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元器件失效分析方法概述

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  • TA的每日心情
    开心
    2020-9-8 15:12
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2020-10-30 16:07 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    器件一旦坏了,千万不要敬而远之,而应该如获至宝。  n2 `% C  f( j4 E% D8 x" ^9 b
      开车的人都知道,哪里能练出驾驶水平?高速公路不行,只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。: {2 i$ \1 V1 X: f: J7 G7 \
      失效分析基本概念' T& @6 o& K/ {
      定义:对失效电子元器件进行诊断过程。# B7 ]" ~! w* a
      1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。
    5 L* q% s' t  _& c* Y) H6 Z( r0 a  2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。1 n4 h, a8 v3 A5 `
      3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。3 V8 l: ^6 v+ S8 @! f0 {
      4、失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。" I, L, ^& h6 g9 ^' c. R8 e1 @
      失效分析的一般程序- g! t$ z+ f& }
      1、收集现场场数据

    7 O4 {; M+ T' Q5 d  c3 F" r, T/ ^
      2、电测并确定失效模式1 u% K5 a5 N! i) p7 ^
      3、非破坏检查

           4、打开封装
    ( ]6 @4 }. T- N3 z0 j. r  5、镜验$ F; v; D' |& {/ c
      6、通电并进行失效定位
    / u- ?* I, w! M, E  c/ _7 q  7、对失效部位进行物理、化学分析,确定失效机理。
    , @- S, J* v! [+ j' [9 C& E  8、综合分析,确定失效原因,提出纠正措施。% W1 _* j0 g2 B, C/ V" y* `
      1、收集现场数据:6 s6 I/ f$ r( S8 Z" E5 m+ P
      2、电测并确定失效模式
    + }& B0 I" [; {# Z5 {5 G  电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。7 }8 u' L) `- k
      连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。' K" e9 C* C# V$ K2 r4 i3 e6 I$ _
      电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。
    - k! o! R; O% u- I; g. ~  确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路7 [) U5 u7 N" z& g
      三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
    ! N1 n- q" j7 U% @8 M; @  3、非破坏检查


    # w  R1 d4 Y- D$ g4 U  X-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。

    ' p& l3 h8 G8 |% p( i1 j+ e
      适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout- }; g5 _8 p7 M9 G( }# d5 t3 W
      优势:工期短,直观易分析: \' r& `8 `) g7 o4 L) V" F* B
      劣势:获得信息有限
    1 h2 G+ x  t' _  局限性:
    ) _/ b% c! w" v6 f7 x  1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;
    1 m, T" S. G6 L3 k5 `  U) G  2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。5 @; E' G* C6 c- E
      分析:
    # `/ _* U/ l& u: g, M  X-Ray 探伤----气泡、邦定线

      X-Ray 用于失效分析(PCB探伤、分析)

    " W$ v. \& q$ }; s
      (下面这个密密麻麻的圆点就是BGA的锡珠。下图我们可以看出,这个芯片实际上是BGA二次封装的)


    + H6 l; R  K% I+ x- c1 d  4、打开封装
    + A/ b/ w: [. T6 R+ S: S/ G  开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类,微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。


    * M' d# E4 y1 l1 w1 f5 ~7 \  机械开封- ]: N0 |2 Q- n. j6 W. Y4 o
      化学开封
    8 Q4 A& h; V4 }/ a  5、显微形貌像技术' y9 f5 [5 j/ b
      光学显微镜分析技术9 @6 d  y8 l+ j& V6 F- ]
      扫描电子显微镜的二次电子像技术
    * Y$ i: Y& x: S0 N% I4 z  电压效应的失效定位技术& V; Q5 T" ?, t
      6、半导体主要失效机理分析

    ( h% `, a5 \( G% i8 z& f7 R
      电应力(EOD)损伤
    8 Z2 j' J' ]8 y& ]5 g* i. a  静电放电(ESD)损伤
    3 q9 |, J% j/ p0 {) E  封装失效
    8 }$ V" ?; A: t4 }) K  引线键合失效
    " T( M: T; z' `5 h/ x  芯片粘接不良
    " E7 \. f" ?4 ]! G, h  金属半导体接触退化+ v7 z* h( C* @4 ^- e
      钠离子沾污失效' M! H8 @; _! ^5 }0 v' }% J
      氧化层针孔失效

      \  A: g( b4 d2 u  m0 {

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2020-10-30 16:34 | 只看该作者
    往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段
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