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关于可控硅设计你需要知道这些!

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发表于 2021-3-1 13:36 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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过去的几个智能开关项目中,频繁使用可控硅作为无触点开关,期间由于个人对可控硅设计认知粗糙的原因,跳入了好几个“坑”,现在对可控硅设计知识要点进行总结:+ F+ U4 j/ P: E0 L- ?8 G% A; K

* s9 a& p/ r7 c  H3 O可控硅类别:  M  O% d$ o( r9 L: G
a. 单向可控硅:门极带阻灵敏型单向可控硅、门极灵敏型单向可控硅、标准型单向可控硅······
2 E- z$ Y- ^; U5 I6 Q) ?4 b: M4 U& X; ^# h2 T9 U! P
b. 双向可控硅:标准型双向可控硅、四象限双向可控硅、洗衣机专用双向可控硅、高结温双向可控硅、瞬态抑制型双向可控硅······: \" m1 i. f, F
1 H1 P, N5 p# C% V
c. 电力电子可控硅:电力电子可控硅模块芯片、电力电子可控硅模块组件
5 V; S# |+ b" i1 c' u
3 j  l& p% a0 }/ O! v6 `可控硅等效结构:  B# o/ d8 w! n. h8 N& o
单向可控硅2 N% F$ S& A/ }7 o
) L) z# t. C* ?3 p, f4 P

# w2 I& q9 [4 T: f
" P% G7 I8 g$ U) ?2 c  C双向可控硅
, ?7 t  T& a8 e" y7 [; F& q
! R4 {4 H  T  v1 p4 ^2 s: o' }
* D! r! S; N3 D5 Y# J" o

/ L. M/ u" h: P7 ^2 H对于一个可控硅,主要看其5个参数:
" Q2 ]) }  ~. Z- g, a额定平均电流、维持电流、控制极触发电压和电流、 正向阻断峰值电压、反向阻断峰值电压3 z" x7 h9 M. u3 k9 P
1 B# Z$ p5 K2 f  }. h8 B& ?
( t8 f0 p# V, {" c& w& p6 D6 p
( s" {! |0 g# z
经验教训1:该电路能否将灯点亮?- r* G# ~7 B  Z2 _0 ^: N) M% K) P
' Z1 a- O2 I8 o( p' J
9 x! u9 s8 `0 ]8 K6 A% i

' s/ x% H0 }4 ], W0 }; ~/ S. D2 E解析:不能,由于控制可控硅关断的1,3引脚没有通路,无触发电流5 Q# r- y0 Z% y7 R- j

& V6 \: ^* n  ?/ L2 l经验教训2:该电路负载通断不受moc3021控制?
  ~' N8 Q3 ]: t/ s: K$ G3 {( ~6 }8 A' W# u7 o- z& g5 ^0 X

# y( y; S6 B, i/ r4 R! ~4 A5 ]( E% L) v) X
解析:不受控制,对于交流电,可以不经过MOC3021而直接流过可控硅的1,3引脚使其处于控制极导通状态
8 K7 L! N# |8 K0 D9 d理解可控硅的“象限”——7 G5 g. e  D) Z! G5 v% Z

& `4 [* e9 L2 D8 Z: S9 p1、为何需要有“象限”这个概念?“象限”通用命名法?(个人认为:对于象限概念的提出,是为了更好地描述、理解可控硅的特性,就如同笛卡尔引入直角坐标系是为了更好地描述二维数据)1 b2 W- b: a5 [- l

$ H8 S9 Q7 K/ g) P' _2、如何区分不同象限可控硅?
% [1 |# {# B5 Z  K9 T. @
# z: L8 X3 R8 Z. K+ P7 s1 T第一象限:MT2+    Igt+
& ~, y$ L* a# x* N第二象限:MT2+    Igt-
& ]! s4 X. `7 g7 c9 H第三象限:MT2 -    Igt-& l1 P+ Z3 n) h6 N& v( `8 x% C( o  r
第四象限:MT2 -    Igt+* B, w7 j6 o! ?: I

& V/ c# _' h8 R! |
' c7 H" J" |" u6 k5 s$ w% y
3 I$ H4 u7 k) [9 w+ d" z# v9 `
可控硅从导通到底关断的条件?
& H4 w7 ^; L% f. R
  F, C8 ~5 d; q( k1、单独撤去控制极电压;4 e5 R/ w) ^: o+ C
( w- ~+ _0 c8 C6 W* k' B! A
2、MT1,MT2电流小于导通维持电流。
+ B7 W( Q9 U8 [8 v
/ Y1 \, Q6 Y" |3 h7 E+ K注意:可控硅MT1、MT2流过的电流小于导通维持电流时,可控硅关断,但是单独撤去可控硅控制极电压时,需等到第2个条件满足时才会关断/ ]. |: M6 t% C7 W2 T! h+ v, ~. [" E, i; X
) L( G5 B2 F+ r8 I- f1 H1 R
一个改进型的可控硅例子, q7 l7 d' q& B1 M# }& ?* j

; Y$ p- Z- B# O. q' F& |% |

' [: s; }6 q3 K0 n9 j$ t) W
3 J/ z, u+ ?; I, V可控硅设计十条黄金规则
" U% J/ T$ _* D7 ~$ j! b1.为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑;
: F6 X" y5 s) X0 N2 f
1 x( |( W; ~9 a4 v: k2.要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须) J6 q" f. \7 Q2 l2 q

  O* ]4 M/ e) E& |% ?4 i* x( e3. 设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+);7 I, a/ @  X; `7 B+ P& f

& z* T* B( n- H% }% d4. 为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1(或阴极),若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H 系列低灵敏度双向可控硅;* j/ ?5 m" x! u4 e, ?" J3 u& V

; H) Z! Q. w/ \  s. z$ N; a4 p5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题,在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题,加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com 双向可控硅;4 g. E9 t% }: l% I
8 k2 _4 E/ C6 x( |% R2 K
6. 假如双向可控硅的VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一:负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感,以限制dIT/dt;用MOV 跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路;
7 u9 v. [, W& l, g6 c4 l4 a
0 Q2 R: F  q& Z* h( Q" r$ C2 D7. 选用好的门极触发电路,避开3+象限工况,可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力;' i8 \8 j' W3 p0 H5 {' m) z8 d- P
2 h8 v( ?2 Z) F# S' `& ]6 d2 H% d
8. 若双向可控硅的dIT/dt 有可能被超出,负载上最好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通;
5 r$ a$ h+ _$ Q* a
" p) R% _" ?3 R: Y/ D1 a4 J* k9. 器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。;
8 {7 g& X% D. N8 }
, f1 I% ]7 V" |) a10.为了长期可靠工作,应保证Rth j-a 足够低,维持Tj 不高于Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。
0 T7 Y+ A* N0 }: a# L( o/ T/ L6 D7 b
9 F- r% C3 b4 H, l1 V1 F& o

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发表于 2021-3-1 14:12 | 只看该作者
高频旁路电容和门极间串接电阻
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