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TVS 二极管阵列 SR70.TCT 单向, 70V, 4针 SOT-143封装 TVS Diodes / ESD Suppressors TVS ARRAY,70V,3KT&R 低电容 TVS 二极管阵列 反向关态电压(典型值) 70V(最大) 电压 - 击穿(最小值) 85V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp 7V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs) 24A(8/20μs) 500 W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)
( T1 h0 n' a( [ESD 保护:
+ B' w! E( `- a$ b; L# o- u; aIEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV (空气),±8kV(触点)6 e3 \" }5 c- c! d# a4 P6 V
IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) 0 f1 J) d# p6 ^8 O
IEC 61000-4-5 (雷电)24A (8/20μs)
3 s9 I2 ^ I; K' a H* d' ]& C额定浪涌二极管阵列,带内部 TVS 二极管
" n$ H! d+ u R! v/ f保护两个输入/ 输出线路
( l. Q8 L3 J% ]- p" ^低电容 (<10pF) ,用于高速接口
SR70 系列瞬态抑制二极管阵列是用于保护VDSL、VDSL2等电信接口免受雷击导致的浪涌和静电放电(ESD)破坏的理想产品。 该器件由四个低电容轨到轨式二极管组成,可将具有破坏性的瞬态电流导入远离集成电路的电源轨,从而提供强大的保护功能。 SR70系列瞬态抑制二极管阵列还能够在±30kV电压下安全地吸收高达40A(tP=8/20μs)的反复性ESD放电,且性能不会下降。 与同类竞争产品相比,SR70系列在抵御浪涌破坏方面性能更强,例如40A的较高浪涌额定值(同类竞争产品仅为24A或27A)、通常为2.0pF的较低负载电容(同类竞争产品则介于2.5pF至10pF之间),以及30kV的较高ESD额定值(同类竞争产品为8kV)。 功能与特色: 在不降低性能的前提下提供高达40A(tP=8/20μs,IEC61000-4-5)的强大的浪涌保护能力,并有助于确保产品符合监管标准的规定。 每个输入/输出端至地面的负载电容较低(通常为2pF),最大限度地减少了信号损失,因而是保护VDSL、VDSL2等高速数据线的理想产品。 增强型ESD保护(±30kV接触放电,±30kV空气放电),超出IEC61000-4-2标准的最高等级(±8kV)。 紧凑型SOT143封装节省了电路板空间,使设计师能够更灵活地安排电路保护器件的布局。 极低的动态电阻(0.35Ω)确保了出色的箝位能力,从而可为敏感集成电路提供保护。 应用: xDSL(ADSL,VDSL)接口 T1/E1/T3/E3接口 10/100/1000以太网数据线 视频线或输入线 9 |& g) J9 E2 V; |3 o( C q- X
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常州鼎先电子有限公司 13775299578邢思前 专业生产瞬态抑制二极管阵列 TVS ESD Array SOT-23|TVS二极管阵列 DFN2510|TVS二极管阵列 SOD-323|ESD静电抑制器 SOT-23-6|TVS二极管阵列 DFN1006|ESD静电抑制器 SOD-523|ESD静电抑制器 SOD-923|ESD静电抑制器 SOP-08|TVS二极管阵列 SOT-143|TVS二极管阵列
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