100V25A 25N10 N沟道场效应管 打火机MOS管 TO-252开关损耗小低开启电压1.4VHG021N10L

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场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路；某次场效应管的开关速度比较迅速，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应；另外场效应管没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低，还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用，在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。
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惠海半导体MOS管采用SGT工艺，性能优越，品质好，具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。
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. I) ?2 Y. Y8 d) eMOS管型号：HG021N10L-A
参数：100V25A（25N10）
1 X  \/ M/ t2 O; q& c, ?# |内阻：25mR（VGS=10V）
8 S, t5 d# f; d8 B7 y结电容：839pF
类型：SGT工艺NMOS
: T- {8 @: d: _) U8 i开启电压：1.4V
封装：TO-252
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) |! x( u8 @, [- j①12V 24V 36V 42V 48V 60V 72V 80V 85V 90V 95V 100V 105V 110V 120V 150V降压恒压芯片IC
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