TA的每日心情 | 开心 2020-11-14 15:25 |
---|
签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路;某次场效应管的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应;另外场效应管没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用,在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。5 d( [& X( O/ `% N, C/ N1 g$ r' X
9 Q9 k* W% M3 u6 Q9 _) e( J& Q惠海半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。
+ R1 N+ y q1 ^* ?% Y/ V( L【免费提供方案及技术支持,免费提供样品测试~】
1 B4 J! f9 N2 T- J# l- Y( p, [8 b2 A c$ h" b
MOS管型号:HG021N10L-A
" q1 S9 p2 Z4 O. x C: G参数:100V25A(25N10)
; f% f% n7 P% R内阻:25mR(VGS=10V)
, r8 t" x- e; j" Z; i: i6 Q* ?结电容:839pF
4 f. C8 k( [( h6 F ~4 F$ w( W5 x类型:SGT工艺NMOS
0 Z# ~+ B( Y: h' p0 x; M! f; n: O开启电压:1.4V8 W7 @4 l6 H: m* ^: p
封装:TO-252 i5 [; \4 [+ _3 n
3 q! L6 d; }+ {; J# M/ ^3 _
# @6 c- {3 r ^- ]5 I; P |
|