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供应全新 IRKT26-06 晶闸管、SPW47N60C3 晶体管 、FP50R12KT4G IGBT晶体管模块

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    发表于 2020-10-16 14:58 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    深圳市明佳达电子公司   长期供应  全新原装  IRKT26-06 晶闸管、SPW47N60C3 晶体管 、FP50R12KT4G IGBT晶体管模块  质量保证   价格实在   库存充足  有意者欢迎致电咨询
    6 d0 [, k; o9 B+ Z- x, Y: g# ^8 C+ R( O. d% F! C- H: N6 c
    产品参数:; o6 J' p  I/ }/ ^9 g3 x
    一、IRKT26-06 晶闸管 - SCR - 模块:3 }9 w: i$ _& I1 `. C. j& D& S
    结构        串联 - 全部为 SCR) o6 B7 y( L3 f0 U3 A
    SCR 数,二极管        2 SCRs, a+ |- |$ P4 g/ {3 i" q9 ]
    电压 - 断态        600V' H+ {9 I, M) w  h
    电流 - 通态 (It (AV))(最大值)        27A3 l/ G& h4 D" z. N) r4 P
    电流 - 通态 (It (RMS))(最大值)        60A
    5 ?; r, s2 |6 D电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值)        2.5V6 W/ q2 n2 n0 O
    电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值)        150mA; R/ v; B7 R$ L8 g/ x; B' G* P
    电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)        400A,420A
    ( ~- Z1 ^: V/ L% z电流 - 保持 (Ih)(最大值)        200mA3 H5 Q$ e6 ~# J9 B0 A$ ?" ]1 J
    工作温度        -40°C ~ 125°C (TJ)+ V, Q2 N$ i  @& R$ w0 c1 |
    安装类型        底座安装5 e/ Y6 G- p9 ]+ A5 N/ [
    封装/外壳        ADD-A-PAK(3 + 4)9 F. d6 s! {9 U7 x' _, m( A
    ! M* w+ S7 ?; X( ~
    % v" }6 v  x. z
    二、SPW47N60C3 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 :
      k5 \1 v/ W0 D/ iFET 类型        N 通道* E9 i( T' U, Z: T0 a
    技术        MOSFET(金属氧化物)) X( r  N. K( ?, k
    漏源电压(Vdss)        650V
    ' [: }( p, l' b25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)        47A(Tc)
    2 P* e, _* C( \% `) u# c" \8 k) y2 j驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)        10V
    , V6 T! J* C) {7 x% k3 u4 Q不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)        70 毫欧 @ 30A,10V
    ; z1 I+ v$ b- [9 {! s7 j不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)        3.9V @ 2.7mA
    8 J; O/ ?9 m! c$ m2 o' ^( S不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)        320nC @ 10V
    : p/ p- I% M' h' ZVgs(最大值)        ±20V
    / ~9 `: h/ M5 M  m7 z) `, N# I不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)        6800pF @ 25V6 l7 i  w& f7 G- e
    FET 功能        -
    + w9 W* ^6 a) Q! L功率耗散(最大值)        415W(Tc)
      `# s9 i8 s: T7 N! P/ N+ h3 R工作温度        -55°C ~ 150°C(TJ)
    ! _7 g5 K! u" q, J0 b, F* U! J2 r: L安装类型        通孔
    # L7 V. I2 X* l( f2 T- X% I供应商器件封装        PG-TO247-3+ d0 Z- b" z, h; x
    封装/外壳        TO-247-3
    2 m" S7 d$ |; w) F& `4 i" n; t, |7 Q7 ^2 W2 w  ]2 A: S
    3 Z8 ^. \5 b' b' Q2 Y6 L0 ?
    三、FP50R12KT4G IGBT晶体管模块:
    9 g9 p4 D2 W2 H9 ?IGBT 类型        沟槽型场截止3 c3 {1 l' Q4 J6 f$ f1 S. F
    配置        三相反相器% W* ?- M' d% ~/ l' t8 X
    电压 - 集射极击穿(最大值)        1200V
    ; Z1 L+ c- z# f. s  K电流 - 集电极 (Ic)(最大值)        50A
    . ^( s. ~) W4 i. W3 l; B. s+ I) d功率 - 最大值        280W6 o$ B- L8 q3 J( @% W
    不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)        2.15V @ 15V,50A1 f, v% U0 a9 C0 L7 e. n
    电流 - 集电极截止(最大值)        1mA
    7 W  @9 N. {. l( V1 v不同 Vce 时输入电容 (Cies)        2.8nF @ 25V
    0 ^- Q; v. [( t7 j$ k1 P输入        标准, R2 Q2 R; {# L. {' U* [, C
    NTC 热敏电阻        是: x. R6 a+ E4 T3 ]' S/ f% r4 J
    工作温度        -40°C ~ 150°C+ J" \/ H- b- o# ]5 o
    安装类型        底座安装
    ( d6 P  o' Z. Q* q+ P0 y封装/外壳        模块1 ~, ~9 L; H4 W* E& P
    供应商器件封装        模块
    * y. G* }3 `; E% f2 F* b$ x
    0 }1 b0 l& l0 x; U: i
    9 U6 q# Z; y0 W公司还长期供应以下型号:
    6 D, u. D/ W  M/ rIRKT26-06) |3 O$ o' p) B: j. u
    QM120DX-H4 F: C' H+ y) a+ b. b
    HD6437065AA21FV( [( f- `4 K; i# G
    5-353480-4
    - U6 U8 z. D/ D8 l  i: U' z  eFX6A-50P-0.8SV1
    9 u, K3 `9 [7 B9 l  H# sL94373 H) E, D5 j: y3 H. f' x' ~
    ICE65L04F-TCS63I
    ' Y, {9 F" a7 j7 _; K# WMY2-02  48VDC
    2 w+ H1 e  t2 M3 f/ UMY2-02  24VDC' T! X  C% p& ~+ z! ?* N' O
    TLV62090RGTR6 y% B2 K; l7 J# z; O% s# s
    SPW47N60C3
    0 e" ~( ~/ h' @8 R2 H' _$ h, I9 _2 j/ F, N' E8 R
    BTA416Y-800B: n* e2 O+ L# U+ h
    LM98510CCMT/ c; w+ h; \! R) a0 L, a# |
    FP50R12KT4G5 K+ h  o  H9 _  H* M" U, O/ p
    S25FL008K0XMFI040
    $ o4 j! D, d4 J. W( N  MMX25L5121EZUC-20G
    7 v) ?& S3 D: d: k1 f1 P  a+ h, [' B5 a, }' G( P* s; t0 H1 ^

    ( g- m: z: I# y- \# B- o/ ~% _以上型号均为深圳市明佳达电子公司长期现货供应产品,价格方面由于浮动不一,请以当天报价为准,有兴趣的商友,欢迎来电联系我们,我们将竭诚为您服务!!!
    ! X) E* R6 W$ |4 R6 Y0 F
    5 \2 ?7 |  c7 k- F1 H以上产品资料信息均来源于网络,内容非原创,仅供参考。如果所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开和传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
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