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100条使信号完整性问题最小化的通用设计原则
; g* u# F( M7 j! e2 M% v+ N5 ]* z( d8 a7 o, Q: x& }( w8 V
& ?' N* P& o1 v6 V
No.1 网络信号质量问题最小化
: x( p( |/ V& K策略---保持信号在整个路径中感受到的瞬态阻抗不变。
0 a- q- A" ?/ O0 Q8 G% ? e. c2 e设计原则:* `3 ~/ D% M* n# G7 t# M
1. 使用可控之阻抗布线。4 r. }& M5 a3 W, a2 i
2. 理想情况下,所有的信号应使用低电平平面作为参考平面。
- b f: M7 q8 r% t3. 若使用不同的电压平面作为信号的参考平面,则这些平面之间必须是紧耦合。为此,用最薄的介质材料将不同的电压平面隔开,幷使用多个传感量小的去耦合电容。; X# n- H9 @. w ~
4. 使用 2D 场求解工具计算给定特性阻抗的叠层设计规则,其中包括阻焊层和布线厚度的影响。 o4 m* H4 O( ~" ]0 q8 |, ?3 d
5. 在点到点的拓扑结构中,无论单向还是双向,都要使用串联端接策略。# y# A1 b3 A. x: u
6. 在多点总线中要端接总线上的所有节点。
2 i8 c& T: }4 ?$ U9 [+ g7. 保持桩线的时延小于最快信号的上升时间的 20%。 , e! U, V* i2 ]6 M" \
8. 终端电阻应尽可能接近封装焊盘。: `& j5 Y+ [9 D4 _& r! |. i" F! a
9. 如果 10pF 电容的影响不要紧,就不用担心拐点的影响。; S; {) j- o8 l
10.每个信号都必须有返回路径,它位于信号路径的下方,其宽度至少是信号线宽的三倍。
, d2 U; q- t* g* E11. 即使信号路径布线绕道进行,也不要跨越返回路径上的突变处。
5 \8 p7 }8 b# R12. 避免在信号路径中使用电气性能变化的布线。
% s0 j; \8 U) u0 L; V9 a0 C: Z13. 保持非均匀区域尽量短。
. K# l. N3 x/ }% M( o/ F$ L14. 在上升时间小于 1 ns 的系统中,不要使用轴向引脚电阻,应使用 SMT 电阻幷使其回路电感最少。
& w* q! b4 B: W: r( {) Q15. 当上升时间小于 150 ps 时,尽量减小终端 SMT 电阻的回路电感,或者采用集成电阻以及嵌入式电阻。
}; A+ A6 G6 K; ^. o( O3 ~6 e16. 过孔通常呈现容性,减少捕获焊盘和增加反焊盘出砂孔的直径可以减少过孔的影响。
7 M m' U" {5 K: E# @3 K17. 可以考虑给低成本线接头的焊盘添加一个小电容来补偿它的高电感。6 {) n- ^) Z: Q! {1 r5 x1 g. O$ y3 e
18. 在布线时,使所有差分对的差分阻抗为一常量。+ v2 z1 E, i: C; g6 n, S
19. 在差分对中尽量避免不对称性,所有布线都应该如此。
7 S& M1 b/ D: h0 K. f! {20. 如果差分对中的线距发生改变,也应该调整线宽来保持差分阻抗不变。
/ B& n1 h6 O+ E21. 如果在差分对的一根线上添加一根时延线,则应添加到布线的起始端附近,幷且要将这一区域内的线条间进行去耦合。
0 S' e6 H! S, w" {! \& f22. 只要能保持差分阻抗不变,我们可以改变差分对的耦合状态。
( J% O* [. V0 H. o23. 一般来说,在实际中应尽量使差分对紧耦合。
% W! b/ C) x6 @" c+ b24. 在决定到底采用边缘耦合差分还是侧向耦合差分对时,应考虑布线的密度 电路板的厚度等制约条件,以及销售厂家对叠层厚度的控制能力。如果做得比较好,他们是等效的。* E' G, f3 O5 t: {7 X" t1 H0 A
25. 对于所有板级差分对,平面上存在很大的返回电流,所以要尽量避免返回路径中的所有突变。如果有突变,对差分对中的每条线要做同样的处理。
. l% J. P+ k3 g# w' P26. 如果接收器的共模抑制比很低,就要考虑端接共模信号。端接共模信号幷不能消除共模信号,只是减少振铃。
% y# [3 b. r1 L* u27. 如果损耗很重要,应尽量用宽的信号线,不要使用小于 5mil 的布线。' H6 R# b5 p- \! ? \( q
28. 如果损耗很重要,应使布线尽量短。29. 如果损耗很重要,尽量做到使容性突变最小化。; X9 }7 ]* r6 S- v
30. 如果损耗很重要,实际信号过孔使其具有 50 ohm 的阻抗,这样做意味着可以尽可能减少桶壁尺寸 减小捕获焊盘尺寸 增加反焊盘出砂孔德尺寸。
3 ?' g/ e. d! f6 q31. 如果损耗很重要,尽可能使用低损耗因子的叠层。
) `1 ]5 |% P- k- D8 w0 U8 n# w32. 如果损耗很重要,考虑采用预加重合均衡化措施。7 T6 Z9 k+ w0 Y1 N4 T9 g
No.2 串扰最小化& H& w" _' X7 W3 h
策略---减少信号路径和返回路径间的互容和互感。
) E$ H E& |& k设计原则:
2 o- E9 K8 `: w7 j, L0 x; S; e33. 对于微带线或带状线来说,保持相邻信号路径的间距至少为线宽的 2 倍。( D! u6 N6 P$ J/ J- G5 c/ p$ C* m! u
34. 使返回路径中的信号可能经过的突变最小化。
. ~' l: H. }/ O! v0 ]35. 如果在返回路径中必须跨越间隙,则只能使用差分对。决不能用离得很近的单端信号布线跨越间隙。
' p7 O/ m9 s6 f4 N$ |36. 对于表面线条来说,使耦合长度尽可能短,幷使用厚的阻焊层来减少远程串扰。/ f3 q0 z1 [- c" F5 v3 z
37. 若远程串扰很严重,在表面线条上添加一层厚的叠层,使其成为嵌入式微带线。9 G; I+ |$ u1 O' ^9 U- M6 o3 _& x. A& S
38. 对于远程串扰很严重的耦合长度很长的传输线,采用带状线布线。
- ^' S- K( @* H9 \39. 若不能使耦合长度短于饱和长度,则不用考虑减少耦合长度,因为减少耦合长度对于近端串扰没有任何改善。4 {6 t' o" _' ^$ k; o- I5 g* y
40. 尽可能使用介电常数最低的叠层介质材料,这样做可以在给定特性阻抗的情况下,使得信号路径与返回路径间的介质厚度保持最小。
5 Z& |% Z2 Q! {! f/ d/ @$ y41. 在紧耦合微带线总线中,使线间距至少在线宽的 2 倍以上,或者把对时序敏感的信号线布成带状线,这样可以减少确定性抖动。# h7 M7 a% ? M* ~! x# [
42. 若要求隔离度超过-60dB,应使用带有防护布线的带状线。
, M; o: H1 j4 s9 A43. 一般使用 2D 场求解工具来估计是否需要使用防护布线。+ Y8 p* E& p$ r9 E" j& o0 z
44.若使用防护布线,尽量使其达到满足要求的宽度,幷用过孔使防护线与返回路径短接。% H0 C! p5 O4 u/ n2 p
如果允许,可以沿着防护线增加一些短接过孔,这些过孔幷不像两端的过孔那样重要,但有一定改善。
! \. a& R/ b" h! K8 b& m45. 使封装或接插件的返回路径尽量短,这样可以减小地弹。
0 W: T& L( P( z. O46. 使用片级封装而不使用更大的封装。; ^% m, P2 k y- h: Y
47. 使电源平面和返回平面尽量接近,可减少电源返回路径的地弹噪声。. M) r3 M( i" V4 a. ~: D( Q4 c
48. 使信号路径与返回路径尽量接近,幷同时与系统阻抗相匹配,可以减少信号路径中的地弹。
3 G7 E% S; T4 h, M2 w49. 避免在接插件和封装中使用公用返回路径。
: C# Z# {! D% c5 t( g50. 当在封装或线接头中分配引线时,应把最短的引线作为地路径,幷使电源引线和地引线均匀分布在信号线的周围,或者使其尽量接近载有大量开关电流的信号线。
2 q9 F- ^" M0 E7 G. }& x51. 所有空引线或引脚都应接地。
# b' }" {- i0 K$ G, v) S1 \; l52. 如果每个电阻都没有独立的返回路径,应避免使用单列直插封装电阻排。7 F+ S: i/ B( t4 b& s4 y; I
53. 检查镀层以确认阻焊盘在过孔面上不存在交叠;在电源和地平面对应的出砂孔之间都留有足够的空间。+ b1 Z o2 ]5 G1 N1 F; f3 ]
54. 如果信号改变参考平面,则参考平面应尽量靠近信号平面。如果使用去耦电容器来减少返回路径的阻抗,它的电容器幷不时最重要的,应选取和设计具有最低回路电感的电容才是关键。2 `% A! S! |: ^ I+ X/ L7 M6 U" W
55. 如果有大量信号线切换参考平面,就要使这些信号线的过孔彼此之间尽量远离,而不是使其集中在同一地方。 \+ x; G. z! `& e
56. 如果有信号切换参考平面,幷且这些平面间具有相同电压,则尽量将信号线过孔与返回路径过孔数量放置在一起。
! g! ?3 x4 g7 Y9 ]( u9 ~/ SNo.2 减小轨道塌陷
# n" V8 ]/ F* o6 }策略---减小电源分配网络的阻抗。
N( O; i7 F& Q# }. d J/ A设计原则:: D F C6 k2 C
57. 减小电源和地路径间的回路电感。2 m- ?& V- y6 o; K
58. 使电源平面和地平面相邻幷尽量靠近。
1 l2 u7 D7 \, c0 Z, Q1 ?# r0 l59. 在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低。
e2 ]) r' u9 ~2 L60. 尽量使用多个成对的电源平面和地平面。
4 K4 d3 g3 v; O61. 使同向电流相隔尽量远,而反向电流相隔尽量近。
9 A. z* q1 ~& U* W+ I0 M62. 在实际应用中,使电源过孔和地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当。
4 {: _5 Q' ] \, |. j/ R: B3 D, r) v63. 应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处。$ o, I; b8 j; O. [- |
64. 对相同的电源或地焊盘使用多个过孔,但要使过孔间距尽量远。
: N# W4 k( [1 u' O; I$ a# A65. 在电源平面或地平面上布线时,应使过孔的直径尽量大。
% \2 c. |' ~+ `! y# @2 Z4 ?" n5 [66. 在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减少键合线的回路电感。
$ D9 c5 t- Q5 o* |6 y67. 从芯片内部引出尽可能多的电源和地引线。
2 s: S: x: j% A3 f! e2 B4 q& K68. 在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚。
0 l4 ~$ w8 n. M, ?69. 使用尽可能短的片内互联方法,例如倒装芯片而不是键合线。
+ Q5 o7 T5 O- C$ i70. 封装的引线尽可能短,例如应使用片级封装而不是 QFP 封装。8 `$ m6 I0 N+ |& ?9 I* J
71. 使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能地短和宽。# y/ a9 y: X, `* \6 C
72. 在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件。
4 K' e$ w8 J& ?$ j* G$ |# o$ T73. 在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感。
: S8 E n7 _; u/ L* E9 M74. 使用尽可能小的去耦电容,幷尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度。$ n% i. Y/ y. _* p" I
75. 在片子上使用尽可能多的去耦电容。 @* Y: s" O+ n4 g" N
76. 在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容。
" z, P" u. _6 q. E3 z77. 在 I/O 接口设计中使用差分对。% R0 ~: v/ _% g& h+ C( M# L5 W2 Y
No.4 减小电磁干扰(EMI)9 J, E) W- E( w: R" o
策略---减小驱动共模电流的电压;增加共模电流路径的阻抗;屏蔽滤波是解决问题的快速方案。
7 t4 G7 d: f ?设计原则:, i2 S- S. Q3 N$ X) l; [
78. 减小地弹。6 F/ s( c% k/ V3 P
79. 使所有布线与板子边缘的距离应至少为线宽的 5 倍。
' k+ ?4 [2 O4 R80. 采用带状布线。
) A$ n- S, } ]) Y# o7 m+ C! Q81. 应将告诉或大电流器件放在离 I/O 接口尽可能远的地方。2 h; }7 c- @8 X4 U6 G; Y( T# C8 p) J7 G
82. 在芯片附近放置去耦电容来减小平面中高频电流分量的扩频效应。8 K' L0 i( {3 ~+ `# s( |; o0 O
83. 使电源平面和地平面相邻幷尽可能接近。; y/ y k4 L5 J; ?
84. 尽可能使用更多的电源平面和地平面。
$ h/ A1 f# d0 R85. 当使用多个电源平面和地平面对时,在电源平面中修凹壁幷在地平面的边沿处打断接过孔。: p$ M# C/ M2 O ?
86. 尽量将地平面作为表面层。8 d. |$ ~0 R( ], b" r
87. 了解所有封装的谐振频率,当它与时钟频率的谐波发生重叠时就要改变封装的几何结构。+ J8 z) U) m) H2 O7 ]; B5 N
88. 在封装中避免信号在不同电压平面的切换,因为这会产生封装谐振。89. 在封装中可能出现谐振,就在它的外部加上铁氧体滤波薄片。
. l3 a; E' {0 |: X* u4 f0 x90. 在差分对中,减少布线的不对称性。
% O* E. {/ ]' }& m& g7 q1 o9 q91. 在所有的差分对接头处使用共模信号扼流滤波器。
4 p) C2 J" f3 A- x) U2 r92. 在所有外部电缆周围使用共模信号扼流滤波器。
/ Y. w+ [1 P% G7 I3 {& @. q93. 选出所有的 I/O 线,在时序预算要求内使用上升时间最少的信号。, T& _" U$ u3 y% J$ b
94. 使用扩频时钟发生器在较宽的频率范围内产生谐波,幷在 FFC 测试的带宽范围内减少辐射能量。. j J/ w x) `7 g6 `" y% |" b
95. 当连接屏蔽电缆时,保持屏蔽层与外壳良好接触。; U" Y8 f5 w7 }+ w; E: z
96. 减少屏蔽电缆接头至外壳的电感。在电缆和外壳屏蔽层之间使用同轴接头。
) S, V) I5 k8 R1 i5 k3 i1 f97. 设备支座不能破坏外壳的完整性。( r, A6 n6 W, Q+ G/ a* H0 a" I
98. 只在互连时才能破坏外壳的完整性。
+ u( T) u$ P* H" ~, p! b99. 使开孔的直径远小于可能泄露的最低频率辐射的波长。使用数量多而直径小的开孔比数量少而直径大的开孔要好。
- w% `" B/ G# _9 `2 J100. 导致产品交期 Delay 就是最昂贵的规则。" l$ q- b) A7 J
- n9 h6 q' R0 g, l% ]
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