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在DDRII和DDRIII中 VRAM部分placement方式 利弊简谈~

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1#
发表于 2011-4-22 11:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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      因為 VRAM BGA 的placement的不同,造成 layout 和 tune equal length 的难易度也会不同。在此show 出两种 placement的方式,供大家参考。    一、在DDRII设计中
9 A! C/ n  x( @4 r3 \( s. Y% d8 @* B, a

' l- V' C1 K. F& U/ h第一种placement 方式:
" L: V) S, z/ q7 k7 ^) B      ( R, d! o7 ?: z' u3 G# |
     第二种placement 方式; R" G8 A8 y9 i# R# z" k7 o
     
( X+ m( G* Q7 v: i 总结:以上两种placement方式所佔据的空间大致相同,第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。4 ~# c9 ?8 U0 X
        在拉线方面,第一种方式data组内的长度相差不多,但group 与group之间相差很大(这点尤其在DDRIII时表现很突出);第二种方式 group 与group之间 的长度相差不大,但 data组内则相差较多。- S" G/ y7 x* {5 l5 o
         而address也是各有千秋。因為DDRII的Address pin在小BGA的一端,因此第一种方式address的路径上不会有data挡路;而第二种方式则会必须从小BGA外面绕,但接小BGA的那一段可以直接用表层接,整段trace会小一颗via,少换一次层,且等长较好tune。
* E8 |' a2 r1 ^& m0 W5 M( e+ B

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参与人数 8贡献 +26 收起 理由
lixc2008 + 5
heweishuai78 + 2
ymf2529 + 5 辛苦了!
summmmmm + 2 辛苦了
alewe + 2 感谢分享
zyunfei + 4 感谢分享
zlei + 4 辛苦了!
fromnow + 2 LZ辛苦

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2#
 楼主| 发表于 2011-4-22 11:44 | 只看该作者
回复 天使旋律 的帖子; W( L( c% q9 O" m. F

3 l' J$ ]4 d- j4 {) }二、在DDRIII设计中:第一种placement方式:
7 b" J' G' x' q5 m8 d! t $ Z# q) o4 |- \' R, ^$ A2 J
$ J' o$ s; p! a# x" y
第二种placement 方式:
5 c" u& [0 I, B. E" z) d1 [$ F1 _
4 V) Q; v/ F5 D/ f7 x; _2 T
7 X2 A9 a- {$ q6 D8 X( [
总结:以上两种placement方式所佔据的空间差别较大,但第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。, N! H0 y2 y2 u7 T0 m3 O! R; X
        这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。
1 t0 `8 g% h6 W/ V         data 方面,它的pin define与DDRII是有区别的,整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右;而第二种方式可以减少这方面的局限。2 v9 ?" S* O& b/ Q# J! k
         addres 方面,第二种方式的优点更加明显,不但比第一种方式少一颗via,少换一次层,且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。1 V3 Z" v. p- `+ G" a5 w
- j! ?+ e$ `" p& w) T! M
     如下图:: ]0 _0 E0 f* _/ C% f8 M8 l
   
, |, l' I: o! i. i- P按照上图的placement方式,每个小BGA data中的三个group可以走在同一层,另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!
( q9 c8 S7 q4 e8 h/ W       也许,这对Cost down 来说是一个不小的福音!!!
. |" X7 X/ k$ h& S$ `2 ^        而第一种的placement方式,对拉线和等长都有不小的难度,用四个内层还走得那麼辛苦,% d) _. u# G( r7 U9 H1 i
如下图
8 `0 w, c5 q% a0 t! U) P& u. F% e! F6 t, \- Q  o0 W2 ]2 |

2 j  J  _8 ?5 G" O
/ O! Q/ m; P% S6 J 3 M% S& @% W5 r
6 r# z$ S, G' ?3 }
弦外之音,抛砖引玉:
9 L" _8 B2 a  [2 e4 F+ F( U GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap,swap方式如下:
* S# |, H. n( m          同一BGA的data group可以换,但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。' h) O' W+ d8 p( Y2 I$ {0 n
          同一group的data net 可以互换。7 U; @" f; u) l0 W6 ~; R4 a

$ w; \: A- Z0 s! t# X& s& t1 V3 N

点评

不错  发表于 2012-1-31 11:38

评分

参与人数 2贡献 +7 收起 理由
fromnow + 2 原创内容
winricky + 5 感谢分享,解释的很棒

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  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-12-19 15:11
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    3#
    发表于 2011-4-22 11:49 | 只看该作者
  • TA的每日心情
    开心
    2025-6-11 15:53
  • 签到天数: 19 天

    [LV.4]偶尔看看III

    4#
    发表于 2011-4-22 13:13 | 只看该作者
    结论呢?

    该用户从未签到

    5#
     楼主| 发表于 2011-4-22 13:26 | 只看该作者
    回复 wzh6328 的帖子; {% m3 D. G+ ]. v9 F

    5 m3 V! b1 F- o" @; X$ ]结论就是,在DDRIII元件的place,推荐第二种placement方式;至于DDRII设计,两种情况都有自己的利弊,看自己的想法了,呵呵~

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2011-4-22 17:52 | 只看该作者
    LZ辛苦,很直观,很强大~

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    7#
    发表于 2011-4-23 15:24 | 只看该作者
    :victory:

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    8#
    发表于 2011-4-23 20:45 | 只看该作者
    LZ辛苦了

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    9#
    发表于 2011-4-23 21:18 | 只看该作者
    lz强大啊

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    10#
    发表于 2011-4-24 11:38 | 只看该作者
    不错

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    11#
    发表于 2011-4-24 11:45 | 只看该作者
    太棒了,最需要的就是这种复杂器件的place经验

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    12#
    发表于 2011-4-24 12:06 | 只看该作者
    不错.很有启发意义.

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    13#
    发表于 2011-4-25 15:49 | 只看该作者
    学习中,感谢楼主分享

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    14#
    发表于 2011-4-25 21:59 | 只看该作者
    只要层数够,怎么摆都行

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    15#
    发表于 2011-4-26 09:20 | 只看该作者
    回复 CAD_SI 的帖子' z9 d  M2 {9 N9 ]8 ^! W( Q
      ~# V' |1 ?0 K8 x, ]6 r% e* o
    呵呵,如果这么说,那么如果工厂不考虑亏本,买方不考虑消费,还用我们设计做什么?
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