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PCIE GEN3每条Lane的速度为8Gbps,为不影响PCIE接口的性能,在硬件原理及PCB设计需要遵循它特有的设计规则,本文对这方面进行了总结:
( a0 Z, W! k; Q+ U# X硬件连接--Lane上的电容要求
1 W0 O! W2 N: T: n$ R- |PCIE连接到外部连接器应用,在TX Lane上需要增加耦合电容,电容值要求在220nF(Gen3), 100nf(Gen2),封装可选0402或0201,0201要优于0402;, O/ \2 b4 |1 X0 i \0 H- R
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2 d6 ?7 a$ K5 z3 e# K9 l另外一种应用场景为处理器与外设在同一主板上(板载PCIE设备),Tx/Rx Lane上都要求增加耦合电容
& K4 b% z8 Z# S# t 9 N0 D5 V/ X6 @7 e$ \1 O
详细介绍请查阅附件0 w5 l" o# M) s' ~8 r7 p( [+ _- }
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