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1、简介随着电子产品的高密度化及电子制造的无铅化,PCB及PCBA产品的技术水平、质量要求也面临严峻的挑战,PCB的设计与生产加工及组装过程中需要更严格的工艺与原材料的控制。目前由于尚处于技术和工艺的转型期,客户对PCB制程及组装的认识尚有较大差异,于是类似漏电、开路(线路、孔)、焊接不良、爆板分层之类的失效常常发生,常引起供应商与用户间的质量责任纠纷,为此导致了严重的经济损失。通过对PCB及PCBA的失效现象进行失效分析,通过一系列分析验证,找出失效原因,挖掘失效机理,对提高产品质量,改进生产工艺,仲裁失效事故有重要意义。1 R7 ~7 R! K8 x
2、服务对象 印制电路板及组件(PCB&PCBA)生产商:确认产品质量情况,对产品生产过程中的各种问题进行分析,探究问题的根本机理,提供改进产品设计及工艺生产的参考意见;$ s, }: r6 T2 p# `3 M0 S
印制电路板及组件(PCB&PCBA)供应商/经销商:控制进货质量,增加用户的使用信心,提升品牌价值;: m# X5 @: G( |( V( b m5 _9 Q6 a
印制电路板组件(PCBA)整机商:及时消除对生产过程中的潜在问题,提高制造产品的可靠性,降低责任风险。+ K+ \: t! X! v+ b+ q
分析过的PCB/PCBA种类: 刚性印制板、挠性印制板、刚挠结合板、金属基板 通讯类PCBA、照明类PCBA 3、主要针对失效模式(但不限于) 爆板/分层/起泡/表面污染 开路、短路 - k. ]* \# i* ], r
焊接不良:焊盘上锡不良、引脚上锡不良 腐蚀迁移:电化学迁移、CAF
+ c+ l5 H7 h, g% v) J- w5 X; A" T3 N, a
4、常用失效分析技术手段
# y& u5 E9 a* \ i {' I( q无损检测:
1 i' L* X& ?* f" E/ A外观检查, h8 X3 W1 j5 S9 h4 P3 g2 q
X射线透视检测
9 y# s2 \& ?, C9 W, n9 B三维CT检测0 T' \$ ~' D u+ C
C-SAM检测& a. r+ f! v5 I$ x) c
红外热成像4 Y! W. @* Q4 K- B1 ^4 R+ @4 d
| 热分析:- P) G1 M0 E) L: z; G$ v
差示扫描量热法(DSC)
8 Q# h/ O8 j2 p. @6 E4 q8 ~热机械分析(TMA)6 b6 c/ ^0 Z# K' D- e
热重分析(TGA)
) u& [3 Y( D: X' X. L动态热机械分析(DMA)
; \4 i3 G) A6 A {! w6 l导热系数(稳态热流法、激光散射法)
7 H' I! P K4 B& | |
+ q% ?9 n+ v e+ R& ?9 e& e/ k7 _ | 表面元素分析:
' T: k! Q" ^$ x: V" x# v: b扫描电镜及能谱分析(SEM/EDS)+ Y- C# y7 }$ K! ^' G/ f& R7 ]
显微红外分析(FtiR)
& M' ^7 g+ Q9 V; p# P3 X9 u+ C; Y4 F俄歇电子能谱分析(AES)
6 s9 i8 n4 q8 Q0 k' q. S' Y" `+ KX射线光电子能谱分析(XPS)
) Q3 G; y" I! M) Y6 s5 G% \3 Z# p A二次离子质谱分析(TOF-SIMS)
: b. l# G8 D' b& _9 D% ?3 u# u; T: @
0 y0 {! I& D. N失效复现/验证
! R/ C a/ u) s% A( t/ [! O | 电性能测试:
4 j: P( _; R# c; R7 H6 x1 K; v击穿电压、耐电压、介电常数、电迁移+ l' E% w8 x; q$ V0 S9 F7 h7 ]1 A
| 破坏性检测:! ^5 d% C$ i; Y- G
染色及渗透检测3 U, `# C- A, m
切片分析:金相切片、聚焦离子束(FIB)制样、离子研磨(CP)制样
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% n6 R0 i# Q. ~2 |/ D$ q9 g. f5 F8 K 6 r/ ?' H) A; O. e3 C. U
( o5 t) g; J1 l/ G- w2 l' P( q & ^9 j W8 n8 d* k
# e& B. J: N% [- m5、产生效益 帮助材料生产商了解产品质量状况,对工艺现状分析及评价,优化改进产品研发方案及生产工艺;查明电子组装中失效根本原因,提供有效的电子组装现场工艺改进方案,降低生产成本;提高成品产品合格率及使用可靠性,降低维护维修成本,提升企业品牌和竞争力;明确引起产品失效的责任方,为司法仲裁提供依据。" Z. C0 m, F) q7 ]
' O8 F0 a7 Y4 P3 W, Y! q7 `% y( v/ K/ R% {( W# }; N5 i
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