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器件一旦坏了,千万不要敬而远之,而应该如获至宝。 n2 `% C f( j4 E% D8 x" ^9 b
开车的人都知道,哪里能练出驾驶水平?高速公路不行,只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。: {2 i$ \1 V1 X: f: J7 G7 \
失效分析基本概念' T& @6 o& K/ {
定义:对失效电子元器件进行诊断过程。# B7 ]" ~! w* a
1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。
5 L* q% s' t _& c* Y) H6 Z( r0 a 2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。1 n4 h, a8 v3 A5 `
3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。3 V8 l: ^6 v+ S8 @! f0 {
4、失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。" I, L, ^& h6 g9 ^' c. R8 e1 @
失效分析的一般程序- g! t$ z+ f& }
1、收集现场场数据
7 O4 {; M+ T' Q5 d c3 F" r, T/ ^
2、电测并确定失效模式1 u% K5 a5 N! i) p7 ^
3、非破坏检查 4、打开封装
( ]6 @4 }. T- N3 z0 j. r 5、镜验$ F; v; D' |& {/ c
6、通电并进行失效定位
/ u- ?* I, w! M, E c/ _7 q 7、对失效部位进行物理、化学分析,确定失效机理。
, @- S, J* v! [+ j' [9 C& E 8、综合分析,确定失效原因,提出纠正措施。% W1 _* j0 g2 B, C/ V" y* `
1、收集现场数据:6 s6 I/ f$ r( S8 Z" E5 m+ P
2、电测并确定失效模式
+ }& B0 I" [; {# Z5 {5 G 电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。7 }8 u' L) `- k
连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。' K" e9 C* C# V$ K2 r4 i3 e6 I$ _
电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。
- k! o! R; O% u- I; g. ~ 确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路。7 [) U5 u7 N" z& g
三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
! N1 n- q" j7 U% @8 M; @ 3、非破坏检查
# w R1 d4 Y- D$ g4 U X-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。
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适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout- }; g5 _8 p7 M9 G( }# d5 t3 W
优势:工期短,直观易分析: \' r& `8 `) g7 o4 L) V" F* B
劣势:获得信息有限
1 h2 G+ x t' _ 局限性:
) _/ b% c! w" v6 f7 x 1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;
1 m, T" S. G6 L3 k5 ` U) G 2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。5 @; E' G* C6 c- E
分析:
# `/ _* U/ l& u: g, M X-Ray 探伤----气泡、邦定线
X-Ray 用于失效分析(PCB探伤、分析)
" W$ v. \& q$ }; s
(下面这个密密麻麻的圆点就是BGA的锡珠。下图我们可以看出,这个芯片实际上是BGA二次封装的)
+ H6 l; R K% I+ x- c1 d 4、打开封装
+ A/ b/ w: [. T6 R+ S: S/ G 开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类,微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。
* M' d# E4 y1 l1 w1 f5 ~7 \ 机械开封- ]: N0 |2 Q- n. j6 W. Y4 o
化学开封
8 Q4 A& h; V4 }/ a 5、显微形貌像技术' y9 f5 [5 j/ b
光学显微镜分析技术9 @6 d y8 l+ j& V6 F- ]
扫描电子显微镜的二次电子像技术
* Y$ i: Y& x: S0 N% I4 z 电压效应的失效定位技术& V; Q5 T" ?, t
6、半导体主要失效机理分析
( h% `, a5 \( G% i8 z& f7 R
电应力(EOD)损伤
8 Z2 j' J' ]8 y& ]5 g* i. a 静电放电(ESD)损伤
3 q9 |, J% j/ p0 {) E 封装失效
8 }$ V" ?; A: t4 }) K 引线键合失效
" T( M: T; z' `5 h/ x 芯片粘接不良
" E7 \. f" ?4 ]! G, h 金属半导体接触退化+ v7 z* h( C* @4 ^- e
钠离子沾污失效' M! H8 @; _! ^5 }0 v' }% J
氧化层针孔失效 \ A: g( b4 d2 u m0 {
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