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  • TA的每日心情
    开心
    2022-5-9 15:00
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    [LV.4]偶尔看看III

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    发表于 2020-12-15 14:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    特征$ H  ^: @% a6 P' }1 q
    ■ 内置软启动:4ms■低的启动电流和工作电流
      p5 a- w/ h8 M2 T) I1 E■ 优化的 H iccup Mode 设计,以提高效率■内置前沿消隐电路. I; l3 f( @; P2 G7 m$ b$ y- \3 g2 o
    和降低待机功耗■欠压锁定保护, 过载保护(OLP)
    , e* Y0 u( q  Q  A+ \■ 正常工作时无音频噪声设计过压保护(OVP)
    ; h# c, w6 F! u- U. [0 @- z■ 固定工作频率:50KHz■保护解除后自动恢复功能
    1 o& l4 l9 v+ i* T) T* O■ 内置斜坡补偿电路
    . j1 ^; N2 @; m概要
    ( k; a! e) x6 p该电路集成了专门的电流模式 PWM 控制压锁定保护(UVLO)、过压保护(OVP)器和高压功率 MOSFET,适用于 25W 以内的及箝位、逐周期电流限制(OCP)、过载高性能、低待机功耗、低成本的离线式反激保护(OLP)和图腾柱输出驱动高箝位等。开关电源中。芯片内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动6 m9 N& [( H- O
    电路具有软启动的功能。为了保证芯片正 技术可容易地获得良好的 EMI 性能。常工作,特针对各种故障设计了一系列完善 电路具有 DIP-8L & SOP-8L 两种封装的具有可恢复功能的保护措施,包括 VDD 欠 可供选择。1 P0 k! r7 ]! D0 c8 p

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2020-12-15 15:22 | 只看该作者
                                           
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