过电压保护器件的原理及介绍

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# |* [8 Y$ M, z: ~/ d. k0 G, m保护器件虽然种类繁多，从功能上讲可以分为过压保护和过流保护。过压保护器件主要包括TVS瞬态抑制二极管、MOV压敏电阻、GDT陶瓷气体放电管、TSS半导体（固体）放电管。
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1 N5 D( o' _( Y- E3 R. C为大家总结几种常见浪涌抑制过压保护元器件，方便大家选择合适浪涌抑制保护器件：
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❶瞬态抑制二极管（Transient voltage suppressor）
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亦称瞬态电压抑制器，是一种专门用于抑制过电压的器件。其核心部分是具有较大截面积的PN结，该PN结工作在雪崩状态时，具有较强的脉冲吸收能力。
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) X3 ^. \& A3 b; r% Z, l优点：残压低，动作精度高，反应时间快（<1ns），无跟随电流（续流）；
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缺点：耐流能力差，通流容量小，一般只有几百安培。
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2 J% ~  U+ b3 C# q1 u7 {5 O❷陶瓷气体放电管(Gas discharge tube)
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陶瓷气体放电管可以用于数据线、有线电视、交流电源、电话系统等方面进行浪涌保护，一般器件电压范围从75～3600V，耐冲击峰值电流40KA，可承受高达几千焦耳的放电。
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" G+ R& _1 N9 E* j& u& Z" P优点：通流量容量大，绝缘电阻高，漏电流小；
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缺点：残压较高，反应时间慢（≤100ns），动作电压精度较低，有跟随电流（续流）。


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❸压敏电阻（Metal oxside varistor）

该器件在一定温度下，导电性能随电压的增加而急剧增大。它是一种以氧化锌为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻。没有过压时呈高阻值状态，一旦过电压，立即将电压限制到一定值，其阻抗突变为低值。



优点：通流容量大，残压较低，反应时间较快（≤50ns），无跟随电流（续流）；
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: ?1 {  S# K7 I& J6 q缺点：漏电流较大，老化速度相对较快。
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❹TSS （半导体放电管）
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4 q+ m$ C- L5 ^7 K" A亦称固态放电管，是一种具有负阻特性的浪涌保护器件，由于其特殊的PNPN结结构设计，在相同的芯片面积上，TSS 可以做到比同尺寸及电压的 TVS 通流量大几倍，而电容比同规格的 TVS 管小几倍，可以用于一些通信线路的浪涌保护，如 RS485、RS232、CAN 总线等。 TSS 具有较高的性价比，是低速通信线路浪涌防护的理想选择。

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优点：残压极低，反应时间快，可靠性较高；
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0 c$ ?9 K5 V( q4 u缺点：应用范围较窄，不能直接跨接在AC或DC电源线两端。


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各种浪涌抑制器件的共同特点为器件在阈值电压以下都呈现高阻抗，一旦超过阈值电压，则阻抗便急剧下降，都对尖峰电压有一定的抑制作用。但各自都有缺点,因此根据具体的应用场合,一般采用上述器件中的一个或者几个的组合来组建相应的保护电路。
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保护类的器件有很多