100VMOS低压MOS【惠海半导体】MOSFET选型指南-性能好 供货稳定 品质好

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MOS管型号：HG160N10L
MOS管参数：100V 8A
低内阻：110mR（VGS=10V）
' Q8 _: J& m* {, U( o低结电容：201pF
类型：SGT工艺NMOS
8 t4 }" ]: m3 P' i" m低开启电压：1.7V
封装：TO-252

HG160N10L特点：
低损耗
' {7 W/ t6 B8 d; V- ^4 J6 Y3 q高频率 大电流
+ J& v2 W* ?; \! ~# I低开启电压 低内阻 结电容小
低消耗 温升低 转换效率高
过电流达 抗冲击能力强
SGT工艺 开关损耗小

( K5 T  A+ n! a$ G2 v) QHG160N10L可用各种加湿器  RGBW调光控制器、马达驱动电机，水磊控制器、于汽车大灯驱动电源，节日灯、圣诞灯、电动牙刷、锂电池保护板、数码产品、马达驱动电机，LED电源，LED电动车大灯驱动电源、LED汽车大灯电源，LED景观灯电源、LED舞台灯电源。

5 F. X8 O3 A) K- h  v1 r2 v5 d: y

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可免费申请样品和DEMO测试，免费技术支持，庞工：15323519289 （微信同号）企业qq/QQ:3007461762