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灵动微MM32SPIN160C采用高性能为内核为M0的32位微控制器，5V输出的LDO稳压器、三组具备有自举二极管的N通道半桥栅极驱动器。mcu的工作频率最高可达72兆赫兹，内置SRAM高速存储器，丰富的增强型I/O端口和外设连接到外部总线。MM32SPIN160C产品包含1个12位的ADC、1个比较器、1个16位通用定时器、1个32位通用定时器、3个16位基本定时器、1个16位高级定时器。还包含标准的通信接口：1个I2C接口、1个SPI接口和1个UART接口。MM32SPIN160C产品提供QFN32封装形式，该产品适合于三相永磁无刷电机和电动工具等多种应用场合。灵动微电子代理厂商可提供产品应用解决方案支持.
$ P& w2 ]. C) c- [
% Y8 m+ \% I4 p! [MM32SPIN160C特征( x" g4 l y5 p. ]' B0 w
•内核与系统
; Y$ z1 h3 S3 _3 o$ A- p6 j2 ~3 A–32位ARM®Cortex®-M0处理器内核) b4 a. k! ]( b3 j9 t6 Z
–最高工作频率可达72MHz5 t" Q; U$ F5 n
–单指令周期32位硬件乘法器
5 [+ r- B% S$ u–硬件除法器(32Bit)% U N0 ?$ | R3 E
–单指令周期32位硬件乘法器
; N7 x1 n: m: @•存储器& Q' F3 Q9 I) x6 `
–高达32K字节的闪存程序存储器( N. J* @7 M3 j$ S9 R. }+ }$ e2 n
–高达4K字节的SRAM
2 Q" L e5 o& i# H•时钟、复位和电源管理
! ~" P+ w& b6 A# k# p9 n–2.0V~5.5V供电
, l7 I/ Z* ?- h4 ]( @% G& U–上电/断电复位（POR/PDR）、可编程电压监测器（PVD）
; [. \1 f3 b- t/ |$ e" S–外部2~24MHz高速晶体振荡器+ L1 q/ O6 v6 p# a; I& S$ B
–内嵌经出厂调校的48/72MHz高速振荡器4 l6 v3 ^; S( a* \
–内嵌40KHz低速振荡器
* N) R8 A) e+ h# L•低功耗
5 h7 U) K! H5 V; S: R–睡眠、停机和待机模式
: L) L; a/ O$ z W. V. E; J• 5V LDO 稳压器, `- P$ S! y4 q5 P6 H4 {
– 输入电压最高13.5V
) y C; _2 ?$ X; s" e* z• 三组N 型半桥式栅极驱动器(GATE-DRIVER). h5 o) e+ O& r0 e ]
– 三相栅极驱动器2 F- u9 O2 u$ E7 _/ L( @/ N7 ]
– 支持电压UVLO 保护
* J7 ]" _- z6 v4 D– 1A/1A SINK/SOURCE 三相栅极驱动电流6 L- n/ H2 Y1 p' Z' t' G
• 96 位的芯片唯一ID（UID）
$ B9 {! a- @/ v; E• 采用QFN32 封装' }4 ?1 k' A8 l- d. b
! w( N/ ^6 t5 E' J- fMM32SPIN160C引脚3 h+ ^" |4 E( X+ c$ r* r# q8 F( A
, c/ z9 `+ h6 X! T
( X1 ]$ K0 T. F3 B! x' n3 U9 N) Y4 q: |内置的SRAM
; w& X- t7 P1 w* g内置最大可到4K字节的静态SRAM。
3 E! O& W" i& H/ O. h) } k它可以以字节(8位)、半字(16位)或字(32位)进行访问。SRAM起始地址为0x20000000。
; [$ Q" T7 H0 M& M) T•数据总线上最大可到2K字节的SRAM。可以被CPU或者DMA用最快的系统时钟且不% @+ @; ~$ X( r
插入任何等待进行访问。
7 Y+ v( f5 I, ]7 b 1 m# @2 T& O0 ~' C6 X, W
闪存主要特性
& w/ p- u" i! a: w) i$ q•高达32K字节闪存存储器
# w) W6 I2 u( m: H+ L闪存接口的特性为：- u& }5 | z9 e
•带预取缓冲器的数据接口(2×64位)
9 y3 D6 f' j* Q2 q8 x) D•选择字节加载器
$ v% V+ k. C' @" X6 |' F•闪存编程/擦除操作! t% b3 K7 |) B) d6 o. Y: k
•访问/写保护
; u3 g. b' }" e q•低功耗模式7 e# ], `% w6 j% l2 s9 W9 h+ u
9 i9 V1 k- w* H( B% n( y6 h1 ]( C- r
FLASH读操作
7 V$ M0 N" D' }4 X嵌入式Flash模块可以像普遍存储空间一样直接寻址访问。任何对Flash模块内容的读操作都须经过专门的判断过程。6 m2 j, }' ~! J* k9 V0 a* [$ t+ F
取指令和取数据都是通过AHB总线读取访问，能够按照Flash访问控制寄存器(FLASH_ACR)中得选项所指定的方式执行：
% T4 E1 o2 _5 q- K9 F4 a•取指：预取值缓冲区使能后可提高CPU运行速度
; t1 n# m7 Y/ y; w* F3 M6 q. @" c•潜伏期：等待位的个数，保证正确的读取。
" O6 Z( \5 n& P- P' } B& |2 h( m1 J3 V7 h
Y- v: t9 @3 W5 T6 P规格书下载
- ^, |5 X5 O* V! D3 a
DS_MM32SPIN160C_qa_V1.01_SC.pdf
(2.24 MB, 下载次数: 0)
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发表于 2020-12-31 16:18
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发表于 2020-12-31 18:10