制造IC的基础原料：晶圆切割液配方整理

fordies1

晶圆是制造IC的基础原料。硅晶圆的加式过程往往需要基于纯度达到99．999％的纯硅材料，这些纯硅需要被制成硅晶棒，经过照相制版、研磨、抛光、切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片的、薄薄的硅晶圆。

基于硅晶圆可以加工制作成各种电路元件，生产有特定电性功能的集成电路产品。

1 \# P7 J& V# g/ A- u3 R晶圆划片是整个芯片制造工艺流程中的一道必不可少的工序。

1 x$ d$ H/ v8 f  _- t' e# [晶圆划片过程中，由于强机械力的作用，晶圆边沿容易出现微裂、崩边和应力集中点，晶圆表面也容易存在应力分布不均和损伤的情况，这些缺陷是造成晶圆制造中产生大量滑移线、外延层错、滑移位错、微缺陷等二次缺陷以及晶圆、芯片易破裂的重要因素。
; f  c5 f. g8 Q0 S2 p
线切割工艺中，克服线锯的晃动、提高其稳定性，对降低硅片表面损伤（尤其是是表面较粗糙的缺陷）具有重要作用，选择性能优良的线切割液是减小或避免这些问题的重要途径。
' _+ w+ s! q/ h: ^7 }
切割液具有一些特点：
0 ~8 |1 |+ i) F; O# ~8 ?
它会对加工工艺指标影响比较大，主要是加工精度、效率和表面的粗糙程度。

, W: A. K, Y2 S它可减少硅晶圆切割设备发生锈蚀的问题。

9 o8 s% g  _- e1 Z& R4 `( \1 _它有良好的低泡沫性能。
2 |  m( @8 C  ]- }! ?2 }: m  W/ v
由于切割液能降低晶圆表面操作和机械应力，它有利于晶圆加工后续工序的进行。
* [% ~0 u  a6 M* b" x/ ]6 b
切割液有优异的润滑性能和导热性能，可以降低脆性崩裂和划伤，提高硅晶圆的成品率。

- R: \! b; G3 ~  R7 x它能减少表面碎屑和表面金属层残留。
1 P. S5 J( R3 e% e0 N7 S( H; B
5 W  ]; \0 s8 n7 K9 X: O+ L" v2 N某公司开发的一款晶圆切割液，它的润滑性和切割效率高，减少了脆性崩裂、划痕、隐裂等问题，能提高硅晶圆的切割效率和成品率。

工艺细节要求：

& E! u9 {" L; ?" {使用软水配制工作液；
9 r* x' x8 A2 l9 j: f3 ~7 O
水稀释15～25倍使用；
! t! a, a2 m* w5 d6 d; w
+ Z6 @+ p% S8 f% M: U% ]. D长时间使用的话，切割液的耗损量达到切割液总量的1／3~1／2时，要及时补加原液或适当浓度的新工作液；
- _% ?0 N. X- b9 |% X3 U/ g
参考配方：

( m, _) c: Q! \( j5 T70公斤去离子水+20公斤聚醚（表面活性剂）+5公斤聚乙二醇（表面活性剂）+3公斤炔醇（润湿渗透剂）+0.2公斤封端聚醚（消泡剂）
8 R+ D  x! N9 e; B8 D8 X& x3 |% W9 D
75公斤去离子水+15公斤脂肪醇聚氧乙烯醚（表面活性剂）+5公斤聚丙二醇（表面活性剂）+5公斤炔醇聚氧乙烯醚（润湿渗透剂）+0.2公斤封端聚醚（消泡剂）

reasonant-j

可减少硅晶圆切割设备发生锈蚀的问题