基础知识：70个常见IC封装术语详解(上）

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1、BGA(ball grid array)
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    球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在 也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 ，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
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- t! G" l# a6 }" I! `    2、BQFP(quad flat package with bumper)

! k8 o2 Y$ u+ |4 P' q    带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
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/ R% \' b2 l9 ~* d  A9 m    3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。

    4、C-(ceramic)
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3 @% L8 x  @8 R! ?; \2 p7 j    表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
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$ M) C! i' n- ?/ S+ m    5、Cerdip
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+ z, ~# M* c; h) W+ Z- k2 N! G8 B2 w    用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。
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3 Q) P4 K* i7 Z, l    6、Cerquad

! m6 X5 k% F7 E0 M) n$ N* E    表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。

$ Z% p2 T" A/ D; [' }1 w2 Y    7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)

    带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
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    8、COB(chip on board)

    板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。

    9、DFP(dual flat package)
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0 x; n5 D, ~! S! I; C    双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。

, d7 [3 e( K6 [9 c" l8 }# T" O$ w    10、DIC(dual in-line ceramic package)
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    陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
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+ G1 j* w1 q$ J    11、DIL(dual in-line)

    DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。

    12、DIP(dual in-line package)

    双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分， 只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。

    13、DSO(dual small out-lint)

    双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
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    14、DICP(dual tape carrier package)
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9 v+ B8 y/ H4 c/ h% j; a- j7 |9 ~    双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利 用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为 定制品。 另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。
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    15、DIP(dual tape carrier package)

    同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
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    16、FP(flat package)

    扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。
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: J, M5 _0 B9 k6 [- E; r    17、flip-chip
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$ [: B; ?! N' ~) L0 ~4 t6 Y    倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积、薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。

    18、FQFP(fine pitch quad flat package)

    小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。

    19、CPAC(globe top pad array carrier)
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; t! ~  Y/ |3 u    美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
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    20、CQFP(quad fiat package with guard ring)

, d6 u! Z* h' O. S% c    带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数多为208 左右。
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/ v# e- B5 Q% ^4 i% h! Z    21、H-(with heat sink)
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; m9 n( H2 o3 N+ _/ J    表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。

    22、pin grid array(suRFace mount type)
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    表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
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9 u( t) Q! Z% I$ _  c& ~    23、JLCC(J-leaded chip carrier)
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2 _" |2 {/ Z; _) V    J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。
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1 s; r7 J% P5 [5 G6 L$ L0 h0 N    24、LCC(Leadless chip carrier)
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8 ~; C3 {4 `3 [1 H8 o    无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN-C(见QFN)。

    25、LGA(land grid array)

% }1 M5 X+ D5 C9 l    触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。

    26、LOC(lead on chip)

/ ?. \+ W9 a4 M    芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
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0 P% y! H% ?4 n6 N. Z% @    27、LQFP(low profile quad flat package)

    薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
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    28、L-QUAD

! [( Q0 A1 @( r" m    陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装， 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。
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7 V2 E' F! M: l3 X  {& x    29、MCM(multi-chip module)

    多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM-L，MCM-C 和MCM-D 三大类。 MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。

2 D/ Q& `: Z" r$ {) q    MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是的，但成本也高。
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# }& t1 G: n$ h/ C; ?  U5 v    30、MFP(mini flat package)

- W+ c5 U0 w% T2 ~7 ]    小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
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quad flat package with bumper

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