倒装芯片的发展趋势

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目前倒装芯片逐渐成为主流的封装互连技术。传统的FCBGA的发展趋势如下：
& j" ?, t8 M" T8 L: t  [1. 凸点节距：
3 ^- w! O: D# W6 s* n. s5 h2 F, Za. 减小凸点节距能够提高I/O密度；
3 `6 ]# O* ~# {; ob. 节距变化趋势：250um逐渐降低至75um，CP bump节距可以做到更低；
3 @! _% w" M3 M2. 焊锡凸点沉积方法： 蒸镀-->丝网印刷-->电镀；
4 J% d4 A) B( j4 |. k3. bump焊料组分：高铅-->共晶-->无铅（Sn-Ag）-->Cu柱节距<125um；
4 q" Q; b) `# J- h, c7 \4. 封装组成： 陶瓷基板-->高密度互连层压基板-->预浸层压基板-->低热膨胀系数层压基板-->无芯基板；
5. 封装结构： 密封单片盖（SPL）-->非密封单片盖-->加强筋+盖子-->裸芯片-->模塑

$ X: U5 p- ]3 ^9 }+ C    现在由于小节距阵列和无铅化要求，晶圆制造中容易出现高应力的凸点结构以及脆弱的层间电解质层。以上材料的特性在封装过程中容易出现可靠性不稳定的情况，如ILD（电介质层）开裂，UBM分层，凸点开裂，或其他与应力有关的问题。解决此类问题，封装工程师需要向晶圆制造商询问硅叠层及其有关强度的情况。以及在以下方面进行调查;
1. 顶层Cu或Al的厚度；
: w" ^$ E6 R! R/ O' _/ {0 P2. 非ELK覆盖层数；
% P) j9 j. s7 \: i7 \7 ]3. 通孔密度；
7 ?, q3 r* R& C1 b* `4. 硅一侧凸点焊盘开口；
5. 凸点UBM的直径和高度；
) e7 n  R" I; M9 o6 b  F! ~6. 在凸点结构下方添加钝化层，如聚酰亚胺（PI）或PBO；
+ g( o; q2 Y$ N' K7. UBM叠层，如厚度和材料；
8. PCB焊盘尺寸及阻焊层开口（SMO）；
9. UBM/SMO对比；
10. UBM应力；
. t) }8 G0 O* ~) G' ^* u11. 芯片/封装之比；
. Q! f# ^) Y+ B12.底部填充材料；如高Tg
- n; e, _8 E7 A0 L+ d13. 回流温度曲线，如缓慢冷却；
9 x9 j/ ^6 C" k6 L" ^8 Q6 O14. 增加密封盖或其他强度更高的结构单元；
3 `( [. @. o* C( y( _- I1 i15. 基板芯材及厚度；
% ^1 H4 U9 ^, P, g* {16.基板热膨胀系数

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Zmb

密封单片盖（SPL）-->非密封单片盖-->加强筋+盖子-->裸芯片-->模塑