, R! W5 N6 L% NEMI公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场（Niche market）专用芯片/小型SOC芯片及整体解决方案，主要产品涉及千兆/万兆USB网口芯片和SRAM存储芯片以及音视频接口芯片。提供创新、高品质、高性价比、供货持续稳定的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，降低客户研发难度，缩短客户量产时程。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。
) Y. V. h# f% R7 o# S
1Mb(x16).pdf (5.96 MB, 下载次数: 0)

2021-5-12 15:09 上传

点击文件名下载附件
下载积分: 威望 -5

5 i5 F+ d; w( f3 O) [

plug

低功耗SRAM存储器EMI501NL16LM-55I完美替换IS63WV1288DBLL-10JLI，先收藏了。