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本帖最后由 Zjianeng 于 2020-8-20 14:03 编辑 : D u% B" h3 i- f1 D
: }: Z( y# M; _- E9 P“这天气真的太热了,家里的空调都罢工了.叫来修空调师傅一查,竟然是电容器被烫坏了,幸亏没有发生爆炸。”网友在朋友圈里发了一 条微信,并附上一张像两个一号电池大的电容器图片,该电容器的头部原本是扁平的,如今已经高高涨起。这位网友说,因为空调连续工作,再加上空调外机被烈日 灼晒,电容器不堪高温造成的。
8 r+ Y6 \" Y+ A$ Z3 _ H 这位网友的微信一发,顿时引来众多网友附和:如今,全国各地开启高温“烧烤”模式已经一段时间,被高温害惨的事情可以说数不胜数。 # c6 G$ _6 k. x6 i3 @, j: P9 T) [; r
1.温度变化对半导体器件的影响
9 j" U `: ~# X1 t. N" t* Q3 y 构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感,当P-N结反向偏置时,由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响,其关系为:
+ t) @/ W/ ?8 v; O* ?$ E' Y
% i" e, r- r5 D$ p8 o 式中:ICQ―――温度T0C时的反向漏电流 % q0 ^- w2 M: N. Y2 T) z) U* q
ICQR――温度TR℃时的反向漏电流 ; ~7 m5 U7 Z3 c; t9 i( U; ]: @
T-TR――温度变化的绝对值
8 ?& j# M5 I" { 由上式可以看出,温度每升高10℃,ICQ将增加一倍。这将造成晶体管放大器的工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化,动态范围变小。
' }# p+ w: I, k8 K8 D# A 温度与允许功耗的关系如下: : v" _0 B5 Q/ p8 h
2 Q4 |5 k& v+ v9 e, X( N/ X 式中:PCM―――最大允许功耗 " T/ M4 i8 j Z. C4 t
TjM―――最高允许结温 % [4 h7 e8 p4 I& t
T――――使用环境温度 ' O9 l8 | j4 D& c' D: c+ H' f
RT―――热阻 8 E( n: d& s7 J4 X/ h& f8 H- X
由上式可以看出,温度的升高将使晶体管的最大允许功耗下降。 $ J x3 T5 T$ T6 p7 Z# j# j
由于P-N结的正向压降受温度的影响较大,所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件(TTL、HTL等集成电路)的电压传输特性和抗 干扰度也与温度有密切的关系。当温度升高时,P-N结的正向压降减小,其开门和关门电平都将减小,这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的升高而变 小;高电平抗干扰电压容限随温度的升高而增大,造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调,甚至热击穿。
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2.温度变化对电阻的影响
% }$ o: @+ L6 P5 B( _: T1 `' q 温度变化对电阻的影响主要是温度升高时,电阻的热噪声增加,阻值偏离标称值,允许耗散概率下降等。比如,RXT系列的碳膜电阻在温度升高到100℃时,允许的耗散概率仅为标称值的20%。 2 |: ?( o: ]6 M0 c
但我们也可以利用电阻的这一特性,比如,有经过特殊设计的一类电阻:PTC(正温度系数热敏电阻)和NTC(负温度系数热敏电阻),它们的阻值受温度的影响很大。
' [3 Z3 k$ u7 L1 e2 R3 k 对于PTC,当其温度升高到某一阈值时,其电阻值会急剧增大。利用这一特性,可将其用在电路板的过流保护电路中,当由于某种故障造成通过它的电 流增加到其阈值电流后,PTC的温度急剧升高,同时,其电阻值变大,限制通过它的电流,达到对电路的保护。而故障排除后,通过它的电流减小,PTC的温度 恢复正常,同时,其电阻值也恢复到其正常值。
& R5 I X8 W3 {4 n) `* _: w8 I6 R 对于NTC,它的特点是其电阻值随温度的升高而减小。 " ^+ z- J" E; M' s1 C
3.温度变化对电容的影响
/ U- L; R I7 t- i, q! K* J/ m 温度变化将引起电容的到介质损耗变化,从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时,电容器的寿命就降低50%,同时还引起阻容时间常数变化,甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。
0 t$ x% M& N7 {7 |) Z% F' W 此外,温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。
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