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中国做不出高端芯片(7nm,5nm),具体卡在了哪一步?

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发表于 2021-3-4 13:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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主要卡脖子的是生产设备和原材料
9 M) n* r1 t: N/ ~: \) x3 |/ [: W6 C! d. O生产设备这边主要是光刻机,其次离子注入机等等,原材料这边主要是光刻胶,其次还有各种其他的材料。) W9 S, D: z3 s- }8 X7 O8 S
生产工艺这边,ICRD等都有研究以及部分专利。" F, R2 R3 `! g. I7 ?8 g  F$ @) x
设计这边海思几乎有全套的自研架构,包括gpu。
; r7 y% F) K" j' n( XEDA这边海思据说有自研的工具。
  c% p" {5 u0 V$ P- h% K9 k! N+ M' J( a& h
现在的问题是,ssa800只要不翻车,smee就是世界第二的光刻机制造商,可以反超尼康佳能。
* J' S9 W- ~- ~  m+ d而各种其他设备进展未知。
# w. V: _# H1 a# h
6 r5 `" j) B, H7 L4 t9 Q9 @芯片生产分成两步,第一步是去美,第二部才是纯国产。去美主要是做出amat lam等设备和材料的替代,欧洲日韩供应商仍然可以供应。纯国产是第二步。# k6 K# u! {8 p* P6 n  V* i1 H7 x
现阶段能立刻拉出来的去美或者纯国产,是在13 0nm以上。45nm有望明年实现去美,28nm大概要2022年。$ ^, q. y/ \! i
等到28nm能解决,小海思基本上都能续。等到7nm解决,大海思的生产就不再会完全没法做。
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6 {% a1 r) }5 t2 ~; c$ V+ D
+ [" I$ D6 s/ }: N- w$ d3 b. r4 B ! z% W' W& K' e* P" S  Q8 j* {$ d
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