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在DDRII和DDRIII中 VRAM部分placement方式 利弊简谈~

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1#
发表于 2011-4-22 11:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
      因為 VRAM BGA 的placement的不同,造成 layout 和 tune equal length 的难易度也会不同。在此show 出两种 placement的方式,供大家参考。    一、在DDRII设计中0 f) n, s% r, q6 f' N, A# ^5 O

2 U, a0 D% }9 e* m$ o5 P: n; K8 ~: z1 k
第一种placement 方式:( S1 o3 N. N7 r1 Q, F/ n
      9 E* s% X5 u/ G. d: b* x
     第二种placement 方式
( }1 Z3 w' D+ t+ y8 `     
- x+ ?, R, W( U$ k2 i 总结:以上两种placement方式所佔据的空间大致相同,第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。
3 E! q) z& @$ j; ]4 V8 s        在拉线方面,第一种方式data组内的长度相差不多,但group 与group之间相差很大(这点尤其在DDRIII时表现很突出);第二种方式 group 与group之间 的长度相差不大,但 data组内则相差较多。  `. D* E6 z( K9 n! }
         而address也是各有千秋。因為DDRII的Address pin在小BGA的一端,因此第一种方式address的路径上不会有data挡路;而第二种方式则会必须从小BGA外面绕,但接小BGA的那一段可以直接用表层接,整段trace会小一颗via,少换一次层,且等长较好tune。( T2 C4 v2 A3 C1 ^

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参与人数 8贡献 +26 收起 理由
lixc2008 + 5
heweishuai78 + 2
ymf2529 + 5 辛苦了!
summmmmm + 2 辛苦了
alewe + 2 感谢分享
zyunfei + 4 感谢分享
zlei + 4 辛苦了!
fromnow + 2 LZ辛苦

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2#
 楼主| 发表于 2011-4-22 11:44 | 只看该作者
回复 天使旋律 的帖子8 G+ }0 S4 F. \. h2 [  p

' R% t4 [6 @5 w3 b: z  j1 V  K二、在DDRIII设计中:第一种placement方式:
4 `% \6 m) ^* j/ B$ _
3 R0 \, G  e( x

* }( i! ]% q9 G, Q% }# d第二种placement 方式:
; J' e- I# |! \0 Q) p0 q  j4 |
' X, Y( f' Y. M2 f  Y

& V% r7 a8 y3 ~( ?" v3 l+ ^% Y总结:以上两种placement方式所佔据的空间差别较大,但第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。
( ~3 r) e8 _/ [7 Y# ]- U        这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。
/ P0 Z9 r7 W' h: D         data 方面,它的pin define与DDRII是有区别的,整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右;而第二种方式可以减少这方面的局限。
, R' M" _- O. x0 d0 R; i         addres 方面,第二种方式的优点更加明显,不但比第一种方式少一颗via,少换一次层,且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。
: K# s5 @7 u1 j+ N4 K% d
2 E3 ~/ _; W* _# F! c     如下图:
5 Q: o$ e5 h; Q- H    ' V1 ^! m* p! V# @3 E6 l
按照上图的placement方式,每个小BGA data中的三个group可以走在同一层,另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!  t" g/ V" c4 I; z9 a* k, D
       也许,这对Cost down 来说是一个不小的福音!!!
% y$ H; w8 C, |  T5 z% l7 n3 R        而第一种的placement方式,对拉线和等长都有不小的难度,用四个内层还走得那麼辛苦,
1 V0 \' s4 h+ E- @! R4 V4 u" y如下图; ]5 s( ~% G/ N* a1 @: N1 G( B
2 g( w+ c6 r* J. R/ Y! |

- R" e' C( X) O2 F- i1 M3 c* J0 ?; h4 Z9 q) q

4 Y% ]2 y- u0 X
$ b/ i# a& E0 H9 u% H弦外之音,抛砖引玉:
+ X: E0 \6 \/ P2 n GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap,swap方式如下:
4 b) {% y: s+ P: ^; j* m& w# q/ ]! ]          同一BGA的data group可以换,但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。& [# `: f5 o. @" |) C
          同一group的data net 可以互换。
6 ~" X; V" d; q# @! u4 C
. t( \) ?8 B4 R$ u( E. p

点评

不错  发表于 2012-1-31 11:38

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参与人数 2贡献 +7 收起 理由
fromnow + 2 原创内容
winricky + 5 感谢分享,解释的很棒

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  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-12-19 15:11
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    3#
    发表于 2011-4-22 11:49 | 只看该作者
  • TA的每日心情
    开心
    2024-4-9 15:28
  • 签到天数: 18 天

    [LV.4]偶尔看看III

    4#
    发表于 2011-4-22 13:13 | 只看该作者
    结论呢?

    该用户从未签到

    5#
     楼主| 发表于 2011-4-22 13:26 | 只看该作者
    回复 wzh6328 的帖子
    , {+ F% e1 M/ Y1 J4 [: X3 j& o0 T, V1 z  [
    结论就是,在DDRIII元件的place,推荐第二种placement方式;至于DDRII设计,两种情况都有自己的利弊,看自己的想法了,呵呵~

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2011-4-22 17:52 | 只看该作者
    LZ辛苦,很直观,很强大~

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2011-4-23 15:24 | 只看该作者
    :victory:

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    8#
    发表于 2011-4-23 20:45 | 只看该作者
    LZ辛苦了

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    9#
    发表于 2011-4-23 21:18 | 只看该作者
    lz强大啊

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    10#
    发表于 2011-4-24 11:38 | 只看该作者
    不错

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    11#
    发表于 2011-4-24 11:45 | 只看该作者
    太棒了,最需要的就是这种复杂器件的place经验

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2011-4-24 12:06 | 只看该作者
    不错.很有启发意义.

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    13#
    发表于 2011-4-25 15:49 | 只看该作者
    学习中,感谢楼主分享

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    14#
    发表于 2011-4-25 21:59 | 只看该作者
    只要层数够,怎么摆都行

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    15#
    发表于 2011-4-26 09:20 | 只看该作者
    回复 CAD_SI 的帖子% _( W5 k7 R+ u; a  c" ^/ R
    ; }7 g" S6 f0 E2 r+ n; W
    呵呵,如果这么说,那么如果工厂不考虑亏本,买方不考虑消费,还用我们设计做什么?
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