求助5G 射频信号layout问题

ESCAPE

请教一个关于5G射频信号TX/RX走线Layout的问题。两层板板厚1mm，中间介质FR-4厚度36mil，主芯片和主要元器件都在top层，bottom层是较完整的地。射频按50欧姆阻抗走线，线宽12mil包地5mil。
0 L. r% r1 u6 {4 C2 G8 W主芯片的Tx/Rx信号走线接RF Switch，switch开关信号走一段射频微带线末端是天线座子焊盘。现在主芯片控制RF Switch的信号可以走top层或bottom层，该如何考虑?控制信号走TOP层，保证射频通路下方bottom层地平面大且完整。

控制信号走BOTTOM层，保证TOP层完整.

3、以上两种方式的优劣判断应该从哪里着手呢？（地回流、射频信号质量、和快速切换的控制线间的相互干扰吗？）
考虑地回流，5G射频信号是主要从top层回流吗？认为是从射频走线两侧耦合回流对不对呢?
6 M7 ?3 G& c, G; K, [" Q& V还是从bottom层回流呢，沿着射频线正下方的bottom地回流？
' g) V  v+ m2 D8 T% w; E
7 {2 e; T3 H, {! D5 C) q& z' ~即高频信号电磁场是不是像下图中画的那样电流（红色线）从信号线下方走还是从两边走呢？或者我考虑的都不对？

0 e5 d9 E; `" M/ X% S& ]7 q

2 O: ]" r6 l. U5 _$ S7 r! y4、对于这种看不见摸不着的电流很疑惑，如果用仿真看回流 还有 射频信号质量的话，是不是可以用siwave时域仿真？
自己基础知识薄弱，这方面提高的话该如何下手呀？
& Y1 V  E4 R! W8 V真心捉急。
谢谢各位前辈了！！！

ESCAPE

Blah 发表于 2021-3-29 15:18
: j- `6 u3 A$ Y- {# q: s6 r很复杂的

5 E# a/ @, L$ b% w/ B( f再复杂也得学啊                        

messed

帮你顶一下                              

Blah

很复杂的                           

saladrf

没看见图啊。
6 J+ n9 q+ Z$ _! k3 D% X
5 j3 z' |) _' c; h6 k这种厚双面板的情况，射频信号的回流主要靠TOP层的两侧。因为两侧间隙5mil远小于介质厚度36mil。且线宽厚度也小于介质厚度36mil。
0 w5 a" x: `0 d& O# \: w: y有个问题要关注一下，两侧铺铜间隙5mil的腐蚀精度会影响共面波导微带阻抗。+/-1mil会影响较大。当然如果频率不高且布线不长的话，也无所谓。

saladrf

没看懂 “switch开关信号走一段射频微带线末端是天线座子焊盘” 是什么意思。
( p9 W+ E: D3 o. f
$ Q4 q* D: B. `" r4 M正如上面分析，此PCB的共面波导微带线主要是从TOP层回流的。地平面回流占很少部分。
但是，也要“保证射频通路下方bottom层地平面大且完整”，因为这是抗干扰的屏蔽措施，如果其它信号的回流也走到射频通路下方bottom层地平面，回流路径重叠，同样会引起噪声耦合。

saladrf

Switch的干扰是需要控制的。例如在源头端增加RC或C滤波措施，但要保证不影响切换速度。
Switch也要看成是重要的信号，也要完整包地保证回流，不完整的地铜皮末端增加接地过孔。只是Switch不需要控制阻抗。