IC互连中的缺陷检测方法及缺陷对电路可靠性的影响_周文

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IC互连中的缺陷检测方法及缺陷对电路可靠性的影响_周文

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/ H9 N3 X; Z5 Y( D8 T. e摘要
; G) T) y8 {6 T4 I随着科技发展的日新月异，半导体产业半个世纪来按照摩尔定律飞速向前发展，现在整个集成电路技术向着高密度微型化、高可靠性长寿命以及高成品率的目标发展。大规模集成电路(Very Large Scale Integration, VLSI)的制造技术的特征尺寸达到了32nm。硅晶片尺寸从最初的不到1英寸发展到现在的18英寸。特征尺寸的不断减小，在集成电路制造过程中存在微小的缺陷往往会导致产品失效或降低产品工作的可靠性，因此缺陷成为IC(Integrated Circuit)制造中影响成品率的一一个主要障碍。在集成电路制造过程中，如果能够尽早发现缺陷，确定缺陷位置，识别和分析缺陷，将有助于改进工艺，提高成品率。同时提前标记出产品缺陷或剔除失效产品，可以节约IC芯片的生产成本，因此对IC缺陷的研究十分必要。缺陷的研究是集成电路成品率研究中的关键技术，也是IC可制造性研究的核心问题之一。
本文将从IC电路中获取大量的真实缺陷，系统、深入地研究IC缺陷的检测、缺陷的特征提取和分类、缺陷对电路信号完整性的影响以及缺陷对IC中位寿命的影响。


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