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3 l' J$ ]4 d- j4 {) }二、在DDRIII设计中:第一种placement方式:
7 b" J' G' x' q5 m8 d! t
$ Z# q) o4 |- \' R, ^$ A2 J
$ J' o$ s; p! a# x" y
第二种placement 方式:
5 c" u& [0 I, B. E" z) d1 [$ F1 _
4 V) Q; v/ F5 D/ f7 x; _2 T7 X2 A9 a- {$ q6 D8 X( [
总结:以上两种placement方式所佔据的空间差别较大,但第一种方式在Y轴需要更多的空间;第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间,但它节省了Y轴上的空间。, N! H0 y2 y2 u7 T0 m3 O! R; X
这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。
1 t0 `8 g% h6 W/ V data 方面,它的pin define与DDRII是有区别的,整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右;而第二种方式可以减少这方面的局限。2 v9 ?" S* O& b/ Q# J! k
addres 方面,第二种方式的优点更加明显,不但比第一种方式少一颗via,少换一次层,且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。1 V3 Z" v. p- `+ G" a5 w
- j! ?+ e$ `" p& w) T! M
如下图:: ]0 _0 E0 f* _/ C% f8 M8 l
, |, l' I: o! i. i- P按照上图的placement方式,每个小BGA data中的三个group可以走在同一层,另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!
( q9 c8 S7 q4 e8 h/ W 也许,这对Cost down 来说是一个不小的福音!!!
. |" X7 X/ k$ h& S$ `2 ^ 而第一种的placement方式,对拉线和等长都有不小的难度,用四个内层还走得那麼辛苦,% d) _. u# G( r7 U9 H1 i
如下图
8 `0 w, c5 q% a0 t! U) P& u. F% e! F6 t, \- Q o0 W2 ]2 |
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弦外之音,抛砖引玉:
9 L" _8 B2 a [2 e4 F+ F( U GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap,swap方式如下:
* S# |, H. n( m 同一BGA的data group可以换,但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。' h) O' W+ d8 p( Y2 I$ {0 n
同一group的data net 可以互换。7 U; @" f; u) l0 W6 ~; R4 a
$ w; \: A- Z0 s! t# X& s& t1 V3 N |
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