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如何建立IBIS模型和使用IBIS模型

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发表于 2020-11-19 15:12 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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7 R# d- K1 {2 F9 U7 S
  如何建立IBIS模型和使用IBIS模型* e  t) q4 o/ l; ]

1 k/ m# l1 Y6 J& }; N  A, K# W  IBIS模型可以通过仿真器件的SPICE模型来获得,也可以用直接测量的方法来获得。作为最终用户,最常见的方法是到半导体制造厂商的网站上去下载各种元器件的IBIS模型,在使用前要对得到的IBIS模型进行语法检查。+ R  V0 G3 _4 x. V' [$ V6 [0 K7 U

9 n  X8 u: c) H6 `/ x4 R  建立一个元器件的IBIS模型需要以下5个步骤。0 d, O& n. X# T- T: R  W8 R4 G
' y2 ]6 Z- k4 b* w* p
  (1)进行建立模型前的准备工作,包括决定模型的复杂程度;0 \  b, K; A4 d1 C0 t* U& h
  根据模型所要表现的内容和元器件工作的环境,来确定电压和温度范围,以及制程限制等因素;获取元器件相关信息,如电气特性及引脚分布;元器件的应用信息。
7 G4 b+ P& r; [2 W: V, a! L  (2)获得U-I曲线或上升/T降曲线的数据,可以通过直接测量或仿真得到。
/ p' g5 q5 O6 t9 X* B* i" a( y; |  (3)将得到的数据写入IBIS模型。不同的数据在各自相应的关键字后列出,要注意满足IBIS的语法要求。
2 X: A- j+ [! Z0 G; k8 K" T2 _  (4)初步建立了模型后,应当用s2iplt等工具来查看以图形方式表现的U-I曲线,并检查模型的语法是否正确。如果模型是通过仿真得到的,应当分别用IBIS模型和最初的晶体管级模型进行仿真,比较其结果,以检验模型的正确性。4 c* |) g; K' c2 I1 }) `0 C3 {
  (5)得到了实际的元器件后,或者模型是由测量得到的,要对模型的输出波形和测量的波形进行比较。1 g3 S- ]5 y, M5 U1 {
9 R1 {. e( y8 c) `) N# Z3 ~. N, Z
  如何使用使用IBIS模型" F: O& b' Z; T* S! c3 p1 O
( s; n7 W5 N* v0 D6 Y% a
  IBIS模型主要用于板级系统或多板信号的信号完整性分析。可以用IBIS模型分析的信号完整性问题包括:串扰、反射、振铃、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析等。IBIS模型尤其能够对高速信号的振铃和串扰进行准确、精细的仿真,它可用于检测最坏情况的上升时间条件下的信号行为,以及一些用物理测试无法解决的问题。在使用时,用户用PCB的数据库来生成PCB上的连线的传输线模型,然后将IBIS模型赋给PCB上相应的驱动端或接收端,就
; ?( x8 Y) v" L% J  可以进行仿真了。! [# N5 M- x' A) \5 p4 s& [
  虽然IBIS模型有很多的优点,但也存在一些不足。目前,仍有许多厂商缺乏对IBIS模型的支持。而缺乏IBIS模型,IBIS仿真工具就无法工作。虽然IBIS文件可以手工创建或通过SPICE模型来转换,但若无法从厂家得到最小上升时间参数,则任何转换工具都无能为力。* Z; b9 i$ P3 Q+ N+ w, t: S
  另外,IBIS还缺乏对地弹噪声的建模能力。" b8 j' w5 B, n* W4 g
: i: V5 M* D4 ]8 e$ r+ d4 ^9 ]- {
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    2#
    发表于 2020-11-19 15:37 | 只看该作者
    IBIS模型尤其能够对高速信号的振铃和串扰进行准确、精细的仿真,它可用于检测最坏情况的上升时间条件下的信号行为,以及一些用物理测试无法解决的问题
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