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MR25H10CDFR MR25H10CDF,EMD3D256M16G2-150CBS1R 存储器IC

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  • TA的每日心情
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    [LV.9]以坛为家II

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    发表于 2020-10-20 11:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    型号:MR25H10CDFR  MR25H10CDF和EMD3D256M16G2-150CBS1R
    - ]8 ?/ P- p+ f" R: ?产品类型:非易失存储器- p$ B5 e  K' S, ~
    明佳达供应MR25H10CDFR  MR25H10CDF,EMD3D256M16G2-150CBS1R 存储器IC,全新原装,实单价优,欢迎广大新老顾客朋友前来咨询下单。
    + v" Y/ x1 e; k6 ]1、MR25H10CDFR  MR25H10CDF 非易失存储器
    & A; ]1 O5 o% M/ t) L& P2 o3 i/ ]规格
    + O1 L! I* D4 J存储器类型:非易失8 o* n- j4 s6 E8 m! G
    存储器格式:RAM
    / F# b9 ^6 e" H技术:MRAM(磁阻式 RAM)8 O2 D2 y$ h; T6 Z6 n) W" c
    存储容量:1Mb (128K x 8)1 z4 ?$ k1 Y0 x2 p1 E) E' j
    存储器接口:SPI3 G' k  O4 i, A4 |+ w1 T5 y
    时钟频率:40MHz
    ) W( B( l% j% o4 q# P" r写周期时间 - 字,页:-
    + e" B  l2 F4 }( `1 G电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
    % Z% V. p7 F: D工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)/ d' F$ Q4 E! a* Z) c4 |, ]+ _& ^
    安装类型:表面贴装型+ e( S4 ]# m" |% F/ i1 A7 I
    封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘) A' i4 J5 _! s# v5 @- [+ p" z
    供应商器件封装:8-DFN-EP,小标志(5x6)
    # v/ E8 U& F7 `% M9 h& r: \  B+ ?8 q9 w, @; U; t$ o, o. L
    2、EMD3D256M16G2-150CBS1R  存储器IC
    6 `- T6 y) @1 Q" M产品种类:磁阻随机存取存储器 (MRAM)3 }: M# O3 q  [+ r4 b" R
    封装/箱体:BGA-96
    6 C7 H; k- e4 J3 H3 V; ~存储容量:256 Mbit2 w8 n/ n  p* v" P# R) k
    组织:16 M x 16
    # a) A2 I5 v% p, y数据总线宽度:16 bit0 }; ~. E! ^3 ?% S/ a4 e
    电源电压-最小:1.425V/ C7 A  c5 c" ^) `" d. p
    电源电压-最大:1.575V
    * d4 w5 h2 _1 w% N. R. A0 g工作温度:0℃  -  +85℃
    + D4 ]) x$ S; Z  i" I系列::EMD3D256M, P* }7 H/ F$ C# Z

    . s: P8 ~$ P  R' ~声明:本文中所附带的产品规格资料均来源于网络,内容非原创,仅供参考。如有不妥之处,欢迎指正告知,我们将会迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的损失。
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