在DDRII和DDRIII中 VRAM部分placement方式 利弊简谈～

157390578

LZ太NB了

CarryZ

CAD_SI 发表于 2011-4-25 21:59
% G4 r) @: |( v+ z5 T/ \只要层数够，怎么摆都行

/ S' J) z  f. R# L# i其实只是我的一些经验之谈，当然了～，这个只是基于cost down考虑的，摆法其实仁者见仁，智者见智，一些小建议而已～

pkkong

非常不错的帖子。

cccccc32

谢谢分享！！！！！！！！！！！！

cxt668

谢谢！长见识了！

pkkong

谢谢楼主。

105031079

楼主，四个DDR2六层板，对贴好布线推不推荐，最近我在布，感觉后面很难布了

CarryZ

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我们最近都导入DDR3了，不过也就是pin定义有不同而已，大致走线还是一样的~一般一个DIM走一层，你现在六层版，走四个DIM，没见过这样的设计，想想都觉得很难，因为你只有四个走线层，表层还有原件，只能考虑走内层~~除非，你high给你的电子工程师，可不可以破内层走线,破内层也就是把L2/L5的gnd层挖出来走DDR信号，否则基本走不出来~我这里有块板子也是六层，同层，且只有两个DIM，参考下吧，不过估计参考价值不大，呵呵

' Q% G$ Y* C+ l$ |* y5 \: ~

105031079

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恩，我不是DIM的，是板载四颗

fromnow

105031079 发表于 2011-4-27 09:05
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) }/ ^- m. U% P# o
# v9 j: R5 h9 W1 f3 y! h+ Q恩，我不是DIM的，是板载四颗

不太懂～四颗？而且两两对贴的结构，没遇到过哦！

fromnow

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2 I0 t$ U$ z$ k5 U% ^4 m
' E$ i. M! m/ b6 a% m9 ~贴个图上来，大家参考下啊～

yuzengshu

DDR3是 FLY-BY 怎么地址线是单独的呢

  S% `* p5 v8 n% @5 u+ v5 g1 U

edaxlp

不能正反贴吗 ？

CarryZ

105031079 发表于 2011-4-27 09:05
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" v, g7 R5 F4 w$ H; l恩，我不是DIM的，是板载四颗

' t# ^; p5 T. w8 U3 l% j9 h3 Y: I, x: b哦，板载四颗memory，那种模式为省空间可以正反贴的，应该可以拉出来，等晚上我回去发给你一个截图，现在电脑打不开～呵呵。

pkkong

我发不上图，是可以正反放的。我这里有个项目是4x2,8片。