ESD、磁场与半导体失效有什么关系

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ESD保护
; ]& n% @. p" i! }4 A通常，芯片会包含ESD保护，如果给芯片外部施加0.5V电压，那么在1nm的介质上产生0.5mV/m的电场。这足以导致高压电弧。对于封装内的单个裸片，他们的目标是2kJ这样的标准。
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“ 如果你试图最小化ESD，甚至在这些Wide I/O接口或任何类型的多芯片接口通道上消除它，这意味着你无法按照你针对单芯片的相同标准对每个芯片进行真正的测试。它们必须经过更专业的测试，因为它们的ESD保护很小，或者可能没有ESD保护。”
' v: e7 K1 i7 a4 {即使在运行期间，ESD事件也可能导致问题。在便携式电子产品中，ESD可以导致许多类型的软错误。在ESD事件期间，电源供电网络(PDN)上可能会引起噪声，原因在于某些IC(振荡器IC、CPU和其他IC)的灵敏度，或是PDN的场耦合。
/ I1 R) a1 z+ @7 [2 }, E磁场对半导体影响
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9 @9 q" Y# i/ J! B8 N+ b随着智能手机、平板电脑终端的多功能化，其所需要的电源电压也涉及多种规格，因此电源电路用电感器的使用数量呈现增加趋势。电源电路用一体成型电感的要求小尺寸且支持大电流，并且在智能手机等一些使用电池的设备中要求损耗低。
“ 电感在磁场中储存能量来发挥其功能。但是，电感除受自身产生的电磁能量影响外，也受外部磁通量影响。保证元器件的电感值指的是无外部磁通量状态下的值。因此，在存在外部磁通量的情况下封装电感时，将可能无法发挥其应有的功效。”

$ \& K  G4 `2 y( h9 @* y因此，EMS是人们不得不担心的新问题。能量注入测试是从150kHz开始注入1W能量，一直到1GHz。在每个频率，你会向系统注入1W的能量。如果你没有足够的保护，就会沿着路径进入芯片内部电路造成破坏，或者引脚上的电压可能过高，如果电压太高，就会产生过电应变。
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静电会导致元器件击穿