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3 _* l4 [% I6 o9 e2 E二、在DDRIII设计中:第一种placement方式:& i; n, A) u: F8 R& L8 H
. p# `7 B* {; C5 D7 O! u* S" p8 V
% N4 H5 O+ f+ b) y$ d第二种placement 方式:2 l8 B" N, ]6 P5 O# g& _) m
$ A" m' k3 I0 \& O! t! F1 A4 I7 E
1 B! d" J2 b: T: P4 e2 G总结:以上两种placement方式所佔据的空间差别较大,但第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。
, c& t; M9 W; } r- H7 P( F, U 这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。2 e& P+ I: F2 P( w* G
data 方面,它的pin define与DDRII是有区别的,整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右;而第二种方式可以减少这方面的局限。
8 Y% ~% p$ L; M3 {+ }9 J/ S addres 方面,第二种方式的优点更加明显,不但比第一种方式少一颗via,少换一次层,且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。
1 q- S1 g" l( g* c( d; n8 v$ N+ q$ {6 A- \% J, X* p; i$ \7 U9 S
如下图:
% M2 A9 W* ?) E1 U5 h D6 N
! {* K6 K. L. t
按照上图的placement方式,每个小BGA data中的三个group可以走在同一层,另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!
# e6 z i9 O/ `3 x 也许,这对Cost down 来说是一个不小的福音!!!/ u* ]2 u( V0 {/ D6 x
而第一种的placement方式,对拉线和等长都有不小的难度,用四个内层还走得那麼辛苦,
* \/ d8 J) R, X2 l; k+ M1 q如下图
6 s* `1 g# K4 L. [8 O9 w6 q6 t& E; ^/ d2 n: ^
+ b3 T+ w: J. D9 N, w, S4 R. t) {, l9 A
* T2 b1 w6 O* c
3 B) m+ q; m2 ^+ Z
弦外之音,抛砖引玉:
5 ?. S9 i5 K! H! R, _ GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap,swap方式如下:
- u4 j' M' I/ h$ L" d) D# Z1 Z- _ 同一BGA的data group可以换,但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。
# W& ^8 ]# G7 `0 v 同一group的data net 可以互换。
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