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MR25H10CDFR MR25H10CDF,EMD3D256M16G2-150CBS1R 存储器IC

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  • TA的每日心情
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    [LV.9]以坛为家II

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    发表于 2020-10-20 11:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    型号:MR25H10CDFR  MR25H10CDF和EMD3D256M16G2-150CBS1R
    + D7 X  M0 ~! U' i产品类型:非易失存储器5 f/ c$ _& u  d; A  S, M
    明佳达供应MR25H10CDFR  MR25H10CDF,EMD3D256M16G2-150CBS1R 存储器IC,全新原装,实单价优,欢迎广大新老顾客朋友前来咨询下单。& ~0 ?% r" Q" M  q" g7 m% a" G
    1、MR25H10CDFR  MR25H10CDF 非易失存储器0 p" X+ ~% t- T# m
    规格9 b' X+ s9 d" r% i4 x
    存储器类型:非易失
    * Y1 ^0 z" Z7 n* b) }4 H, E1 [存储器格式:RAM) d5 B7 _& u# T2 k: C- I
    技术:MRAM(磁阻式 RAM)
    - A7 L, ?& ?5 C& \存储容量:1Mb (128K x 8)
    ( V& X) F5 S. A, l  B; _存储器接口:SPI
    % ~. O5 a* L/ X* |. ~时钟频率:40MHz
    9 N' Y) C" i, c0 u5 ^, P写周期时间 - 字,页:-
      f6 y$ N3 f5 Q  x( v# p% K  J电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
    2 S/ e2 [' |" P工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)! i  N- a7 g& p% I$ e% J9 ?. m: @1 G
    安装类型:表面贴装型
    ; L  \% s& |- B+ H; D! {  o封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
    , |" J2 W: ]/ s  M: B, H供应商器件封装:8-DFN-EP,小标志(5x6)6 i4 b2 w) ]5 V! x

    4 R2 H6 `& t: A, B  L+ @2、EMD3D256M16G2-150CBS1R  存储器IC+ ]- n2 q/ A* E9 ^3 R
    产品种类:磁阻随机存取存储器 (MRAM)+ p5 B7 D4 d' f2 y: V; N0 J- s
    封装/箱体:BGA-96
    ' n, l5 f  x+ G2 j! K存储容量:256 Mbit$ ~( q5 f: L% j1 t
    组织:16 M x 16
    + T+ ~) u  h3 A$ e! u数据总线宽度:16 bit* J& n% L7 v  b
    电源电压-最小:1.425V
    ; v. P. S; s& c) h( }. x0 \电源电压-最大:1.575V
    ( `/ J' U0 t0 r" \  f工作温度:0℃  -  +85℃+ R* Q' n$ m+ }# N* }; J) ]; ?7 J
    系列::EMD3D256M
    2 K+ f) E8 T! N5 l" b4 g5 e- |
    6 s) M1 Z' V+ A声明:本文中所附带的产品规格资料均来源于网络,内容非原创,仅供参考。如有不妥之处,欢迎指正告知,我们将会迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的损失。% ^* T9 @1 e# h* ?
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