闪存简介

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闪存是一种非易失性存储器（nonvolatile memory），以块为单位擦除数据并以字节级别重写数据。闪存广泛用于消费类设备，企业系统和工业应用中的存储和数据传输。不管配备闪存的设备是打开还是关闭电源，闪存都会将数据保留很长一段时间。

闪存用于企业数据中心服务器，存储和网络技术以及广泛的消费类设备，包括USB闪存驱动器（也称为记忆棒），SD卡，移动电话，数码相机，平板电脑，笔记本计算机和嵌入式控制器中的PC卡。例如，基于NAND闪存的固态驱动器通常用于加速I/O密集型应用的性能。NOR闪存通过于在PC中保存控制代码，例如基本输入/输出系统（BIOS）

非易失性存储器（nonvolatile memory）：在掉电后信息还能保持，分为二大类武器，即只读存储器ROM和闪存Flash。
易失性存储器（volatile memory）：在掉电后信息或数据就会消失，分为三大类产品：即RAM（Random Access Memory，随机存取记忆体）DRAM（Dynamic Random Access Memory，静态随机存取记忆体）
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4 j0 X* v% D2 P$ S闪存从可擦可编程只读存储器（EPROM）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）演变而来。从技术上讲，闪存是EEPROM的一种变体，但业界保留术语EEPROM表示字节级可擦除存储器，并将术语闪存用于较大的块级可擦除存储器
PROM：Programmable Read Only Memory 可编程只读存储器
8 j: G: K4 T: z5 Y: K4 a6 oEPROM：Erasable Programmable Read Only Memory可擦可编程只读存储器
* C2 W# Z1 |, ]. Q$ _EEPROM：Electrically Erasable Programmable Read Only Memory 电可擦可编程只读存储器

原理

闪存体系结构包括堆叠有大量闪存单元的存储阵列。基本的闪存单元由具有控制栅极和浮置栅极（Floating Gate）的存储器晶体管组成，该浮栅通过薄介电材料或氧化层与晶体管的其余部分绝缘，浮栅存储电荷并控制电流的流动。

电子被添加到浮栅或从浮栅处移除，以改变存储晶体管的阈值电压。而改变电压会影响将单元编译为0还是1。
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一种称为Fowler-Nordheim隧穿的过程将电子从浮栅中去除。Flower-Nordheim隧穿和称为沟道电子注入的现象都会将电子捕获在浮栅中。
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使用Fowler-Nordheim隧道技术，数据会通过控制门上的强负电荷擦除。这迫使电子进入存在强正电荷的通道
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' v5 H4 B) N  Q8 j) q3 n( s在使用Fowler-Nordheim隧道将电子捕获在浮栅中时，情况会相反。电子在高电场的情况下设法通过薄氧化层迁移到浮栅，在单元的源极和漏极上带有强负电荷，而在控制栅上带有强正电荷。
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优点
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闪存是半导体存储器中最便宜的一种。
与动态随机存取存储器（DRAM）和静态RAM（SRAM）不同，闪存是非易失性的，功耗较低，并且可以大块擦除。
NOR闪存可提高随机读取速度，而NAND闪存可通过串行读写实现快速传输。
带有NAND闪存芯片的固态存储设备（Solid State Devices,SSD）提供的性能大大高于传统的磁存储介质（如HDD和磁带）。
闪存驱动器相比HDD消耗的功率更少，产生的热量也更少。
配备闪存驱动器的企业存储系统具有低延迟特点，以毫秒或微秒为单位
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闪存用于企业数据中心服务器，存储和网络技术以及广泛的消费类设备，包括USB闪存驱动器（也称为记忆棒），SD卡，移动电话，数码相机，平板电脑，笔记本计算机和嵌入式控制器中的PC卡。例如，基于NAND闪存的固态驱动器通常用于加速I/O密集型应用的性能。NOR闪存通过于在PC中保存控制代码，例如基本输入/输出系统（BIOS）

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闪存是半导体存储器中最便宜的一种
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