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本帖最后由 Zjianeng 于 2020-8-20 14:03 编辑 1 w! Y& @/ i6 `# J8 |0 _2 f, E
5 p. x, C$ V) a" \3 D$ e' H1 F“这天气真的太热了,家里的空调都罢工了.叫来修空调师傅一查,竟然是电容器被烫坏了,幸亏没有发生爆炸。”网友在朋友圈里发了一 条微信,并附上一张像两个一号电池大的电容器图片,该电容器的头部原本是扁平的,如今已经高高涨起。这位网友说,因为空调连续工作,再加上空调外机被烈日 灼晒,电容器不堪高温造成的。
' y& o2 }/ r) q$ `; V" F 这位网友的微信一发,顿时引来众多网友附和:如今,全国各地开启高温“烧烤”模式已经一段时间,被高温害惨的事情可以说数不胜数。
" L& }. b( A2 R. V 1.温度变化对半导体器件的影响
4 d1 @, p" e" r3 F 构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感,当P-N结反向偏置时,由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响,其关系为: / \4 F6 \) k4 M% V4 p
4 ?3 S- N( ~2 [* }4 j* O0 M. l9 I- l' ~ 式中:ICQ―――温度T0C时的反向漏电流 ' G7 V$ t* e6 r5 x
ICQR――温度TR℃时的反向漏电流 6 y8 T. }" [3 K9 O
T-TR――温度变化的绝对值 ( ?7 i3 f8 x+ d* A
由上式可以看出,温度每升高10℃,ICQ将增加一倍。这将造成晶体管放大器的工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化,动态范围变小。
( S0 t; w- j( a! z, P 温度与允许功耗的关系如下:
1 U2 j6 j$ C9 P! G+ D
) u2 t N' F& p- O 式中:PCM―――最大允许功耗 - s. \! e8 a: Z5 ?
TjM―――最高允许结温 6 ^( R) t7 X- b. {
T――――使用环境温度
: S% t% q) N5 |1 w RT―――热阻 # R" ]: g, r% s$ b3 T$ P, a& h( I
由上式可以看出,温度的升高将使晶体管的最大允许功耗下降。
/ i# ~6 g7 m3 X( W F 由于P-N结的正向压降受温度的影响较大,所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件(TTL、HTL等集成电路)的电压传输特性和抗 干扰度也与温度有密切的关系。当温度升高时,P-N结的正向压降减小,其开门和关门电平都将减小,这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的升高而变 小;高电平抗干扰电压容限随温度的升高而增大,造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调,甚至热击穿。 7 E) \! h1 t6 W) D
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9 l( y! o; z c* Q 2.温度变化对电阻的影响 1 u: ?5 b' D3 w" B7 v
温度变化对电阻的影响主要是温度升高时,电阻的热噪声增加,阻值偏离标称值,允许耗散概率下降等。比如,RXT系列的碳膜电阻在温度升高到100℃时,允许的耗散概率仅为标称值的20%。 # f6 G$ O* u& R. k- Z- u2 D5 L" X
但我们也可以利用电阻的这一特性,比如,有经过特殊设计的一类电阻:PTC(正温度系数热敏电阻)和NTC(负温度系数热敏电阻),它们的阻值受温度的影响很大。 7 z! c5 u* q/ r1 b8 i
对于PTC,当其温度升高到某一阈值时,其电阻值会急剧增大。利用这一特性,可将其用在电路板的过流保护电路中,当由于某种故障造成通过它的电 流增加到其阈值电流后,PTC的温度急剧升高,同时,其电阻值变大,限制通过它的电流,达到对电路的保护。而故障排除后,通过它的电流减小,PTC的温度 恢复正常,同时,其电阻值也恢复到其正常值。
# S& } c4 Q4 V2 W, D 对于NTC,它的特点是其电阻值随温度的升高而减小。 ' C$ S% x1 `% c
3.温度变化对电容的影响 # p6 f% H1 z& u# t" D1 ?. |
温度变化将引起电容的到介质损耗变化,从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时,电容器的寿命就降低50%,同时还引起阻容时间常数变化,甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。 ! `" c7 O" F. O/ Q* I* ~, { e: f1 V
此外,温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。
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