晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容及阻容元件的选择

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一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。

　　我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。

　　在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。

　　为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。

　　由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

　　二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择

　　电容的选择:

　　C=(2.5-5)×10的负8次方×If
　　If=0.367Id
# G, `% W# e+ {4 M) h5 F) u　　Id-直流电流值
　　如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)
　　可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF
3 V! y* ~5 ?4 G+ U　　选用2.5mF，1kv 的电容器

　　电阻的选择：

　　R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56
- P' H1 x5 J+ h- T2 I& [& g9 x　　选择10欧
9 w6 r/ ]8 e1 f( D6 t. g　　PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2
　　Pfv=2u(1.5-2.0)
　　u=三相电压的有效值

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在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。