0.8欧导通电阻IRF840型号场效应管替换型号，在高压H桥PWM马达驱动。

购购购购

1 Y! Q" T# R+ Q一款适用于高压H桥PWM马达驱动的0.8欧导通电阻的场效应管型号，在国内的电子产品厂家仍然是需要强化自己的国内供应链下，能够完美替代国外的型号：IRF840场效应管参数。

  v: v* a* t9 R1 n) ~2 `" W为何说FHP840是可以直接跟IRF840等型号对标替代使用呢？揭秘参数前先了解，电机驱动主要采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路，H 桥是一个典型的直流电机控制电路，由于它的电路外形酷似字母 H，故得名曰“H 桥”。

1 K0 v7 e$ N4 R# z- l/ q4个开关组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠。要使电机运转，必需使对角线上的一对开关导通，经过不同的电流方向来控制电机正反转。
  ^2 P7 K* f; m& E$ I# c# \
& B1 |" P9 J0 y- Y1 r+ e2 j目前这款N沟道增强型高压功率MOS场效应管：FHF840，它在使用性能参数方面不仅能匹配型号为TK8A50D的国外场效应管，也是能够代用TK8A50D、IRF840型号的场效应管。目前广泛使用的场景是高压H桥PWM马达驱动、DC-AC电源转换器、DC-DC电源转换器、300W逆变器后级电路四款产品中。
: [' H+ E5 j, y  L

( P" z/ ^3 o! [' _9 M( L0 fFHF840场效应管的特点是漏极直流电流9A，漏-源电压500V，导通电阻RDS(on) = 0.8Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容、开关速度快，大芯片，耐过载冲击。
6 K7 q, N. F7 n* J% M
" }) z9 }5 B* p4 n0 A; nFHF840的主要封装形式是TO-220、TO-220F，脚位排列位GDS。这款场效应管参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：9；BVdss（V）：500。

$ R* o8 N. j1 ~: l* q' O因为以上的参数特点，所以这一款型号就不仅能够匹配IRF840场效应管型号在高压H桥PWM马达驱动中使用，也能匹配TK8A50D、9N50这两款型号参数。

/ D: z: \8 l6 T" |3 C飞虹电子的MOS管已经常用于智能家居、新能源电子领域：如智能音响、家用电器、LED照明、逆变电源、电瓶车、电脑电源、充电器、汽车电子等行业，为国内的电子产品厂家提供了优质的产业以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

直接百度输入“飞虹MOS管厂家”即可找到我们
% u; g$ O, G/ p  T) e, r
/ k  S# g# o% V$ w& m$ X8 m% x

somethingabc

IRF840场效应管