ESD损伤类型及特点

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静电损伤分为突发失效和潜在失效两种类型。突发失效是指元器件受到静电放电损伤后，突然完全或部分丧失其规定的功能。具体表现有：PN 结区被击穿、严重漏电；集成电路的金属化条或键合引线的熔断；电容器介质击穿短路；CMOS 电路和 MOS 功率管因静电触发“闩锁”烧毁等。
　　而潜在失效指静电放电能量较低，或放电回路有限流电阻，仅造成轻微损伤，器件电参数可能仍然合格或略有变化。主要表现为：栅氧化层损伤、栅氧化物愈合或短路、保护电路受损、电荷陷阱、PN 结衰减等。潜在失效同样对器件产生不利影响：a）使用可靠性下降，缩短预期寿命；b）电参数逐渐恶化、抗过电应力能力下降。

ESD防护器件

比较常见的有陶瓷电容、齐纳二极管、聚合物抑制器、MLV（Multi-LayerVaristor，多层变阻器）和TVS（TransientVoltageSuppresser瞬态电压抑制器）。

瞬态抑制二极管（TVS）

TVS通常并联于被保护电路，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。当瞬时脉冲结束以后，TVS二极管自动回复高阻状态，整个回路进入正常电压。由于TVS二极管的结面积较大，使得它具有泄放瞬态大电流的优点，具有理想的保护作用。

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潜在失效的影响也很大