快速找到失效元件指南

reasonant-j

! x& A2 i  v) _/ u电子元器件在使用过程中，常常会出现失效和故障，影响设备的正常工作。文本分析了常见元器件的失效原因和常见故障。

2 o" j8 x' }( ^9 S$ H电子设备中绝大部分故障最终都是由于电子元器件故障引起的。如果熟悉了元器件的故障类型，有时直接就可以迅速找出故障元件，有时只需通过简单的电阻或电压测量即可找出故障。
电阻器类
电阻器类元件包括电阻元件和可变电阻元件，固定阻值电阻通常称为电阻器，可变阻值电阻通常称为电位器。电阻器类元件在电子设备中使用的数量很大，并且是一种消耗功率的元件，由于电阻器失效导致电子设备故障的比率比较高，据统计约占15%。电阻器失效的模式和原因与产品的结构、工艺特点和使用条件等有密切关系。电阻器的失效可分为两大类：致命失效和参数漂移失效。根据统计，致命失效是电阻器失效的主因，佔总故障85%~90%。其中包括断路、机械损伤、接触损坏、短路、绝缘和击穿等原因，只有10%左右是由阻值漂移导致失效。

电阻器电位器失效的机理视类型不同而不同。非线形电阻和电位器主要的失效模式为开路、阻值漂移、引线机械损伤和接触损坏；线形电阻和电位器主要的失效模式为开路、引线机械损伤和接触损坏。电阻器的四种主要类型和相应的常见损坏模式如下：
5 J+ b* _2 U* `( B/ w
（1）碳膜电阻器
9 x0 A8 R: B  W; P3 ]) g" g8 y, q+ s
& [) X; ^+ a! X+ y* a引线断裂、基体缺陷、膜层均匀性差、膜层刻槽缺陷、膜材料与引线端接触不良和膜与基体污染等。
8 k; K0 m8 _% o5 i- j
" J4 `* K! N- \- n9 A/ v（2）金属膜电阻器

* l6 s/ O  Y2 H( h电阻膜不均匀、电阻膜破裂、引线不牢、电阻膜分解、银迁移、电阻膜氧化物还原、静电荷作用、引线断裂和电晕放电等。
0 E, Q- ?* \) t4 x0 U
/ y7 U6 p% D% e+ [（3）线绕电阻器

接触不良、电流腐蚀、引线不牢、线材绝缘不好和焊点熔解等。

( {, D: y) k: Q" {9 D4 @. h* Y（4）可变电阻器

/ b- H7 |) x' {# d接触不良、焊接不良、接触簧片破裂或引线脱落、杂质污染、环氧胶不好和轴倾斜等。

电阻器容易产生变质和开路故障，变质后阻值往往会向变大的方向漂移。电阻器一般不进行修理，而是直接更换。对于线绕电阻，当电阻丝烧断时，某些情况下可将烧断处重新焊接后使用。

电阻器变质多是由于散热不良、过分潮湿或制造时产生缺陷等原因造成的，而烧坏则是因电路不正常如短路和过载等原因所引起。电阻烧坏通常源于两种情况，一种是电流过大使电阻发热引起电阻烧坏。此时电阻表面可见焦糊状，很容易发现。另一种情况是由于瞬间高压加到电阻上引起电阻开路或阻值变大。这种情况下，电阻表面一般没有明显改变，在高压电路中经常可发现存在这种故障现象的电阻。
3 D8 [; b3 L8 \$ p, s
# @. |0 B( M* q; }' v$ B' g7 i2 i: x可变电阻器或电位器主要有线绕和非线绕两种。它们共同的失效模式有：参数漂移、开路、短路、接触不良、动噪声大和机械损伤等。从实际数据來看，实验室试验与现场使用之间主要的失效模式差异较大。实验室故障以参数漂移居多，而现场使用中则以接触不良、开路居多。
. g5 U0 S. L5 M" Z
电位器接触不良的故障，在现场使用中普遍存在。此类故障在电信设备中达90%，在电视机中约占87%，故接触不良对电位器而言是致命的。造成接触不良的主要原因如下：

（1）接触压力太小、簧片应力松弛、滑动接点偏离轨道或导电层、机械装配不当或過大的机械负荷（如碰撞、跌落等）导致接触簧片变形等。

（2）导电层、接触轨道氧化或污染，引致接触处形成各种不导电的膜层。
$ d* t! C" k: |# S/ x5 D2 l; [
5 H) ^  w9 E6 P0 z4 X$ T! j（3）导电层或电阻合金线磨损或烧毁，造成滑动点接触不良。

电位器开路失效主要是由局部过热或机械损伤造成的。例如，电位器的导电层或电阻合金线氧化、腐蚀、污染或者工艺不当（如绕线不均匀、导电膜层厚薄不均匀等）引起过大负荷，产生局部过热，使电位器烧坏而开路；滑动触点表面不光滑，接触压力又过大，将使绕线严重磨损而断开，导致开路；电位器选择与使用不当，或电子设备的故障危及电位器，使其处于过负荷或在较大的负荷下工作。这些都将加速电位器的损伤。
% e/ p" ?7 C& |- x7 \7 M
3 u: i) |. C/ z# T$ E* K; `9 h电容器类
电容器常见的故障现象主要有击穿、开路、电参数退化、电解液泄漏及机械损坏等。导致这些故障的主要原因如下：

9 ^/ m* D% N% U9 }* Y: `. X- B2 W（1）击穿
# @. A7 C5 h* G! J9 ~% q
介质中存在疵点、缺陷、杂质或导电离子；介质材料老化；电介质发生电化学击穿；在高湿度或低气压环境下极间边缘飞弧；在机械应力作用下电介质瞬时短路；金属离子迁移形成导电沟道或边缘飞弧放电；介质材料内部气隙击穿造成介质电击穿；介质在制造过程中发生机械损伤；介质材料分子结构改变以及外加电压高于额定值等。
% O( X: ]+ s- ?  H( L* e
7 W; s' @* _1 D9 f; ?  W（2）开路

击穿引起电极和引线绝缘；电解电容器阳极引出箔被腐蚀断（或机械折断）；引出线与电极接触点形成氧化层而造成低电平开路；引出线与电极接触不良或绝缘；电解电容器阳极引出金属箔因腐蚀而导致开路；工作电解质干涸或冻结；在机械应力作用下电解质和电介质之间瞬时开路等。

  E+ p8 ?: u2 A（3）电参数退化

" \% @. E( h7 [% J6 n. @- s% Y! A潮湿与电介质老化与热分解；电极材料的金属离子迁移；残余应力存在和变化；表面污染；材料的金属化电极的自愈效应；工作电解质挥发和变稠；电极被电解腐蚀或化学腐蚀；引线和电极接触电阻增加；杂质和有害离子的影响。
2 f, B: r) b; v. g8 D
由于实际应用中的电容器是在工作应力和环境应力的综合作用下工作的，因而会产生一种或几种失效模式和失效机理，有時候某单一种失效模式更会导致其他失效模式或失效机理串联发生。例如，温度应力既可以促使表面氧化、加快老化的影响程度和电参数退化，又会促使电场强度下降，使介质击穿更早到来。这些应力的影响程度都是时间的函数。因此，电容器的失效机理与产品的类型、材料的种类、结构的差异、制造工艺及环境条件和工作应力等诸多因素有密切关系。

击穿故障通常非常容易发现，但遇上有多个元件并联的情况，要确定具体的故障元件却较为困难。开路故障可通过将相同型号和容量的电容与被检测电容并联來判定，观察电路功能是否恢复来实现。电容电参数变化的检查却较为麻烦，一般可按照下面方法进行：
7 r, V+ v4 y& J: u# S/ c8 L
首先应将电容器的其中一条引线从电路板上烫下来，以避免周围元件的影响。其次根据电容器的不同情况用不同的方法进行检查。
, A3 l2 w8 L; o8 w
（1）电解电容器的检查。将万用表置于电阻档，量程要视乎被测电解电容的容量及耐压大小而定。测量容量小、耐压高的电解电容，量程应位于R×10kW档；测量容量大、耐压低的电解电容，量程应位于R×1kW档。观察充电电流的大小、放电时间长短（表针退回的速度）及表针最后指示的阻值。
  p3 v2 ^( M& w
电解电容器质量好坏的鉴别方法如下：

; w3 F  I5 a' E6 B（1）充电电流大，表针上升速度快，放电时间长，表针退回速度慢，说明容量足。
! o: g! Z- y* \7 f& J/ e
0 v, O# k  A/ ~（2）充电电流小，表针上升速度慢，放电时间短，表针退回速度快，说明容量小、质量差。

（3）充电电流为零，表针不动，说明电解电容器已经失效。

（4）放电到最后，表针退回到停止时指示的阻值大，说明绝缘性能好，漏电少。
: C: r/ c$ ]2 @! k! l
- }4 e' Z* j$ |  Q9 ^$ q/ ]6 q/ I5 P（5）放电到最后，表针退回到停止时指示的阻值小，说明绝缘性能差，漏电严重。
$ R2 U9 t# F3 E+ _
（2）容量为1mF以上的电容器检查。可用万用表电阻档（R×10kW）同极性多次测量法来检查漏电程度及是否击穿。将万用表的两根表笔与被测电容的两根引线碰一下，观察表针是否有轻微的摆动。对容量大的电容，表针摆动明显；对容量小的电容，表针摆动不明显。紧接着用表笔再次、三次、四次碰电容器的引线（表笔不对调），每碰一次都要观察针是否有轻微的摆动。如从第二次起每碰一次表针都摆动一下，则说明此电容器有漏电。如接连几次碰时表针均不动，则说明电容器是好的。如果第一次相碰时表针就摆到终点，则说明电容器已经被击穿。另外，对于容量为1mF~20mF的电容器，有的数字万用表可以测量。
" J% o( n6 n# t: k+ J) O. A& h
- p& w5 ^) ~3 z1 i# X0 C（3）容量为1mF以下的电容器检查。可以使用数字万用表的电容测量档较为准确地测得电容器的实际数值。若没有带电容测量功能的数字万用表，便只能用欧姆档检查它是否击穿短路。用完好的相同容量电容器与被怀疑的电容器并联，检查它是否开路。
  m- @) N7 {' c/ G8 u2 ~( ?
0 b) f5 ~7 X  `  t& ]! U/ I) l（4）电容器参数的精确测量。单个电容器容量的精确测量可使用LCR电桥，耐压值的测量可采用晶体管特性测试仪。
1 w7 S: N5 z9 c
9 O0 R% r5 Y" r$ v' L4 r# e  N

zmmdmn

充电电流大，表针上升速度快，放电时间长，表针退回速度慢，说明容量足。