TA的每日心情 | 奋斗 2020-9-2 15:06 |
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本帖最后由 QqWw11 于 2021-2-1 10:40 编辑
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元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。
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温度导致失效: F" |$ ^1 W0 i. `, q
环境温度是导致元件失效的重要因素。
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温度变化对半导体器件的影响:构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感,当P-N结反向偏置时,由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响,其关系为:( o0 v" Z( c/ K
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式中:ICQ―――温度T0C时的反向漏电流6 L* N% }! i4 G$ t7 @. |
ICQR――温度TR℃时的反向漏电流
; A0 O; u* E: U& ]9 s T-TR――温度变化的绝对值
, k) N' N# G5 V, E( f r4 o4 ^; O U( e0 B. Q0 h
由上式可以看出,温度每升高10℃,ICQ将增加一倍。这将造成晶体管放大器的工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化,动态范围变小。( t% b( I3 z4 E5 t, f
0 h7 A/ M( c. ~( g, c$ S* F- M: Q) E温度与允许功耗的关系如下:- N) x- N$ z9 @7 J
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式中:PCM―――最大允许功耗$ n% X& I1 o9 G1 \% [
TjM―――最高允许结温
4 }# V5 C' R9 x9 s/ c" s T――――使用环境温度6 N" I3 b# ?0 {0 y& A4 T, A
RT―――热阻% y+ D. L5 _. ]: E
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由上式可以看出,温度的升高将使晶体管的最大允许功耗下降。
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由于P-N结的正向压降受温度的影响较大,所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件(TTL、HTL等集成电路)的电压传输特性和抗干扰度也与温度有密切的关系。当温度升高时,P-N结的正向压降减小,其开门和关门电平都将减小,这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的升高而变小;高电平抗干扰电压容限随温度的升高而增大,造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调,甚至热击穿。( q! w6 Q. x: M. H
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温度变化对电阻的影响
$ O9 _$ Z# l3 U" z' ~$ a温度变化对电阻的影响主要是温度升高时,电阻的热噪声增加,阻值偏离标称值,允许耗散概率下降等。比如,RXT系列的碳膜电阻在温度升高到100℃时,允许的耗散概率仅为标称值的20%。! Z: \2 Y3 m, B7 `9 C8 c* E
7 W' L8 B. U/ z8 Z4 W$ i" t但我们也可以利用电阻的这一特性,比如,有经过特殊设计的一类电阻:PTC(正温度系数热敏电阻)和NTC(负温度系数热敏电阻),它们的阻值受温度的影响很大。
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" w% w& _) j+ ^$ i0 C1 `8 r/ z对于PTC,当其温度升高到某一阈值时,其电阻值会急剧增大。利用这一特性,可将其用在电路板的过流保护电路中,当由于某种故障造成通过它的电流增加到其阈值电流后,PTC的温度急剧升高,同时,其电阻值变大,限制通过它的电流,达到对电路的保护。而故障排除后,通过它的电流减小,PTC的温度恢复正常,同时,其电阻值也恢复到其正常值。* `2 A/ i1 E# f; ?, R! D0 F
6 S0 `$ c7 z' [2 v' ?对于NTC,它的特点是其电阻值随温度的升高而减小。7 V6 m$ k" m5 ^! A& N# J& `
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8 X6 m& n" J( ^# E# D) T温度变化对电容的影响6 C& Z1 r! e/ n6 v
温度变化将引起电容的到介质损耗变化,从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时,电容器的寿命就降低50%,同时还引起阻容时间常数变化,甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。
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此外,温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。
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湿度导致失效
/ V, x$ Z2 ?! h2 p$ u4 Z; s$ v湿度过高,当含有酸碱性的灰尘落到电路板上时,将腐蚀元器件的焊点与接线处,造成焊点脱落,接头断裂。! @' A; R' o* p
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湿度过高也是引起漏电耦合的主要原因。
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而湿度过低又容易产生静电,所以环境的湿度应控制在合理的水平。% b" X3 w. ?1 P* @. |, ~
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+ i/ B, e: m, d& j9 m. s过高电压导致器件失效
& n; e2 g2 a3 N! s3 I# K( g施加在元器件上的电压稳定性是保证元器件正常工作的重要条件。过高的电压会增加元器件的热损耗,甚至造成电击穿。对于电容器而言,其失效率正比于电容电压的5次幂。对于集成电路而言,超过其最大允许电压值的电压将造成器件的直接损坏。6 Z) a. |9 V7 `& V
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电压击穿是指电子器件都有能承受的最高耐压值,超过该允许值,器件存在失效风险。主动元件和被动元件失效的表现形式稍有差别,但也都有电压允许上限。晶体管元件都有耐压值,超过耐压值会对元件有损伤,比如超过二极管、电容等,电压超过元件的耐压值会导致它们击穿,如果能量很大会导致热击穿,元件会报废。! Y, _- O! _* ^5 a M" S
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振动、冲击影响
: }4 l( E4 _# X6 o, I6 k: Q* h* f机械振动与冲击会使一些内部有缺陷的元件加速失效,造成灾难性故障,机械振动还会使焊点、压线点发生松动,导致接触不良;若振动导致导线不应有的碰连,会产生一些意象不到的后果。# u+ v" S# g( S2 X" n8 o
4 K2 c, H- o7 m+ a: k- S0 T可能引起的故障模式,及失效分析。" ?/ y" W. g* G( s& k' X9 l
& U, \) F1 L% {电气过应力(Electrical Over Stress,EOS)是一种常见的损害电子器件的方式,是元器件常见的损坏原因,其表现方式是过压或者过流产生大量的热能,使元器件内部温度过高从而损坏元器件(大家常说的烧坏),是由电气系统中的脉冲导致的一种常见的损害电子器件的方式。
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