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100V25A 25N10 N沟道场效应管 打火机MOS管 TO-252开关损耗小低开启电压1.4VHG021N10L

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-2-24 10:01 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路;某次场效应管的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应;另外场效应管没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用,在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。5 d( [& X( O/ `% N, C/ N1 g$ r' X

    9 Q9 k* W% M3 u6 Q9 _) e( J& Q惠海半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。
    + R1 N+ y  q1 ^* ?% Y/ V( L【免费提供方案及技术支持,免费提供样品测试~】
    1 B4 J! f9 N2 T- J# l- Y( p, [8 b2 A  c$ h" b
    MOS管型号:HG021N10L-A
    " q1 S9 p2 Z4 O. x  C: G参数:100V25A(25N10)
    ; f% f% n7 P% R内阻:25mR(VGS=10V)
    , r8 t" x- e; j" Z; i: i6 Q* ?结电容:839pF
    4 f. C8 k( [( h6 F  ~4 F$ w( W5 x类型:SGT工艺NMOS
    0 Z# ~+ B( Y: h' p0 x; M! f; n: O开启电压:1.4V8 W7 @4 l6 H: m* ^: p
    封装:TO-252  i5 [; \4 [+ _3 n
    3 q! L6 d; }+ {; J# M/ ^3 _

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    [LV.1]初来乍到

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     楼主| 发表于 2021-2-24 15:55 | 只看该作者
    可免费申请样品和DEMO测试,免费技术支持,庞工:15323519289 (微信同号)企业qq/QQ:3007461762
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    [LV.1]初来乍到

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     楼主| 发表于 2021-2-25 09:51 | 只看该作者
    【东莞市惠海半导体有限公司】
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    该用户从未签到

    5#
    发表于 2021-4-21 19:02 | 只看该作者
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