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在利用SIwave做频率扫描的问题

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1#
发表于 2011-3-22 15:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在利用siwave做频率扫描的时候,据说Vsoure激励源应该放在实际电流输入端,Vprobe放在芯片电压PIN附近.我个人认为应该相反搁置,理由是:芯片才是电源平面噪声的主要来源,有没人同意我的说法?# k- ^$ Y2 n; a# C+ l

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2#
发表于 2011-3-22 16:15 | 只看该作者
从你的问题看你是用siwave做PI!; T& s9 \4 z/ p4 H* o0 e( N7 R5 ~, Y

; R+ C; H  e" P如果是这样的话.用siwave做PI的话一般从2个方面开始做
5 l0 _' Q5 T2 j0 `' j1.是谐振分析
) B' V8 x% c. m" l; `% a2.是阻抗分析.
+ K! \; S9 q' U( j3 U# @% w8 P9 W( O  }  e6 V
还有你指出的是电源平面一般是信号的噪声源,我们一般从字面上理解没问题.+ E4 h" W) \1 w# U! |3 P
但实际上电源平面除了有自生无法消除的ripple.还有高速数字信号的跳变引起的SSN等., H3 k* O5 K7 V0 |- X- V# F: J
这些都是构成电源平面不完整的主要因素.并且都是由外部因素引起的.
2 j. J0 I$ v# {$ ~+ A* m
3 ^! i3 w/ M: ~: x6 r& t+ `

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3#
发表于 2011-3-23 09:59 | 只看该作者
频率扫描是为了观察该激励源对系统其他部分的耦合,所以激励源应放置在板子上可能是干扰源的地方,Vprobe要放置在你想要观察的地方,也就是干扰源可能干扰到的敏感区域。激励源可以是电压源,也可以是电流源。通常我们使用电流源模拟IC芯片工作,作为一个激励源。
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