10A电流场管10A60D型号参数，应用在高压H桥PWM马达驱动。

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华为电脑端的业务在英特尔等公司的申请下，美国商务部解除了部分产品的管制。但实际上这一点的消息并非说要解除对华为的打击，而是基于利益的相关问题而已。因此在国内仍然是需要强化自己的稳定供应链。目前市场上面高压H桥PWM马达驱动常常使用的国外型号是：TK10A60D、FQP10N60，那么究竟在国内是否有优质的场效应管型号参数可以替代以上两款呢？

是有的，目前在国内已经产生了10N60型号场效应管参数能够完美代换TK10A60D场效应管。


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8 ]! r4 L- K" M8 M为什么说FHF10N60是可以直接跟TK10A60D等型号对标替代使用呢？揭秘参数前先了解，电机驱动主要采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路，H 桥是一个典型的直流电机控制电路，由于它的电路外形酷似字母 H，故得名曰“H 桥”。

! D: [: J) D& H' P; H' a2 t) v- w$ u4个开关组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠。要使电机运转，必需使对角线上的一对开关导通，经过不同的电流方向来控制电机正反转。

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) c8 z$ j, H+ v2 m8 z' M- x飞虹这款FHP10N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管，在使用方面是不仅能匹配型号为FQP10N60的国外场效应管，还能代用TK10A60D型号的场效应管。目前广泛使用的场景是AC-DC开关电源、高压H桥PMW马达驱动、DC-DC电源转换器三款产品中。
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4 n7 }- ]9 g' h: r: T% s( l. EFHP10N60场效应管的特点是10A, 600V, RDS(on) = 0.85Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快.
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* C8 @  n  k1 h* M, v# _  RFHP10N60的主要封装形式是TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263，脚位排列位GDS。这款场效应管参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：10；BVdss（V）：600。
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飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于逆变电源、智能家居、新能源电子领域：如智能音响、家用电器、LED照明、充电器、汽车电子、电瓶车、电脑电源等行业，为国内的电子产品厂家提供了优质的产业以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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Zjianeng

国内仍然是需要强化自己的稳定供应链